APT40SM120J 1200V, 32A, 80mΩ
发布时间:
2018-07-31
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT40SM120J
资料平台
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APT40SM120S
Rev A
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Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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APT40SM120B初级1200V,41A,80MΩ
Rev.C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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MEA执行器电源系统
2017/11/23
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APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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APT43F60B2 APT43F60L 600V,45A,0.15Ω(最大值),trr≤270ns n沟道FREDFET
Rev D
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APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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APT44F80B2 N沟道FREDFET
Rev D
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APT44F80B2 APT44F80L 800V,47A,0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET
Rev D
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APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V,45A,VCE(开)=1.9V典型超快NPT-IGBT®
Rev B
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APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET
Rev C
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APT45GR65B APT45GR65S 650V,45A,VCE(on)=1.9V(典型值)超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APT40GR120B2DU30 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT®
Rev A
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APT44GA60B APT44GA60S
Rev D
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APT40GR120B2SCD10 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能
2017/11/15
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APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G*600V
Rev A
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碳化硅半导体产品
05/18
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碳化硅半导体产品
05,17
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APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT47N60BC3(G)APT47N60SC3(G)600V 47A 0.070Ω
Rev F
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APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
Rev D
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400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®
Rev A
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APT4016BVFR APT4016SVFR APT40 16BVFRG*APT40 16SVFRG*400V 27A 0.16Ω
Rev A
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功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
Rev.D
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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APT42F50B APT42F50S 500V,42A,0.13Ω(最大值),trr,≤260ns n沟道FREDFET
Rev F
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω
Rev.A
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1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范,端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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APT47F60J 600V,49A,0.09Ω(最大值),trr≤310ns n沟道FREDFET
Rev C
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APT47GA60JD40
Rev C
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APT47M60J 600V、49A、0.09Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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世强AI
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应用/方案
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计,旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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Microsemi的以太网供电(PoE)中跨注入器帮助客户满足新兴的无线网络需求客户案例研究
Microsemi的PoE中继器助力客户满足不断增长的无线网络需求。Dustin公司帮助其客户在多个校园内部署无线网络,采用Microsemi的6500和9000系列中继器,实现180个位置的无线网络覆盖,显著提高无线性能,同时降低安装和配置时间,使网络基础设施的回报率超过8年。
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Synchronous Ethernet (SyncE) Products 产品介绍
Microsemi公司提供同步以太网(SyncE)产品,包括独立SyncE和结合SyncE与IEEE 1588的解决方案,适用于需要频率同步的包网络。产品符合ITU-T G.8262标准,具有超低抖动特性,适用于核心路由器、边缘路由器、宽带设备和无线回程等应用。产品特点包括低带宽环路滤波器、无中断参考切换、高精度保持准确性等。Microsemi的SyncE产品包括定时卡和线路卡,支持高达100 Gbps的接口,并提供多种频率转换和抖动衰减功能。
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FlexPort™ Technology SyncServer S6xx Series 产品介绍
FlexPort™ Technology SyncServer S6xx Series是一种创新的时序和频率标准技术,允许用户通过Web界面动态配置BNC连接器的输入/输出信号类型,如IRIG时间码、脉冲速率和正弦波。该技术支持多种输入和输出信号,包括时间码、脉冲和正弦波,并提供灵活的配置选项,以适应不同的应用需求。FlexPort技术提高了空间利用率和配置灵活性,同时保持了高精度和稳定性。
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Security-Hardened NTP Reflector and Packet Limiting/Monitoring for SyncServer S600 Series 产品介绍
SyncServer S600系列服务器通过硬件NTP反射器和数据包限制/监控功能,提供实时、高带宽、高精度的NTP服务。该系列服务器具备硬件NTP反射器,能够以1 GbE线速处理超过360,000个NTP数据包/秒,并支持多种安全特性,如NTP自动密钥功能和多种认证方式,以增强NTP服务的安全性。此外,该系列服务器还具备多层次的硬件和软件保护措施,以防止拒绝服务攻击,确保CPU不受过载影响。
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MeLT792金属线测试芯片组产品简介
MeLT792芯片组由ZL792588 NGSLAC处理器和ZL75816驱动器测试访问开关(DTAS)组成,支持高达128个测试通道。DTAS将16个G.Fast或DSL线路复用到单个MeLT测试通道。该芯片组提供高电压驱动和集成保护,支持标准或反向电源馈电系统。MeLT792芯片组还提供完整的参考设计,包括电源、原理图、BOM和布局,以及用于改进精度的可选校准电路。软件包包括与ITU-T G.996.2、BBF和Deutsche Telecom 183TR20要求一致的全面测试诊断。
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ZL38067 Timberwolf数字信号处理器系列,由AcuEdge提供支持™ 技术产品简介
Microsemi的Timberwolf数字信号处理器(DSP)系列中的ZL38067产品,采用AcuEdge™技术,集成了Sensory的Truly Handsfree™语音控制技术,优化了自动语音识别(ASR)性能,适用于智能家居应用。该设备支持语音控制和双向全双工音频,具备回声消除(AEC)和噪声抑制(NR)功能,适用于恶劣的声学环境。ZL38067提供三种操作模式:独立ASR、带Barge-in的ASR和全双工通信模式。此外,Microsemi还提供评估套件和自动调谐工具,以简化产品开发周期。
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