APT80SM120B 1200V, 80A, 40mΩ
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT80SM120B
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT80SM120S
Rev A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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APT80SM120J 1200V, 56A, 40mΩ
Rev.B
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MSC015SMA070B4碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC080SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET产品介绍
Revision ATI
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MSC035SMA070B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC040SMA120B碳化硅n沟道功率MOSFET
April 2019
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MSC080SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC080SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET
RevisionA
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MSC035SMA070B碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision C
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MSC035SMA170S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC015SMA070B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC035SMA070S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision B
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MSC035SMA070B4碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision B
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MSC035SMA170B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC040SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC035SMA170B4碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC025SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC080SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC025SMA120S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC750SMA170S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC750SMA170B碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC040SMA120S碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC025SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC280SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision ATI
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MSC360SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC060SMA070S Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Revision ATI
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APT70SM70B初级700V，58A，75MΩ
Rev.E
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APT40SM120S
Rev A
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APT40SM120B初级1200V，41A，80MΩ
Rev.C
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| 数据手册 - 英文 |
LX7730 64位空间模拟输入遥测控制器
rev 2.4
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PD70100/PD70200 IEEE 802.3af/AT PD前端IC
Revision 3.0
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
Libero®SoC V2021.1发行说明
Revision F
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| 数据手册 - 英文 |
MSCSM70VM19C3AG Vienna整流器相脚SiC电源模块规格书
Revision 1.0
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
CoreSmartbert v2.6发行说明
Revision 7.0
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我司设计一款并卷机电机驱动器，原整流桥设计了MICROSEMI MSD75-16
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应用/方案
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，连续漏极电流的最大额定值为5A
中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，采用TO-247-3封装，具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时，其漏源电压的最大额定值为1700V（VGS=0V，ID=100μA）。
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【产品】美浦森推出漏源电压达1200V的碳化硅功率MOSFET，具有N沟道增强模式
美浦森推出的碳化硅功率MOSFET，有MSH080120M1和MSK080120M1两个型号，具有N沟道增强模式，具有动态特性，包括输入电容、输出电容和反向传输电容。系统效率较高，易于并联且易于驱动，无卤素，符合RoHS。
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【产品】750V/105A N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4013DE，耗散功率为312W
SCT4013DE是ROHM近来新推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压750V，连续漏极电流105A，静态漏源导通电阻典型值低至13mΩ，耗散功率为312W。该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点。
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【产品】国产1700V、5A的N通道增强型碳化硅功率MOSFET CL1M01K170D
CL1M01K170D是长联推出的一款1700V/5A/1Ω N沟道增强型碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压和低导通电阻等特性，简化冷却要求和较高系统可靠性等优势，可以应用于开关模式电源中，是电子电气工程师在相关应用的不二选择。
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【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D
Wolfspeed的N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D，在整个工作温度范围内最低工作电压为1200V，具有低反向恢复电荷（Qrr）的快速本征二极管。
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【产品】漏源电压650V的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A020065K，导通电阻典型值20mΩ
中电国基南方推出WM2A020065K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流为92A，RDS(on)的典型值为20mΩ。用于电动汽车充电，服务器电源，太阳能光伏逆变器，UPS等领域。
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【产品】开关速度快的车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DW7HR，符合RoHS标准
SCT4026DW7HR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为91A。
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基于RISC-V的PolarFire®SoC入门：FPGA网络研讨会系列会议14 ReNode中的PolarFire SoC Icicle套件模型
本资料介绍了基于RISC-V的PolarFire®SoC FPGA的Webinar系列，特别是第14场关于Renode Icicle Kit Model的讨论。内容包括SoftConsole v6.3的发布，其中包含Renode v1.9.0和Icicle Kit模型，以及模型名称的更新。资料详细介绍了Renode Icicle Kit Model的功能和特性，包括对eMMC、SD、USB、MAC、SPI、CAN、I2C、DDR等组件的支持，以及MSS I/Os和PCIe接口。此外，还提到了当前传感器模型的开发进度和未来计划。
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Libero®SoC V12.1及更高版本SmartTime静态时序分析仪用户指南
本资料为Microchip Technology Inc.提供的Libero® SoC v12.1及以后版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。指南详细介绍了SmartTime的功能和操作方法，包括设计流程、设置配置、时序分析、生成时序报告等。SmartTime工具用于可视化设计中的时序问题，评估时序要求，创建自定义时序集，设置时序异常，以及定义与其他工具的交叉探针路径。指南涵盖了时序分析的基本概念、高级时序分析、时序报告生成等方面，旨在帮助用户有效地进行时序分析和设计验证。
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【产品】650V N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M030065D，具有高阻断电压，低导通电阻特性
长联（CLTC）推出采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M030065D，漏源电压VDS为650V，TC=25℃ 时，漏极连续电流ID为70A。
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【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C2M0040120D，采用了C2MTM MOSFET技术
Wolfspeed的第二代N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C2M0040120D采用了C2MTM MOSFET技术。阻断电压为1200V，RDS（on）（25℃时）为40mΩ，采用TO-247-3封装。
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Libero®SoC V12.3及更高版本SmartDesign用户指南
本文档介绍了Microchip的SmartDesign工具，这是一个基于视觉块的设计创建和输入工具，用于实例化、配置和连接Microchip IP核、用户生成IP核、自定义和胶水逻辑HDL模块。SmartDesign提供了一个类似于面包板的画布，用于将各种设计组件连接在一起。最终结果是一个经过设计规则检查和自动抽象的合成准备好的HDL文件。SmartDesign可以生成整个FPGA设计或可重用的大设计中的组件子系统。文档涵盖了SmartDesign的画布布局、设计流程、组件实例化、连接、生成设计以及用户操作等方面。
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Libero®SoC V2021.1 SmartTime静态时序分析仪（STA）用户指南
本资料为Libero® SoC v2021.1版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。主要内容包括SmartTime的功能介绍、设计流程、设置配置、时序分析、高级时序分析、时序报告生成、时序概念解释、教程、对话框操作、Tcl命令、术语表、修订历史和客户支持信息。SmartTime工具用于可视化识别设计中的时序问题，评估时序要求，创建自定义时序报告，并与其他工具定义交叉探针路径。
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