APT40SM120B PRELIMINARY 1200V, 41A, 80mΩ
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT40SM120B
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT40SM120J 1200V, 32A, 80mΩ
Rev.B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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APT40SM120S
Rev A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
MEA执行器电源系统
2017/11/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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APT43F60B2 APT43F60L 600V，45A，0.15Ω（最大值），trr≤270ns n沟道FREDFET
Rev D
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APT45GR65B APT45GR65S 650V，45A，VCE（on）=1.9V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET
Rev C
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APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V，45A，VCE（开）=1.9V典型超快NPT-IGBT®
Rev B
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APT44GA60B APT44GA60S
Rev D
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APT44F80B2 N沟道FREDFET
Rev D
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APT40GR120B2DU30 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT®
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT44F80B2 APT44F80L 800V，47A，0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
APT40GR120B2SCD10 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev E
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aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能
2017/11/15
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| 数据手册 - 英文 |
APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G*600V
Rev A
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
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碳化硅半导体产品
05,17
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| 数据手册 - 英文 |
APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT47N60BC3（G）APT47N60SC3（G）600V 47A 0.070Ω
Rev F
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
Rev.D
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APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
Rev D
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400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®
Rev A
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APT4016BVFR APT4016SVFR APT40 16BVFRG*APT40 16SVFRG*400V 27A 0.16Ω
Rev A
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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APT42F50B APT42F50S 500V，42A，0.13Ω（最大值），trr，≤260ns n沟道FREDFET
Rev F
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范，端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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APT47GA60JD40
Rev C
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APT47F60J 600V，49A，0.09Ω（最大值），trr≤310ns n沟道FREDFET
Rev C
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，连续漏极电流的最大额定值为5A
中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，采用TO-247-3封装，具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时，其漏源电压的最大额定值为1700V（VGS=0V，ID=100μA）。
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【产品】美浦森推出漏源电压达1200V的碳化硅功率MOSFET，具有N沟道增强模式
美浦森推出的碳化硅功率MOSFET，有MSH080120M1和MSK080120M1两个型号，具有N沟道增强模式，具有动态特性，包括输入电容、输出电容和反向传输电容。系统效率较高，易于并联且易于驱动，无卤素，符合RoHS。
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【产品】750V/105A N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4013DE，耗散功率为312W
SCT4013DE是ROHM近来新推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压750V，连续漏极电流105A，静态漏源导通电阻典型值低至13mΩ，耗散功率为312W。该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点。
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【产品】国产1700V、5A的N通道增强型碳化硅功率MOSFET CL1M01K170D
CL1M01K170D是长联推出的一款1700V/5A/1Ω N沟道增强型碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压和低导通电阻等特性，简化冷却要求和较高系统可靠性等优势，可以应用于开关模式电源中，是电子电气工程师在相关应用的不二选择。
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【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D
Wolfspeed的N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D，在整个工作温度范围内最低工作电压为1200V，具有低反向恢复电荷（Qrr）的快速本征二极管。
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【产品】漏源电压650V的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A020065K，导通电阻典型值20mΩ
中电国基南方推出WM2A020065K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流为92A，RDS(on)的典型值为20mΩ。用于电动汽车充电，服务器电源，太阳能光伏逆变器，UPS等领域。
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【产品】开关速度快的车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DW7HR，符合RoHS标准
SCT4026DW7HR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为91A。
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