APT75GN60B(G) APT75GN60S(G) 600V
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT75GN60B(G); APT75GN60S(G)
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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APT35GP120B APT35GP120BG*G表示符合RoHS规范，无铅端子表面处理功率MOS 7®IGBT
Rev E
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600V APT80GP60JDQ3功率MOS 7®IGBT
Rev A
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雷电IGBT APT75GT120JRDQ3 1200V
Rev F
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APT40GT60BR 600V，80A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev D
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双通道IGBT隔离驱动器aPTRG8a120
Rev 1
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1200V APT50GF120JRDQ3快速IGBT和FRED
Rev A
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谐振模式组合IGBT®600V APT50GT60BRDL（G）
Rev C
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1200V APT40GF120JRDQ2快速IGBT和FRED
Rev B
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快速IGBT和FRED 1200V APT60GF120JRDQ3
Rev A
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600V APT15GT60BR APT15GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev D
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600V APT20GT60BR APT20GT60BRG*Thunderbolt IGBT®
Rev E
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1200V APT25GT120BRDL（G）谐振模式IGBT®
Rev C
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600V APT20GT60BRDQ1 APT20GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
Rev C
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APT70GR120J 1200V，70A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev A
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APT85GR120JD60 1200V，85A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APT70GR65B 650V，70A，VCE（on）=1.9V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev A
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600V APT30GT60BR APT30GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev E
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APT85GR120J 1200V，85A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APTGT50H60T1G全桥沟槽式+场截止IGBT3功率模块
Rev 1
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APTGT50DU120TG双共源快速沟槽+场截止IGBT3功率模块
Rev 2
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霹雳IGBT®600V APT50GT60BRDQ2 APT50GT60BRDQ2G*
Rev C
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全桥沟槽式+场截止IgBT®功率模块APTgT20h60T3g
Rev 1
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600V APT15GT60BRDQ1 APT15GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
Rev B
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APT45GR65B APT45GR65S 650V，45A，VCE（on）=1.9V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APTGT75H60T3G全桥沟槽式+场截止IGBT3功率模块
Rev 3
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超快速NPT-IGBT®aPT40GR120B2D30 1200V，40a，VCE（on）=2.5V（典型值）
Rev B
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APTGT30H60T1G全桥沟槽式+场截止IGBT3功率模块
Rev1
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超快速NPT-IGBT®aPT70GR120JD60 1200V，70a，Vce（on）=2.5V（典型值）
Rev A
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APTGT225DU170G双共源沟槽型+场截止IGBT3功率模块
Rev 2
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双共源极Trench+场截止IGBT®功率模块APTGT50Du170TG
Rev 1
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双通道IGBT隔离驱动器（同相）aPTRG8a120G
Rev 2
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全桥沟槽式+场截止IgBT®功率模块APTgT30h60T3g
Rev 1
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APTGT300DU170G双共源沟槽型+场截止IGBT3功率模块
Rev 2
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APTGT100DU60TG双共源沟槽型+场截止IGBT3功率模块
Rev 2
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APTGT75H60T1G全桥沟槽式+场截止IGBT3功率模块
Rev 1
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APT50GR120JD30 1200V，50A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APTGT50A170TG相腿沟槽+场截止IGBT3功率模块
Rev 2
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APTGT20H60T1G全桥沟槽式+场截止IGBT3功率模块
Rev 1
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APT30GS60BRDL（G）600V，30A，VCE（ON）=2.8V典型谐振模式组合IGBT®
Rev C
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霹雳IGBT®600V APT60GT60JRDQ3
Rev A
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双共源极Trench+场截止IGBT®电源模块APTGT450Du60G
Rev 1
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APTGT200DU60TG双共源沟槽型+场截止IGBT3功率模块
Rev 2
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APTGT50A120T1G相脚快速沟槽+场截止IGBT3功率模块
Rev 1
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世强AI
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应用/方案
APT0201 IGBT教程
本文详细介绍了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术，包括其工作原理、选择标准、不同技术（PT与NPT）的优缺点，以及Advanced Power Technology（APT）提供的IGBT系列产品的特点。文章首先概述了IGBT的选型要点，如工作电压、开关方式、电流、开关速度和短路承受能力。接着，详细解释了IGBT的结构、工作原理和等效电路，并分析了PT与NPT技术的差异。最后，文章介绍了APT的IGBT产品系列，包括其特点和应用领域，并提供了数据手册的解读指南。
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不带铜底板IGBT功率模块的散热设计
不带铜底板的IGBT模块已经成为模块封装发展的一个趋势，本文通过大量仿真及实验数据，介绍了Vincotech公司推出的预涂高性能导热硅脂服务对模块散热的改善效果。
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【应用】IGBT功率模块在充电设备上的应用
半导体材料在当前的电池充电应用中扮演着越来越重要的角色，Vincotech公司开发了一系列针对这种应用的全功率范围的功率模块，该模块设计大大节省了PCB板的面积。
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如何使用PowerDsine HiPoE解决方案为Cisco 802.11n Aironet 1250供电
本文档为PowerDsine HiPoE™Quick Reference，主要介绍了如何使用PowerDsine HiPoE解决方案为Cisco 802.11n Aironet 1250接入点供电。文档中详细介绍了PD-PS-401G Dongle、PowerDsine 7000G HiPoE Midspan和PD-PS-401G HiPoE Adapter等产品的信息，并提供了订购信息。此外，还列出了不同型号的PowerDsine 7000G系列Midspan产品的详细信息。
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工业物联网解决方案强大的工业性能可扩展、低功耗、安全
本文介绍了Microsemi公司针对工业物联网（IIoT）的解决方案，包括以太网交换机和物理层（PHY）产品。Microsemi的产品旨在满足IIoT对低功耗、高性能和安全性连接的需求。文章强调了Microsemi在以太网交换和PHY技术方面的长期经验，以及其软件解决方案如何帮助缩短产品上市时间。此外，还提供了Microsemi的Gigabit Ethernet交换机和PHY产品的详细规格。
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商用航空解决方案
Microsemi公司提供广泛的半导体和系统解决方案，专注于商业航空领域。其产品包括智能电源解决方案、FPGA和SoC、功率开关离散和模块、瞬态电压抑制（TVS）二极管、模拟混合信号IC、射频和微波解决方案、以太网交换机、PHYs、软件和以太网供电（PoE）解决方案、内存和存储解决方案、先进封装能力以及安全解决方案。这些产品应用于飞行控制、舱内管理、引擎系统、通信雷达、电力电子系统等领域，旨在提高飞机的性能、可靠性和安全性。Microsemi通过其研发中心和技术服务，为航空航天应用提供定制化的解决方案。
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