APT70SM70B PRELIMINARY 700V, 58A, 75mΩ
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT70SM70B
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT70SM70J 700V, 43A, 75mΩ
Rev.B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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MSC015SMA070B4碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC080SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET产品介绍
Revision ATI
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MSC035SMA070B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC040SMA120B碳化硅n沟道功率MOSFET
April 2019
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MSC080SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC080SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET
RevisionA
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MSC035SMA070B碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision C
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MSC035SMA170S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC015SMA070B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC035SMA070B4碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision B
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MSC035SMA070S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision B
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MSC040SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC035SMA170B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC035SMA170B4碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC025SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC080SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC025SMA120S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC750SMA170S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC040SMA120S碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
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MSC750SMA170B碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC025SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
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MSC280SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision ATI
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MSC360SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC060SMA070S Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Revision ATI
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APT80SM120B 1200V，80A，40MΩ
Rev.B
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APT40SM120B初级1200V，41A，80MΩ
Rev.C
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APT80SM120S
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT40SM120S
Rev A
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
CoreQSGMII
Revision 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无22T-RT4G150-CQ352-K7HWA
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RT4G150-LG1657-K7KAS
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ57T1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ26Y1
Rev. 0
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世强AI
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应用/方案
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，连续漏极电流的最大额定值为5A
中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，采用TO-247-3封装，具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时，其漏源电压的最大额定值为1700V（VGS=0V，ID=100μA）。
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【产品】美浦森推出漏源电压达1200V的碳化硅功率MOSFET，具有N沟道增强模式
美浦森推出的碳化硅功率MOSFET，有MSH080120M1和MSK080120M1两个型号，具有N沟道增强模式，具有动态特性，包括输入电容、输出电容和反向传输电容。系统效率较高，易于并联且易于驱动，无卤素，符合RoHS。
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【产品】750V/105A N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4013DE，耗散功率为312W
SCT4013DE是ROHM近来新推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压750V，连续漏极电流105A，静态漏源导通电阻典型值低至13mΩ，耗散功率为312W。该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点。
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【产品】国产1700V、5A的N通道增强型碳化硅功率MOSFET CL1M01K170D
CL1M01K170D是长联推出的一款1700V/5A/1Ω N沟道增强型碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压和低导通电阻等特性，简化冷却要求和较高系统可靠性等优势，可以应用于开关模式电源中，是电子电气工程师在相关应用的不二选择。
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【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D
Wolfspeed的N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D，在整个工作温度范围内最低工作电压为1200V，具有低反向恢复电荷（Qrr）的快速本征二极管。
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【产品】漏源电压650V的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A020065K，导通电阻典型值20mΩ
中电国基南方推出WM2A020065K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流为92A，RDS(on)的典型值为20mΩ。用于电动汽车充电，服务器电源，太阳能光伏逆变器，UPS等领域。
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【产品】开关速度快的车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DW7HR，符合RoHS标准
SCT4026DW7HR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为91A。
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RT PolarFire®FPGA DDR3本机接口
本应用笔记介绍了如何使用RT PolarFire FPGA的Native Interface模式配置DDR3控制器，以实现向DDR3内存执行写和读突发操作。通过选择拨动开关的ON/OFF状态，可以设置不同的操作模式（如递增模式、走位1模式、走位0模式和递减模式）。此外，还介绍了如何使用SmartDebug工具验证写和读数据。笔记中详细描述了硬件和软件要求、设计实现步骤，以及如何通过Libero SoC和SmartDebug工具运行和验证设计。
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SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的电路板和布局设计指南
本资料为Microsemi公司发布的关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的板级和布局设计指南。内容涵盖设计考虑因素、电源设计、I/O瞬态、时钟设计、复位电路、设备编程、SerDes设计、LPDDR、DDR2和DDR3设计、用户I/O和时钟引脚配置、双电源设计、brownout检测、同时切换噪声、电源布局、SerDes布局、PLL布局、I/O电源布局、编程电源布局、高速串行链路布局、仿真考虑、DDR3布局指南、创建原理图符号等。
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SPI-DirectC V2021.2用户指南
本指南介绍了SPI-DirectC软件，用于支持Microchip微处理器的嵌入式在系统编程（ISP）。指南详细说明了如何使用SPI-DirectC在支持的Microchip设备上启用基于微处理器的嵌入式ISP，包括系统概述、数据文件生成、SPI-DirectC代码集成、必要的源代码修改、数据文件格式、源文件描述、数据文件位方向以及示例项目。指南涵盖了SPI-DirectC的安装、配置和使用，旨在帮助用户进行有效的ISP操作。
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【产品】650V N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M030065D，具有高阻断电压，低导通电阻特性
长联（CLTC）推出采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M030065D，漏源电压VDS为650V，TC=25℃ 时，漏极连续电流ID为70A。
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【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C2M0040120D，采用了C2MTM MOSFET技术
Wolfspeed的第二代N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C2M0040120D采用了C2MTM MOSFET技术。阻断电压为1200V，RDS（on）（25℃时）为40mΩ，采用TO-247-3封装。
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SPI-DirectC V2021.1用户指南
SPI-DirectC v2021.1用户指南主要介绍了如何使用SPI-DirectC进行嵌入式In-System Programming（ISP）以支持Microchip的IGLOO2、SmartFusion2、PolarFire和PolarFire SoC设备。指南详细说明了系统概述、数据文件格式、源代码修改、编译器开关、硬件接口组件、数据文件位方向以及示例项目等内容，旨在帮助用户生成数据文件、集成SPI-DirectC代码并实现设备编程。
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SmartFusion®2和Igloo®2高速串行接口配置用户指南
本指南介绍了如何配置SmartFusion2和IGLOO2系列中的高速串行接口，包括协议配置、PCIe配置、通道配置、信号完整性选项、发送去加重、接收CTL均衡、电源管理设置、高速串行接口控制寄存器配置、固件和仿真级别。指南详细说明了配置步骤和参数设置，适用于Libero SoC SERDES_IF核心。
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