NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/181
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
2N718A; 2N1613; 2N1613L
资料平台
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2N718A 2N1613 2N1613L技术数据表
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NPN低功率硅晶体管2N918技术数据表
Rev. 3
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符合MIL-PRF-19500/253标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
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符合MIL-PRF-19500/182标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
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2N3439至2N3440 NPN低功耗硅晶体管
Rev. 4
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2N3019低功率NPN硅晶体管
Rev. 2
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2N3439L至2N3440L NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1
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符合MIL-PRF-19500/391标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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符合MIL-PRF-19500/391标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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抗辐射NPN低功率硅晶体管2N3439技术数据表
Rev. 1
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N3700 Rad硬低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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根据MIL-PRF-19500和ESCC 22900筛选的MSR2N3700UB Rad硬低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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TECHNICAL DATA NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/225
2017/12/04
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TECHNICAL DATA NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/368
2017/12/13
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符合MIL-PRF-19500/391JANS_2N3019和JANS_2N3019S标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev.3
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2N3439UA至2N3440UA NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1 (111683)
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2N3439U4至2N3440U4 NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1 (111617)
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NPN硅低功率晶体管2N2484UA技术数据表
Rev. 1
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2N3700低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
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2N3057A低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1 (121562)
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2N3019S低功耗NPN硅晶体管，符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
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2N3700UB低功耗NPN硅晶体管符合MIL-PRF-19500/391标准
Rev. 1
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TECHNICAL DATA NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313
2017/12/05
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TECHNICAL DATA NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376
2017/12/05
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MRF517射频和微波分立小功率晶体管
2018/01/19
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符合MIL-PRF-19500/343 2n2857UB标准的RF和微波分立低功率晶体管
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2N3866/2N3866射频和微波分立低功耗晶体管
2017/12/13
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扬斯_2N3057A
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2N3866/2N3866A射频和微波分立低功耗晶体管
January 2009
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2N2857号
Rev. 1
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TimeProvider®5000 IEEE 1588-2008 PTP主时钟
8/20
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ZL30282 6输出PCIe时钟发生器数据表
September 2020
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ZL30237双通道通用NCO时钟发生器
2021/06/04
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TimePictra®软件套件：下一代同步管理系统
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MSC2x31/30SDA070J双通道碳化硅肖特基势垒二极管
Revision A
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GPS-2700 10 MHz GNSS受控振荡器，具有芯片级原子钟（CSAC）
Rev D
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MSCSM70AM10CT3AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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MSC035SMA170S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC750SMA170S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
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MSCSM70AM19CT1AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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MSCSM70VM10C4AG Vienna整流器相脚SiC电源模块规格书
Revision 1.0
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PD-9601GC中跨1端口，IEEE 802.3bt 90W PoE中跨
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世强AI
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应用/方案
STPower SiC MOSFET：高压开关领域的真正突破
ST的STPOWER SiC MOSFET在高压开关领域实现突破，采用宽禁带材料，具有极低的开关损耗和低功率损耗。产品包括650V和1200V系列，适用于牵引逆变器、电动汽车充电站、光伏、工厂自动化、电机驱动和数据中心电源等应用。这些产品具有高温度额定值、高效能和紧凑设计，可降低被动元件尺寸和成本，提高系统效率。与硅晶体管相比，STPOWER SiC MOSFET在高温下具有更低的开关损耗，适用于更高开关频率，减少无源元件尺寸。
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【产品】TO-92封装的NPN/PNP硅晶体管SBC337、SBC327，彼此互补配对，适用于高电流应用与开关应用
硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多重功能，常用作放大器或电控开关。晶体管开关频率高，响应速度快，准确性高；耐压范围大，结实可靠。AUK（KODENSHI旗下）推出的NPN硅晶体管SBC337，PNP硅晶体管SBC327，适用于高电流应用，开关应用等应用场景，适用于AF驱动级和低功率输出级。
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SiC MOSFET：高压开关领域的真正突破
ST公司推出的SiC MOSFET在高压开关领域实现突破，具有非常低的开关损耗和低功率损耗，适用于工业和汽车应用。这些器件具有高耐温性，可提高系统效率，减少冷却需求，并实现小型化设计。与硅晶体管相比，SiC MOSFET在高温下的开关损耗显著降低，适用于高开关频率，有助于减小无源元件尺寸。
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【产品】采用SOT-23F封装的硅晶体管BC808F、BC818F，适用于高电流应用以及开关应用
硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关，具有检波，整流，放大等多重功能。晶体管开关具有频率高，响应速度快，准确性高等特点。AUK（KODENSHI旗下）推出的PNP硅晶体管BC808F，NPN硅晶体管BC818F适用于高电流应用以及开关等应用，适用于AF驱动级和低功率输出级。
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使用散聚DMA控制器的RTG4 FPGA PCIe数据平面演示
本资料介绍了Microsemi公司RTG4 FPGA PCIe数据平面演示，使用Scatter-Gather DMA控制器实现高速数据传输。资料详细描述了设计要求、前提条件、演示设计、设置演示设计、运行设计等步骤，包括硬件设置、编程、连接、驱动程序安装、应用程序安装和运行。此外，还提供了DMA传输流程图、性能计算方法和附录，包括编程设备、运行TCL脚本和演示寄存器及缓冲区描述符的详细信息。
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PolarFire FPGA：利用用户密码处理器实现数据安全
本资料介绍了如何使用Microsemi的PolarFire FPGA中的用户加密处理器（User Cryptoprocessor）实现数据安全。资料详细描述了用户加密处理器的功能、设计要求、硬件和软件实现方法，包括时钟结构、IP核使用、内存映射和软件配置。此外，还提供了如何编程PolarFire设备和SPI闪存的指南，以及如何运行演示和示例项目。
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【产品】集电极功耗仅200mW的硅晶体管BC817F、BC807F，适用于AF驱动级和低功率输出级
AUK作为KODENSHI（可天士）旗下品牌，专注于硅半导体，化合物半导体等领域，向全球提供国际水准的核心器件，广泛应用于家用电器，IT产品等数码技术产品。其中，硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关，具有检波，整流，放大等多重功能。晶体管开关具有频率高，响应速度快，准确性高等特点。BC807F,BC817F适用于高电流应用以及开关等应用以及AF驱动级和低功率输出级。
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Libero®SoC v2021.2 RTG4™FCCC（带增强型PLL校准）配置器用户指南
本指南介绍了RTG4™ FCCC with Enhanced PLL Calibration Configurator，该配置器允许配置两个CCC（CCC_0和CCC_1）。它描述了如何进行校准，包括在启动或PLL重置时进行的校准，以确保PLL锁定在正常操作期间稳定。指南还涵盖了配置选项，包括基本配置、高级配置和PLL选项，以及如何设置输出时钟、PLL参考时钟源和频率。此外，它还提供了关于动态配置、PLL选项、端口描述和修订历史的信息。
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