Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode APT10SCE120B 1200V 10A
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT10SCE120B
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT18F60B APT18F60S 600V, 19A, 0.37Ω Max, trr≤200ns N-Channel FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi Corporation产品停产通知（PDN）编号：PPS1109070825
rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev G
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT12M80B APT12M80S 800V, 13A, 0.80Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT15GP60B APT15GP60S 600V POWER MOS 7® IGBT
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品，工艺变更通知编号：PPS105130C32
Rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT11F80B APT11F80S 600V，12A，0.9Ω最大trr≤210ns n沟道FREDFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
1200V APT13GP120B APT13GP120S APT13GP120BG*APT13GP120SG*功率MOS 7®IGBT
Rev E
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT18M80B APT18M80S 800V, 19A, 0.53Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT17F80B APT17F80S 800V, 18A, 0.58Ω Max, trr≤250ns N-Channel FREDFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT15GN120BDQ1 APT15GN120SDQ1 APT15GN120BDQ1（G）APT15 GN120SDQ1（G）1200V
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT14M120B APT14M120S 1200V, 14A, 1.10Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT13F120B APT13F120S 1200V, 14A, 1.2Ω Max trr, ≤250ns N-Channel FREDFET
Rev D
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APT1204R7BFLL APT1204R7SFLL 1200V 3.5A 4.700Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT14M100B APT14M100S 1000V, 14A, 0.88Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT106N60B2_LC6 600V 106A 0.035Ω超结MOSFET
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
600V APT15GT60BR APT15GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
600V APT15GT60BRDQ1 APT15GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT102GA60B2 APT102GA60L
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT15GT120BR APT15GT120SR APT15GT120BR(G) APT15GT120SR(G) 1200V Thunderbolt IGBT®
Rev E
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超软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT17F100B APT17F100S 1000V, 17A, 0.78Ω Max, trr≤245ns N-Channel FREDFET
Rev D
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应用/方案
森国科推出KS系列碳化硅二极管，零反向恢复的特性大幅降低损耗，有效应用于3KW通信电源
在3KW高效通信电源无桥交错PFC电路中，可以采用2颗森国科半导体650V的碳化硅肖特基二极管KS20065-R2、KS30065-R2等，也可以选用森国科1200V碳化硅二极管KS20120-E、KS20120-R2。这些二极管具有零反向恢复的特性，可以大幅降低反向恢复带来的损耗，从而提升整体效率。
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【应用】碳化硅肖特基二极管G5S12050PM用于小功率光伏逆变器，零反向恢复电流可降低对管开关管的开通损耗
本文推荐泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12050PM用于光伏逆变器，采用TO-247AC封装，反向重复峰值电压为1200V，工作温度为-55~175℃，零正向恢复电压、开关特性不受温度影响、适合光伏逆变器高温、高频等应用场景下工作；具有零反向恢复电流，可降低对开关管的开通损耗。
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【产品】1200V/40A碳化硅肖特基二极管AKCK2A040WHH，具有零反向恢复电流、高浪涌电流能力等特性
瑶芯微推出碳化硅肖特基二极管AKCK2A040WHH，反向重复峰值电压为1200V，连续正向电流为40A（TC=155℃），采用TO-247-3L封装；具有零反向恢复电流、高浪涌电流能力、高频工作、与温度无关的开关特性。
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【产品】中电国基南方推出碳化硅肖特基二极管WS4A020065K，采用薄晶圆技术，具有低正向电压降、零反向恢复电流等特性
中电国基南方推出的碳化硅肖特基二极管WS4A020065K采用了新型薄晶圆技术，具有低正向电压降 (VF)，零反向恢复电流和零正向恢复电压，用单向器件替代双向器件，并减小了散热器尺寸，可应用于电机驱动、光伏逆变器、风力发电站等。
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【产品】具有零正向恢复电压的碳化硅肖特基二极管AS3D004065F，Tc≤25℃时，正向电流11A
安邦推出的碳化硅肖特基二极管AS3D004065F，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压。25℃时，其反向重复峰值电压高达650V，正向电流11A（TC小等于25℃），可应用在开关电源，功率因数校正等方面。
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