POWERMITE® Low Profile 1500 Watt Transient Voltage Suppressor 3PMT5.0A thru 3PMT170A
发布时间:
2018-07-31
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
3PMT5.0A; 3PMT6.0A; 3PMT6.5A; 3PMT7.0A; 3PMT7.5A; 3PMT8.0A; 3PMT8.5A; 3PMT9.0A; 3PMT10A; 3PMT11A; 3PMT12A; 3PMT13A; 3PMT14A; 3PMT15A; 3PMT16A; 3PMT17A; 3PMT18A; 3PMT22A; 3PMT20A; 3PMT24A; 3PMT26A; 3PMT28A; 3PMT30A; 3PMT33A; 3PMT36A; 3PMT40A; 3PMT43A; 3PMT45A; 3PMT48A; 3PMT51A; 3PMT54A; 3PMT58A; 3PMT60A; 3PMT64A; 3PMT70A; 3PMT75A; 3PMT78A; 3PMT85A; 3PMT90A; 3PMT100A; 3PMT110A; 3PMT120A; 3PMT130A; 3PMT150A; 3PMT160A; 3PMT170A
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
POWERMITE®薄型1500瓦瞬态电压抑制器3PMT5.0a至3PMT170a
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
POWERMITE®1500瓦瞬态吸收齐纳3PMT5.0至3PMT170
REV.0
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| 数据手册 - 英文 |
P5KE5.0至P5KE170A 5.0至170 v 500 W瞬态电压抑制器
2017/12/29
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| 技术文档 - 英文 |
如何选择瞬态电压抑制器
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
500W瞬态电压抑制器,军用1N6461-1N6468 JAN,JANTX&JANTXV
2017/11/29
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| 技术文档 - 英文 |
瞬态电压抑制器的失效机理
Rev 0
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瞬态电压抑制器TVS305-TVS430 TVS505-TVS528
2017/11/29
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/516标准的无空隙密封双向瞬态电压抑制器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/516标准的无空隙密封双向瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 技术文档 - 英文 |
瞬态电压抑制器中的寄生电容&低电容选择
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
无空隙密封单向瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 技术文档 - 英文 |
无空隙密封单向瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
表面贴装瞬态电压抑制器UPT5-UPT48 UPTB5-UPTB48
2017/11/29
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| 数据手册 - 英文 |
MSAC5.0–MSAC50A(e3)500 W低电容瞬态电压抑制器
Rev. B
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MSMBJSAC5.0–MSMBJSAC75(e3)500瓦低电容瞬态电压抑制器
Rev . B
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| 数据手册 - 英文 |
MSATS14S40L和MSATS14S40LR 40伏、250安、14.5千瓦瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 技术文档 - 英文 |
高温下硅瞬态电压抑制器的降额
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
ICTE-5至ICTE-45C,E3瞬态电压抑制器
REV B
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| 技术文档 - 英文 |
不同脉冲宽度的高温瞬态电压抑制器降额
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
P6KE6.8至200CA,E3 600瓦瞬态电压抑制器
REV G
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| 数据手册 - 英文 |
1500瓦低箝位系数瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 技术文档 - 英文 |
5V–48V Powermite1,表面贴装瞬态电压抑制器
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/551 1n6461US–1n6468US标准的无空隙密封单向瞬态电压抑制器
Rev.1
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| 技术文档 - 英文 |
无空隙密封单向150w低电容瞬态电压抑制器
Rev x
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无空隙密封单向150w低电容瞬态电压抑制器
Rev x
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| 数据手册 - 英文 |
65kw瞬态电压抑制器
Rev A
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704-15K36和704-15K36T瞬态电压抑制器
REV B
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| 技术文档 - 英文 |
齐纳管、瞬态电压抑制器两种装置能否用于相同的应用?
Rev 0
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| 技术文档 - 英文 |
无空隙密封安装双向瞬态电压抑制器
Rev. 2
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| 技术文档 - 英文 |
5V–48V小型封装,表面贴装瞬态电压抑制器
Rev. B
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SA5.0–SA170CA 5.0至170伏,500瓦瞬态电压抑制器
Rev. A (3/26/13)
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| 技术文档 - 英文 |
无空隙密封表面贴装双向瞬态电压抑制器
Rev. 1(121354)
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| 数据手册 - 英文 |
TimeProvider®5000 IEEE 1588-2008 PTP主时钟
8/20
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| 数据手册 - 英文 |
ZL30282 6输出PCIe时钟发生器数据表
September 2020
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世强AI
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应用/方案
选择瞬态电压抑制器应用说明
本文主要介绍了选择瞬态电压抑制器(TVS)的关键参数和注意事项。文章首先强调了TVS的主要作用是保护电路中的敏感组件免受高电压瞬变的损害。接着,详细阐述了选择TVS时需要考虑的关键参数,包括额定工作峰值电压(VWM)、峰值脉冲功耗(P)、峰值脉冲电流(I)和钳位电压(V)。此外,文章还讨论了TVS的功率选择方法,包括通过计算和近似来确定TVS的功率等级。最后,文章简要介绍了TVS的其他参数选择,如电容和配置类型。
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瞬态电压抑制器的失效机理应用说明
本文主要探讨了瞬态电压抑制器(TVS)的失效机制。文章首先介绍了TVS在电路中的作用以及如何选择合适的TVS来确保足够的浪涌能力。接着,详细分析了TVS的失效机制,包括过压、过热、热失控等,以及这些失效机制对TVS性能的影响。文章还讨论了如何避免TVS的失效,并提出了保守的TVS设计选项。
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密克罗内特™ 133瞬态电压抑制器上的重复浪涌
本文主要讨论了瞬态电压抑制器(TVS)在重复性浪涌条件下的热管理问题。文章指出,TVS的数据表中的峰值脉冲功率(PPP)额定值主要针对单个脉冲,并允许在下一个瞬态之前进行冷却。然而,在重复性浪涌存在时,累积加热会导致性能下降。文章还讨论了TVS的热管理,包括安装条件、热沉和热阻抗。此外,文章还介绍了Wunsch-Bell曲线和平均重复浪涌(PPPAVG)的概念,以及如何评估TVS在长时间重复浪涌条件下的性能。最后,文章讨论了针对飞机的RTCA/DO-160规范中定义的雷击威胁,并介绍了适用于重复性浪涌的优化TVS封装。
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瞬态电压抑制器重复浪涌应用说明
本文主要讨论了瞬态电压抑制器(TVS)在重复性浪涌中的应用和热管理问题。文章指出,TVS的峰值脉冲功率(P)额定值适用于单个脉冲,允许在下一个瞬态之前进行冷却。重复性浪涌会导致累积加热,从而降低TVS的浪涌额定能力。文章还讨论了TVS的热管理,包括散热和热沉条件。此外,文章还介绍了Wunsch-Bell曲线和平均重复浪涌的概念,以及如何评估TVS在长时间重复浪涌下的性能。最后,文章强调了Microsemi的PLAD系列TVS产品在重复性浪涌应用中的优势。
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如何使用PowerDsine HiPoE解决方案为Cisco 802.11n Aironet 1250供电
本文档为PowerDsine HiPoE™Quick Reference,主要介绍了如何使用PowerDsine HiPoE解决方案为Cisco 802.11n Aironet 1250接入点供电。文档中详细介绍了PD-PS-401G Dongle、PowerDsine 7000G HiPoE Midspan和PD-PS-401G HiPoE Adapter等产品的信息,并提供了订购信息。此外,还列出了不同型号的PowerDsine 7000G系列Midspan产品的详细信息。
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工业物联网解决方案强大的工业性能可扩展、低功耗、安全
本文介绍了Microsemi公司针对工业物联网(IIoT)的解决方案,包括以太网交换机和物理层(PHY)产品。Microsemi的产品旨在满足IIoT对低功耗、高性能和安全性连接的需求。文章强调了Microsemi在以太网交换和PHY技术方面的长期经验,以及其软件解决方案如何帮助缩短产品上市时间。此外,还提供了Microsemi的Gigabit Ethernet交换机和PHY产品的详细规格。
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瞬态电压抑制器中的寄生电容和低电容选项应用说明
本文探讨了瞬态电压抑制器(TVS)的寄生电容及其对性能的影响。文章解释了TVS电容的产生原因,并分析了不同电压等级和功率等级的TVS电容变化。此外,文章还介绍了降低TVS电容的方法,包括使用低电容二极管芯片和低电容TVS设计。最后,文章讨论了不同配置的TVS保护方案,包括单向和双向保护,以及针对不同应用场景的TVS配置选择。
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高温下硅瞬态电压抑制器降额应用注意事项
本文探讨了在高温下硅瞬态电压抑制器(TVS)的降额问题。文章详细介绍了TVS在25°C下的电气特性,并分析了在高温下如何对TVS进行降额。文章指出,TVS的峰值脉冲功率(P)和峰值脉冲电流(I)在高温下的降额与连续功率的降额不同,并解释了TVS在瞬态事件中的温度变化。此外,文章还讨论了TVS在塑料封装和密封封装中的降额曲线,并强调了在瞬态事件中保持TVS内部温度在安全范围内的必要性。
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不同脉冲宽度的高温瞬态电压抑制器降额应用说明
本文探讨了在高温环境下,不同脉冲宽度对瞬态电压抑制器(TVS)性能的影响。通过案例分析,阐述了如何根据电气要求和机械配置选择合适的TVS产品,并介绍了如何通过温度降额曲线来调整TVS的峰值脉冲电流(I)和峰值脉冲功率(P)的额定值。文章还讨论了不同波形(如正弦波和方波)的TVS降额要求,并指出在实际应用中可能需要串联或并联多个TVS来满足特定需求。
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瞬态电压抑制器上的寄生引线电感和随后的过冲效应应用说明
本文探讨了瞬态电压抑制器(TVS)上的寄生引线电感及其对电压尖峰的后续过冲效应。文章解释了法拉第电磁感应定律,指出当电流通过电感器突然停止时,会在电感器两端产生电压降。文章强调了在保护回路中存在足够的寄生引线电感时,这种现象可能导致TVS在电压尖峰前沿的电压过冲。文章还讨论了如何通过优化保护电路设计来减少过冲,并提供了相关电路图。此外,文章还提到了不同类型TVS引线电感的大小,以及电路板布局对寄生电感的影响。
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商用航空解决方案
Microsemi公司提供广泛的半导体和系统解决方案,专注于商业航空领域。其产品包括智能电源解决方案、FPGA和SoC、功率开关离散和模块、瞬态电压抑制(TVS)二极管、模拟混合信号IC、射频和微波解决方案、以太网交换机、PHYs、软件和以太网供电(PoE)解决方案、内存和存储解决方案、先进封装能力以及安全解决方案。这些产品应用于飞行控制、舱内管理、引擎系统、通信雷达、电力电子系统等领域,旨在提高飞机的性能、可靠性和安全性。Microsemi通过其研发中心和技术服务,为航空航天应用提供定制化的解决方案。
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手持便携式应用解决方案
本文主要介绍了Actel公司针对手持便携式应用的解决方案,包括低功耗FPGA、电池寿命延长、板空间最小化、知识产权保护和集成设计等。文章详细阐述了Actel IGLOO®FPGA在便携式电子设备中的应用优势,如低功耗、小封装、设计安全性和高集成度。此外,还介绍了Actel的存储解决方案、人机界面解决方案、电机控制解决方案以及Libero集成设计环境等。
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以太网和以太网供电(PoE)解决方案
Microsemi公司提供全面的以太网和以太网供电(PoE)解决方案,涵盖交换机、物理层集成电路(PHYs)、软件、IP核和生态系统。其产品支持运营商、企业和工业物联网(IIoT)应用,包括室内和室外PoE中继器/注入器、主时钟和网络时间服务器。Microsemi的优势包括差异化的以太网交换机硅和软件、安全的以太网PHYs、IEEE 1588的领导地位以及广泛的PoE产品组合。此外,公司还提供信号调节器和交叉点开关,适用于多种以太网、SDI、HDMI、PCIe、SAS/SATA和其他标准或专有应用。
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齐纳管和瞬态电压抑制器:两种器件能否用于相同的应用?申请说明
本文探讨了齐纳二极管和瞬态电压抑制器(TVS)在设计和测试方面的差异,并分析了它们在特定应用中是否可以结合使用。文章首先介绍了齐纳二极管和TVS的历史背景,随后详细阐述了它们的设计、热管理和电气测试方面的差异。最后,文章讨论了将齐纳二极管和TVS结合使用的可行性和局限性,并提出了在特定应用中如何优化这两种器件的性能。
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使用散聚DMA控制器的RTG4 FPGA PCIe数据平面演示
本资料介绍了Microsemi公司RTG4 FPGA PCIe数据平面演示,使用Scatter-Gather DMA控制器实现高速数据传输。资料详细描述了设计要求、前提条件、演示设计、设置演示设计、运行设计等步骤,包括硬件设置、编程、连接、驱动程序安装、应用程序安装和运行。此外,还提供了DMA传输流程图、性能计算方法和附录,包括编程设备、运行TCL脚本和演示寄存器及缓冲区描述符的详细信息。
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PolarFire FPGA:利用用户密码处理器实现数据安全
本资料介绍了如何使用Microsemi的PolarFire FPGA中的用户加密处理器(User Cryptoprocessor)实现数据安全。资料详细描述了用户加密处理器的功能、设计要求、硬件和软件实现方法,包括时钟结构、IP核使用、内存映射和软件配置。此外,还提供了如何编程PolarFire设备和SPI闪存的指南,以及如何运行演示和示例项目。
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