POWER MOS 7® IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT40GP60B; APT40GP60S
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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Micro-Hybrid提供NDIR气体检测模组定制，支持高温环境（最高190℃）及多气体类型，满足医疗、工业等场景高精度需求。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G*600V
Rev A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT43F60B2 APT43F60L 600V，45A，0.15Ω（最大值），trr≤270ns n沟道FREDFET
Rev D
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APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V，45A，VCE（开）=1.9V典型超快NPT-IGBT®
Rev B
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APT45GR65B APT45GR65S 650V，45A，VCE（on）=1.9V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT44F80B2 APT44F80L 800V，47A，0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET
Rev D
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APT40GR120B2DU30 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT®
Rev A
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APT44F80B2 N沟道FREDFET
Rev D
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APT40GR120B2SCD10 1200V，40A，VCE（开）=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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APT44GA60B APT44GA60S
Rev D
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aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能
2017/11/15
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| 数据手册 - 英文 |
APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev E
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APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05,17
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| 数据手册 - 英文 |
APT47N60BC3（G）APT47N60SC3（G）600V 47A 0.070Ω
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
MEA执行器电源系统
2017/11/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT4016BVFR APT4016SVFR APT40 16BVFRG*APT40 16SVFRG*400V 27A 0.16Ω
Rev A
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Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®
Rev A
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT42F50B APT42F50S 500V，42A，0.13Ω（最大值），trr，≤260ns n沟道FREDFET
Rev F
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功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范，端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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APT47GA60JD40
Rev C
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APT47F60J 600V，49A，0.09Ω（最大值），trr≤310ns n沟道FREDFET
Rev C
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APT47M60J 600V、49A、0.09Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev E
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APT45M100J 1000V、45A、0.18Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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APT40GT60BR 600V，80A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev D
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APT46GA90JD40
Rev D
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APT40N60JCU3 ISOTOP®降压斩波器超结MOSFET电源模块
Rev 2
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世强AI
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应用/方案
数明半导体 SiLM208x 系列 200V高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片：三相电机驱动的理想之选!
数明半导体推出SiLM208x系列200V高压高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，专为三相电机驱动设计。该系列芯片支持最高200V母线电压，具备高耐压、高速度及完善的安全防护机制，提供多种封装选择，广泛应用于工业电力电子及新能源领域。
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双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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麦思浦 IGBT 模块：高功率应用的理想之选
麦思浦技术创新实力强劲，在超高压 MOSFET 领域成绩斐然，推出多款国内首款超高压产品，并应用于 IGBT 模块，提升产品竞争力。其严格把控质量，建立完善管控体系，产品通过多项国际认证。而且，麦思浦为客户提供从产品选型到应用调试的一站式整体解决方案，降低客户研发成本与风险 。
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AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113，工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器，具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出（低至3V逻辑）兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配，以简化高频应用中的应用。
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上海贝岭基于1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F的800V车载PTC加热器驱动解决方案
针对高压PTC应用，上海贝岭推出1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F。采用第二代微沟槽多层场截止技术，优化了导通压降和开关损耗，实现了更好的输出特性。BLG40T120FDL5合封全电流FRD，减少了电路设计时的元器件数量，提高了整体可靠性。
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华润微BT30T60AKFK等IGBT用于逆变焊机，能大幅提升焊机开关频率，减小焊机尺寸
CRMICRO综合考虑高频焊机的发展趋势，在上一代技术的基础上，优化了应用于焊机领域的IGBT产品，大幅降低了IGBT器件的开关损耗，提升了器件开关速度，客户使用华润微电子的IGBT，在输出同等功率条件下，能大幅提升焊机开关频率，减小焊机尺寸，降低生产成本，提升焊机整体的性价比。
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