RF POWER MOSFETs N -_代理商_研发采购服务

RF POWER MOSFETs N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ARF466FL

发布时间： 2018-07-31

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

ARF466FL

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加工定制

整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。

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应用/方案

APT9403作者：Kenneth Dierberger使用新型aptmosfet的简单、廉价的高效率功率放大器

本文介绍了一种基于APT新型射频功率MOSFET的高效、低成本射频功率放大器。该放大器采用无变压器驱动器、低成本射频功率MOSFET、简单输出变压器和D类操作。放大器和驱动器从+12V和+50V供电，仅需10mW的射频输入，在1.8至13.56MHz的频率范围内产生250W或更高的输出功率。文章详细描述了电路设计、性能测试和通信应用。

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APT9501作者：Kenneth Dierberger Bobby McDonald Lee B.Max A高效400瓦13.56兆赫射频功率放大器在1995年西部射频博览会上展出

本文详细介绍了设计、开发、组装和测试一款低成本、高效率的400瓦13.56MHz射频功率放大器（PA）。该放大器使用100VDC电源，效率达到75%。放大器采用Advanced Power Technology（APT）的低成本射频功率MOSFET，属于新一代高品质、商业HF/VHF硅300V射频功率MOSFET，封装为TO-247塑料封装。文章涵盖了输入网络、输出匹配电路和直流电源网络的理论设计和物理构造。此外，还对RF功率器件的性能、电路拓扑、输入网络、输出变压器设计等方面进行了详细阐述。

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ARF475FL 128兆赫脉冲放大器

本文介绍了ARF475FL高压射频MOSFET的应用，该器件用于设计一个128 MHz脉冲放大器，适用于3T MRI应用。文章详细描述了电路设计，包括输入和输出匹配、偏置设置和散热方案。该设计在增益和峰值功率方面优于使用50V器件的替代设计，电路简单、可重复性好且成本相对较低。

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小尺寸无法兰封装的热可靠性考虑

本文介绍了Microsemi公司Power Products Group（MSC PPG）推出的新型小型无法兰封装的热性能和可靠性。文章通过理论分析和实验结果，证明了这些小型无法兰封装在热性能上优于传统的SOE封装，且在长期可靠性方面也满足应用需求。此外，由于热容量较小，这些封装在爆冲模式下的热响应更快，有助于更快地达到热平衡状态。文章详细讨论了热阻、瞬态热阻抗、热性能在功率循环条件下的表现以及可靠性评估等内容。

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射频功率mosfet的电压驻波比测试

本文探讨了射频功率MOSFET的VSWR测试及其鲁棒性。文章首先介绍了VSWR测试的重要性，指出在实际应用中，放大器可能会遇到非理想负载，因此需要确保设备在所有反射阶段都能承受。接着，文章详细分析了VSWR测试中可能出现的三种故障模式：过电压、过功耗和闩锁效应。文章还介绍了如何通过VSWR测试来评估MOSFET的鲁棒性，并提出了新的测试方法。最后，文章总结了VSWR测试的关键要点，并提供了测试实例。

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低成本1000瓦300伏射频功率放大器27.12MHz

本文介绍了低成本的1000瓦300伏射频功率放大器的设计、开发和性能，适用于27.12MHz频率，由300VDC电源供电。该放大器采用Advanced Power Technology (APT)的低成本射频功率MOSFETs，这些器件是新一代高质量、商业化的HF/VHF高压硅器件，采用TO-247封装。文章涵盖了放大器的理论设计和物理构造，以及射频功率晶体管的技术描述。

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13.56兆赫，D级推挽，2KW射频发生器，带Microsemi DRF1300功率MOSFET混合

本应用笔记详细介绍了使用Microsemi DRF1300功率MOSFET混合芯片设计的一款2KW 13.56MHz射频发生器的过程。该设计采用D类推挽放大器，以优化效率和降低成本。笔记中包含了设计步骤、测量结果、电路描述、测试要求以及性能数据。设计考虑了输出匹配电路的选择、组件选择、散热系统设计、PCB布局和隔离技术。此外，还提供了参考设计、原理图、PCB布局图和元件清单。

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RF-MOSFET功率器件应用注意RF-MOSFET功率器件的低功耗低增益匹配

本文探讨了低成本、低功耗射频MOSFET功率器件的增益匹配方法。文章重点介绍了Vth匹配和低功耗增益测量作为匹配功率器件的方法。此外，文章还描述了一种新颖的低功耗射频增益测量技术，该技术接近高功耗测量，并提供了经验结果。该技术为可靠和高效的高功率并联放大电路提供了优异的增益匹配结果。文章以Microsemi ARF466A/B器件为例，详细说明了低功耗射频增益测量技术及其在生产测试中的应用。

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Microsemi的以太网供电（PoE）中跨注入器帮助客户满足新兴的无线网络需求客户案例研究

Microsemi的PoE中继器助力客户满足不断增长的无线网络需求。Dustin公司帮助其客户在多个校园内部署无线网络，采用Microsemi的6500和9000系列中继器，实现180个位置的无线网络覆盖，显著提高无线性能，同时降低安装和配置时间，使网络基础设施的回报率超过8年。

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Synchronous Ethernet (SyncE) Products 产品介绍

Microsemi公司提供同步以太网（SyncE）产品，包括独立SyncE和结合SyncE与IEEE 1588的解决方案，适用于需要频率同步的包网络。产品符合ITU-T G.8262标准，具有超低抖动特性，适用于核心路由器、边缘路由器、宽带设备和无线回程等应用。产品特点包括低带宽环路滤波器、无中断参考切换、高精度保持准确性等。Microsemi的SyncE产品包括定时卡和线路卡，支持高达100 Gbps的接口，并提供多种频率转换和抖动衰减功能。

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高压，高效率MOSFET射频放大器-设计程序，示例APT0001

本文主要探讨了高压、高效MOSFET射频放大器的设计过程和实例。文章详细介绍了输入电路和输出网络的设计方法，包括匹配、偏置和电路拓扑选择等关键步骤。此外，还讨论了不同工作类别的选择、输出功率和效率的优化，以及系统设计和稳定性问题。文章通过实例说明了设计过程中的关键参数和注意事项，为射频放大器的设计提供了实用指导。

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