Material Composition Declaration MT9M021IA3XTC-DPBR
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MT9M021IA3XTC-DPBR
本物质声明文档详细介绍了MT9M021IA3XTC-DPBR型号元器件的材料成分与合规性信息。该资料作为制造商对元器件物质含量的正式声明，核心内容涵盖了元器件的名称、型号、重量、CAS号以及详细的材料成分表。文档重点阐述了RoHS指令的合规性情况，明确列出了有害物质的含量数据，并提供了供应商的相关认证信息，旨在确保元器件符合环保法规要求，满足电子制造行业对供应链物料透明度及绿色环保的标准。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。针对文中所述器件，平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述MT9M021:1.2 MP 1/3“GS CMOS图像传感器
12/30/2017
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DPBR材料成分声明
2020-04-13
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DPBR材料成分声明
2019-09-11
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MT9M021IA3XTC-DPBR材料成分声明
2019-07-16
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MT9M021IA3XTC-DPBR材料成分声明
2019-03-31
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| 评估板使用说明 - 英文 |
MT9M021IA3XTMH-GEVB MT9M021评估板用户手册
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MT9M021IA3XTMH-GEVB MT9M021评估板用户手册
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MT9M021/MT9M031 1/3英寸CMOS数字图像传感器
Rev. 11
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MT9M021/MT9M031 1/3英寸CMOS数字图像传感器
Rev. 11
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MT9M021/MT9M031 1/3英寸CMOS数字图像传感器
Rev.11
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MT9M021、MT9M031 1/3英寸CMOS数字图像传感器
Rev. 11
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MT9M021/MT9M0311/3英寸CMOS数字图像传感器
Rev. 11
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| 评估板使用说明 - 英文 |
MT9M021IA3XTMZH-GEVB MT9M021评估板用户手册
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MT9M021IA3XTMZH-GEVB MT9M021评估板用户手册
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MT9M021IA3XTMZH-GEVB MT9M021评估板用户手册
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| 数据手册 - 英文 |
MT9M021 CMOS图像传感器，数字，全局快门，1.2 MP，1/3“产品概述
3/29/2019
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| 电路原理图 - 英文 |
AR0132AT6C00XPEAH3-GEVB评估板示意图
1/22/2016
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| 电路原理图 - 英文 |
AR0132AT6C00XPEAH3-S215-GEVB评估板示意图
1/22/2016
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| 数据手册 - 英文 |
MT9M021、MT9M031、MT9M021/MT9M031 1/3英寸CMOS数字图像传感器
Rev. 10
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DPBR1材料成分声明
2020-04-13
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DPBR1材料成分声明
2020-01-25
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DPBR1材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DPBR1材料成分声明
2019-03-31
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| 评估板使用说明 - 英文 |
MT9M021IA3xTMH-GEVB评估板用户手册
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| 电路原理图 - 英文 |
AR0132AT6B00XPEAH3-GEVB评估板示意图
1/22/2016
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MT9M021IA3XTC-DPBR1
2018-01-18
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| 评估板使用说明 - 英文 |
MT9M021IA3xTMZH-GEVB评估板用户手册
Rev. 0
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AR0132AT6G00XPEAH3-GEVB评估板示意图
1/22/2016
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AR0132AT6M00XPEAH3-GEVB评估板示意图
1/22/2016
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| 电路原理图 - 英文 |
AR0130CSSM00SPCAH-S213A-GEVB评估板示意图
1/22/2016
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| 数据手册 - 英文 |
MT9M021：CMOS图像传感器，数字，全局快门，1.2 MP，1/3
5/20/2021
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MT9M021A3XTC-DRBR
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DRBR材料成分声明
2020-04-13
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DRBR材料成分声明
2020-02-09
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DRBR材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTC-DRBR材料成分声明
2019-03-31
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MT9M021IA3XTM-DRBR1材料成分声明
2020-04-13
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| 测试报告 - 英文 |
MT9M021IA3XTM-DRBR1材料成分声明
2019-07-16
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MT9M021IA3XTM-DRBR1材料成分声明
2019-03-31
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材料成分声明MTM0213xTM
2018-01-18
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材料成分声明1.2 MP 1/3 GS CIS
2017-12-18
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材料成分声明1.2 MP 1/3 GS CIS
2017-12-18
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材料成分声明1.2 MP 1/3 GS CIS
2017-12-18
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MT9M021IA3XTM-DPBR材料成分声明
2020-04-13
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MT9M021IA3XTM-DPBR材料成分声明
2019-07-16
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MT9M021IA3XTM-DPBR材料成分声明
2019-03-31
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MT9M021IA3XTMZ-DRBR材料成分声明
2020-04-13
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世强AI
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应用/方案
MT9M021IA3XTMH-GEVB：MT9M021评估板用户手册
本资料为ON Semiconductor的MT9M021图像传感器评估板用户手册。评估板旨在展示MT9M021图像传感器的功能，可直接插入Demo 2X系统。板上的测试点和跳线提供对时钟、I/O和其他信号的访问。主要特点包括时钟输入、两线串行接口、并行接口，且符合ROHS标准。手册详细介绍了评估板的概述、功能、电路图、跳线位置、接口连接以及使用注意事项。
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MT9M021IA3XTMZH-GEVB：MT9M021评估板用户手册
本手册介绍了ON Semiconductor的MT9M021图像传感器评估板。该评估板旨在展示MT9M021的功能，可直接插入Demo 2X系统。板上提供测试点和跳线，用于访问时钟、I/O和其他信号。主要特点包括时钟输入、两线串行接口、并行接口，且符合ROHS标准。手册详细描述了评估板的布局、跳线功能、与Demo 2X底板的接口以及使用注意事项。
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产品概述MT9M021:1.2 MP 1/3“GS CMOS图像传感器
ON Semiconductor推出MT9M021系列1.2MP 1/3英寸全球快门CMOS图像传感器，具备优异的低光性能和高速图像捕捉能力。该传感器采用3.75微米像素，支持RGB和单色输出，提供HiSPi™和并行接口，适用于多种应用场景。
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