Material Composition Declaration NLVHCT244ADTR2G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NLVHCT244ADTR2G
本物料清单与合规性声明详细介绍了NLVHCT244ADTR2G器件的物质构成及制造参数。资料内容涵盖了制造商对产品中物质的详细声明，重点阐述了在RoHS指令限制下的物质含量情况，并提供了具体的物质描述及重量分布数据。此外，该文件还包含了产品的制造信息、温度等级以及回流焊循环次数等关键技术参数，为用户进行合规性审查及工艺设计提供了权威依据。基于该资料所涉器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，确保产品来源可靠。平台支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A八通道3态同相缓冲器/线路驱动器/线路接收器，带LSTTL兼容输入
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHCT244ADTR2G材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHCT244ADTR2G材料成分声明
2019-05-12
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A：八进制三态非反转缓冲器/线路驱动器/线路接收器，TTL电平
1/18/2018
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A：八进制三态非反转缓冲器/线路驱动器/线路接收器，TTL电平
12/1/2017
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| 测试报告 - 英文 |
物质成分声明八进制三态不可逆
2017-12-26
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A 8通道3态同相缓冲器/线路驱动器/线路接收器，带LSTTL兼容输入：高性能硅栅CMOS
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A八路三态同相缓冲器/线路驱动器/线路接收器
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A：具有LSTTL兼容输入的8通道3态同相缓冲器/线路驱动器/线路接收器
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A具有LSTTL兼容输入的8路3态同相缓冲器/线路驱动器/线路接收器
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A具有LSTTL兼容输入的8路3态同相缓冲器/线路驱动器/线路接收器
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A八进制3态非反转缓冲器/线路驱动器/线路接收产品概述
3/31/2019
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT244A八进制3态同相缓冲/线路驱动器/线路接收器，带LSTL兼容输入高性能硅栅CMOS
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
EFC3C001NUZ用于1-2芯锂离子电池保护的双N沟道功率MOSFET产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
GBPC1208W材料成分声明
2019-09-02
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