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Material Composition Declaration NVMFS6B14NLWFT1G
发布时间: 2018-07-31
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NVMFS6B14NLWFT1G
本物质声明文件详细介绍了Onsemi型号NVMFS6B14NLWFT1G的材料构成及合规性信息。该文件由制造商提供,旨在明确元器件的物理属性与环保标准,详细列出了产品中所包含的铜、硅、银、铅、锡、铁、磷等多种关键材料。同时,资料明确声明该产品符合欧盟RoHS指令要求,并附带了制造商联系方式、具体产品信息、制造地点及重量等详细参数,为用户进行物料审核与合规性验证提供了权威依据。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
NVMFS6B14NL:100V、55A、13mΩ单通道N沟道功率MOSFET
2/21/2020
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材料成分声明
2017-12-04
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3/28/2019
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NVMFS6B14NLWFT1G材料成分声明
2019-07-14
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测试报告 - 英文
NVMFS6B14NLWFT1G材料成分声明
2019-03-30
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产品概述NVMFS6B14NL:功率MOSFET 100 V,55 A,13 mΩ,单N沟道
12/28/2017
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数据手册 - 英文
NVMFS6B14NL功率MOSFET 100 V,13 m ,55 A,单N-沟道
Rev. 3
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测试报告 - 英文
材料成分声明NVMFS6B14NLWFT3G
2018-01-16
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NVMFS6B14NLWFT3G材料成分声明
2019-07-14
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2019-03-30
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材料成分声明T5 100V LL S08FL
2017-12-04
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材料成分声明T5 100V LL S08FL
2017-12-04
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NVMFS6B14NLT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS6B14NLT3G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明NVMFS6B14NLT1G
2018-01-16
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材料成分声明NVMFS6B14NLT3G
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BC857CW 45 V,100 mA,PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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2019-08-10
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FSBF10CH60BTL材料成分声明
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NSR0140P2T5H材料成分声明
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74LCXR2245MTC材料成分声明
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MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
产品概述NVMFS6B14NL:功率MOSFET 100 V,55 A,13 mΩ,单N沟道
NVMFS6B14NL是一款100V、55A、13mΩ的单通道MOSFET,适用于紧凑高效的设计,具有高热性能。该产品具有小尺寸(5x6mm)和低导通电阻,适用于汽车应用,符合AEC-Q101标准,并具备PPAP能力。主要特点包括低导通电阻、低QG和电容,以及可选的湿边选项以增强光学检查。该产品适用于高/低侧驱动器、H桥、开关电源、功率开关、电磁阀驱动器、电机控制以及负载开关等应用。
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NCV890430MW33GEVB型
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