Material Composition Declaration NVMFS5C426NAFT1G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C426NAFT1G
本材料成分声明文件详细介绍了NVMFS5C426NAFT1G器件的物质构成与技术参数。该资料明确列出了产品制造过程中所使用的铜、硅、银、铅、锡等关键材料，并着重声明产品完全符合欧盟RoHS指令的相关环保要求。此外，文件还提供了产品的核心技术规格，包括最高工作温度及回流焊循环次数等关键指标，为用户在元器件选型与焊接工艺设计提供了可靠的数据参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFS5C426N：功率MOSFET 40V，235A，1.3mohm，单N沟道
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-D3F 40V NFET
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C426N单N沟道功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C426NAFT1G材料成分声明
2020-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C426NAFT1G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C426NAFT1G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C426N MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C426N MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 5
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NVMFS5C426N功率MOSFET 40 V，1.3 m ，235 A，单N-沟道
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 1.3 mOhms SL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 1.3 mOhms SL
2017-12-04
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NVMFS5C426N MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 5
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NVMFS5C426N功率MOSFET
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明40V 1.1 mohm T8 S08FL单
2017-12-04
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材料成分声明40V 1.1 mohm T8 S08FL单
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C426NL MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 1
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NVMFS5C426NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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NVMFS5C426NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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材料成分声明NVMFS5C426NT1G
2018-01-16
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NVMFS5C426NT1G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C426NT1G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C426NL功率MOSFET
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C426NT3G
2018-01-16
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NVMFS5C426NL产品预览功率MOSFET 40 V，1.2 mΩ，228 A，单N-沟道
Rev. P0
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C426NT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C426NT3G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C426NL单N沟道功率MOSFET 40 V产品概述
5/12/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C426NLT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C426NLT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C682NL MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 3
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NVMFS5C682NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 3
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NVMFS5C682NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 3
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NVMFS5C646NL功率MOSFET
Rev. 6
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NVMFS5C646NL功率MOSFET
Rev. 6
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NVMFS5C646NL功率MOSFET
Rev. 6
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NVMFS5C426NAFT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C426NAFT3G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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技术论坛
扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。
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直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料
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应用/方案
产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。
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产品概述NVMFS5C426N：功率MOSFET 40V，235A，1.3mohm，单N沟道
NVMFS5C426N是一款40V、235A、1.3mΩ的单通道功率MOSFET，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。该产品具有小尺寸（5x6mm）和低RDS(on)，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，并支持PPAP。产品特点包括紧凑外形、低导通损耗、低驱动损耗、湿边选项等。应用领域包括反向电池保护、开关电源、功率开关、电磁阀驱动、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B14N：功率MOSFET 100V，55A，15mohm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B14N是一款100V、55A、15mΩ的单通道MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、可湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用领域包括高-低侧驱动器、H桥、开关电源、继电器驱动器、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B03N：功率MOSFET 100V，145A，4.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B03N是一款100V、145A、4.8mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用于高-低侧驱动器、功率开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制等领域。
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产品概述NVMFS5885NL：功率MOSFET 60V，39A，15 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5885NL是一款60V、39A、15mΩ的单通道功率MOSFET，封装为SO8-FL，适用于逻辑电平。该产品适用于汽车应用，具有AEC-Q101认证，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。产品特点包括小封装尺寸、低导通电阻，适用于电机控制等应用。
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产品概述NVMFS5C645NL：功率MOSFET 60V，100A，4 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5C645NL是一款60V、100A、4 mOhm的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能，并提供湿边选项以增强光学检查。该MOSFET符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，适用于汽车应用。其主要特点包括低RDS(on)、低QG和栅极电容，以及紧凑的设计和标准尺寸，适用于直接替换。该产品适用于多种应用，如反向电池保护、开关电源、电机控制等。
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