Material Composition Declaration NVMFS5C426NAFT3G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C426NAFT3G
本资料为一份关于元器件的成分声明，详细列出了制造商针对特定物品所含物质的合规性说明。该声明重点阐述了在RoHS指令限制下的物质含量情况，明确涵盖了铅、汞、镉等关键有害物质的限制标准，并提供了供应商的认证信息以确保合规性。此外，文件还深入披露了详细的材料成分构成、重量分布数据以及制造地点等关键信息，为用户进行产品环保合规性审查及供应链管理提供了全面的数据支撑。基于该资料所涉器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFS5C426N：功率MOSFET 40V，235A，1.3mohm，单N沟道
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C426NAFT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C426NAFT3G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C426N单N沟道功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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NVMFS5C426N MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 5
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NVMFS5C426N MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 5
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材料成分声明T6-40V N 1.3 mOhms SL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 1.3 mOhms SL
2017-12-04
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NVMFS5C426N功率MOSFET 40 V，1.3 m ，235 A，单N-沟道
Rev. 1
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NVMFS5C426N MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 5
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材料成分声明40V 1.1 mohm T8 S08FL单
2017-12-04
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材料成分声明40V 1.1 mohm T8 S08FL单
2017-12-04
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NVMFS5C426N功率MOSFET
Rev. 3
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材料成分声明NVMFS5C426NT1G
2018-01-16
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NVMFS5C426NL MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 1
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NVMFS5C426NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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NVMFS5C426NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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NVMFS5C426NT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C426NT1G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明T6-D3F 40V NFET
2017-12-04
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NVMFS5C426NL功率MOSFET
Rev. 0
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NVMFS5C426NAFT1G材料成分声明
2020-01-26
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NVMFS5C426NAFT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C426NAFT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C426NL产品预览功率MOSFET 40 V，1.2 mΩ，228 A，单N-沟道
Rev. P0
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C426NLT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C426NLT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C426NL单N沟道功率MOSFET 40 V产品概述
5/12/2019
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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材料成分声明NVMFS5C426NT3G
2018-01-16
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NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C426NT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C426NT3G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C682NL MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 3
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技术论坛
扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。
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直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料
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应用/方案
产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。
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产品概述NVMFS5C426N：功率MOSFET 40V，235A，1.3mohm，单N沟道
NVMFS5C426N是一款40V、235A、1.3mΩ的单通道功率MOSFET，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。该产品具有小尺寸（5x6mm）和低RDS(on)，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，并支持PPAP。产品特点包括紧凑外形、低导通损耗、低驱动损耗、湿边选项等。应用领域包括反向电池保护、开关电源、功率开关、电磁阀驱动、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B14N：功率MOSFET 100V，55A，15mohm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B14N是一款100V、55A、15mΩ的单通道MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、可湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用领域包括高-低侧驱动器、H桥、开关电源、继电器驱动器、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B03N：功率MOSFET 100V，145A，4.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B03N是一款100V、145A、4.8mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用于高-低侧驱动器、功率开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制等领域。
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产品概述NVMFS4C01N：功率MOSFET 30V，319A，0.9 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS4C01N是一款30V、319A、0.9mΩ的单通道逻辑电平MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有以下特点：小尺寸（5x6mm）以实现紧凑设计，低RDS(on)以减少导通损耗，低QG和电容以减少驱动损耗。产品符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，适用于汽车应用。主要应用包括反向电池保护、HID和LED照明、DC-DC转换器输出驱动和信息系统电源。
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产品概述NVMFS6B14NL：功率MOSFET 100 V，55 A，13 mΩ，单N沟道
NVMFS6B14NL是一款100V、55A、13mΩ的单通道MOSFET，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。该产品具有小尺寸（5x6mm）和低导通电阻，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。主要特点包括低导通电阻、低QG和电容，以及可选的湿边选项以增强光学检查。该产品适用于高/低侧驱动器、H桥、开关电源、功率开关、电磁阀驱动器、电机控制以及负载开关等应用。
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