Material Composition Declaration NVMFS5C450NAFT1G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C450NAFT1G
本资料为关于NVMFS5C450NAFT1G型号的物料成分声明文件，详细阐述了该产品在RoHS指令下的限制物质含量情况。文件核心内容涵盖了产品中各类材料成分的具体构成及含量数据，并提供了包括型号、重量、温度等在内的详细产品参数。此外，该文件还包含了制造商的联系方式、供应商对产品合规性的正式声明以及相关的认证信息，旨在确保产品符合环保法规要求，为用户提供可靠的质量与合规性依据。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。文中所述产品在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台专职FAE团队可提供选型、设计验证及调试等技术支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFS5C450N：功率MOSFET 40V，102A，3.3 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C450NAFT1G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C450NAFT1G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C450N单N沟道功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C450N功率MOSFET 40 V，3.3 m ，102 A，单N-沟道
− Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-D3F 40V NFET
2017-12-04
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NVMFS5C450N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C450N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 3.3 mOhms SL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 3.3 mOhms SL
2017-12-04
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NVMFS5C450NT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NT1G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C450N MOSFET-功率，单N沟道\n
Rev. 2
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NVMFS5C450NL功率MOSFET 40 V，2.8 mW，110 A，单N-沟道
Rev. 3
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材料成分声明NVMFS5C450NLT3G
2018-01-16
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NVMFS5C450NL功率MOSFET
Rev. 4
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NVMFS5C450NL功率MOSFET
Rev. 4
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NVMFS5C450NL功率MOSFET
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 2.8 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 2.8 mOhms LL
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 2.8 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 2.8 mOhms LL
2017-12-04
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NVMFS5C450NLT3G材料成分声明
2020-01-31
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C450NLT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NLT3G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C450NAFT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NAFT3G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C450NL：单通道N沟道功率MOSFET 40V、110A、2.8mΩ\n
2/9/2020
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C450NLT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NLT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C450NL：功率MOSFET 40V，110A，2.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
12/28/2017
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材料成分声明NVMFS5C450NT3G
2018-01-16
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产品概述NVMFS5C450NL：功率MOSFET 40V，110A，2.8 mOhm，单N沟道，
1/20/2018
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C673NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 2
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NVMFS5C450NT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C450NT3G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C682NL MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 3
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NVMFS5C682NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 3
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NVMFS5C682NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 3
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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NVMFS5826NL功率MOSFET
Rev. 3
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技术论坛
扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。
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直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料
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应用/方案
产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。
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产品概述NVMFS5C450N：功率MOSFET 40V，102A，3.3 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS5C450N是一款40V、102A、3.3mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用包括电池保护、开关电源、功率开关、电磁阀驱动、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B14N：功率MOSFET 100V，55A，15mohm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B14N是一款100V、55A、15mΩ的单通道MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、可湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用领域包括高-低侧驱动器、H桥、开关电源、继电器驱动器、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B03N：功率MOSFET 100V，145A，4.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B03N是一款100V、145A、4.8mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用于高-低侧驱动器、功率开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制等领域。
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产品概述NVMFS6B14NL：功率MOSFET 100 V，55 A，13 mΩ，单N沟道
NVMFS6B14NL是一款100V、55A、13mΩ的单通道MOSFET，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。该产品具有小尺寸（5x6mm）和低导通电阻，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。主要特点包括低导通电阻、低QG和电容，以及可选的湿边选项以增强光学检查。该产品适用于高/低侧驱动器、H桥、开关电源、功率开关、电磁阀驱动器、电机控制以及负载开关等应用。
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产品概述NVMFS5885NL：功率MOSFET 60V，39A，15 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5885NL是一款60V、39A、15mΩ的单通道功率MOSFET，封装为SO8-FL，适用于逻辑电平。该产品适用于汽车应用，具有AEC-Q101认证，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。产品特点包括小封装尺寸、低导通电阻，适用于电机控制等应用。
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