品牌LOGO
Material Composition Declaration NCP694DSANADJT1G
发布时间: 2018-07-31
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NCP694DSANADJT1G
本资料为关于NCP694DSANADJT1G型号的物质成分声明文件,详细阐述了该产品在RoHS指令下的合规性情况。内容涵盖了产品中限制物质的含量数据、具体的材料成分及其分布情况,并精确列出了各成分的CAS号、含量数值及计量单位。此外,该声明还提供了供应商的联系方式及相关认证信息,旨在满足环保法规要求并确保供应链的透明度。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。针对文中所述器件,平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
数据手册 - 英文
产品概述NCP694:线性电压调节器,VLDO,1.0 A
12/30/2017
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSANADJT1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSANADJT1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSANADJT1G材料成分声明
2019-05-13
下载
数据手册 - 英文
NCP694线性稳压器产品概述
5/12/2019
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694DSANADJT1G
2017-12-05
下载
数据手册 - 英文
NCP694 1A CMOS低压差稳压器
Rev. 2
下载
数据手册 - 英文
NCP694 1A CMOS低压差稳压器
Rev. 2
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明NCP694HSAN08T1G
2018-01-18
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明NCP694H08HT1G
2018-01-18
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSAN08T1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSAN08T1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSAN08T1G材料成分声明
2019-05-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSAN33T1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSAN33T1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSAN33T1G材料成分声明
2019-05-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694H08HT1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694H08HT1G材料成分声明
2020-02-10
下载
测试报告 - 英文
NCP694H08HT1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694H08HT1G材料成分声明
2019-05-13
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694HSAN33T1G
2017-12-05
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694HSAN08T1G
2017-12-05
下载
测试报告 - 英文
NCP694H25HT1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694H25HT1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694H25HT1G材料成分声明
2019-05-13
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明NCP694H25HT1G
2018-01-18
下载
测试报告 - 英文
NCP694H10HT1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694H10HT1G材料成分声明
2020-01-26
下载
测试报告 - 英文
NCP694H10HT1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694H10HT1G材料成分声明
2019-05-13
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694HSANADJT1G
2017-12-05
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明NCP694HSAN33T1G
2018-01-18
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694H08HT1G
2017-12-05
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694H25HT1G
2017-12-05
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694DSAN33T1G
2017-12-05
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSAN33T1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSAN33T1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSAN33T1G材料成分声明
2019-05-13
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694H10HT1G
2017-12-05
下载
测试报告 - 英文
材料成分声明1A CMOS B/S LDO NCP694H33HT1G
2017-12-05
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSANADJT1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSANADJT1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694HSANADJT1G材料成分声明
2019-05-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSAN08T1G材料成分声明
2020-4-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSAN08T1G材料成分声明
2019-07-21
下载
测试报告 - 英文
NCP694DSAN08T1G材料成分声明
2019-05-13
下载
测试报告 - 英文
NCP694H33HT1G材料成分声明
2020-4-13
下载
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
产品概述NCP694:线性电压调节器,VLDO,1.0 A
NCP694是一款低 dropout (LDO) 线性电压调节器,输出电流可达1A,适用于输出电压低于1.2V的应用。它具有出色的负载调节、低静态电流和低 dropout 性能。该器件支持待机模式,以降低功耗。NCP694提供固定电压和可调电压选项,封装形式包括HSON6和SOT89。适用于电池供电设备、FPGA或MCU的低电压轨生成等应用。
阅读原文 >>
NCV890430MW33GEVB型
阅读原文 >>
NCV890430MW25GEVB型
阅读原文 >>
平台客服
扫码关注
关注世强硬创
解锁服务进度实时跟踪和专属客服特权
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面