Material Composition Declaration NVMFD5C466NWFT1G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFD5C466NWFT1G
本物质声明文件详细介绍了NVMFD5C466NWFT1G型号产品的材料构成与合规性信息。该资料作为制造商发布的权威技术文档，不仅明确列出了产品的具体名称与型号，还深入阐述了其内部使用的各类材料成分及含量比例。在关键合规性方面，文件重点声明该产品完全符合RoHS指令要求，确保了电子电气设备中限制物质的管控标准。此外，文档还涵盖了供应商的认证资质以及产品制造过程中的关键参数，为用户进行供应链审核、环保评估及质量控制提供了详实的数据支撑。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFD5C466N MOSFET–功率，双N沟道
Rev. 1
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NVMFD5C466N MOSFET–功率，双N沟道
Rev. 1
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NVMFD5C466N MOSFET–功率，双N沟道
Rev. 1
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NVMFD5C466NWFT1G材料成分声明
2019-08-16
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| 技术文档 - 英文 |
NVMFD5C466N功率MOSFET 40 V，8.1 mΩ，49 A，双N-沟道
Rev. 1
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材料成分声明40V 8.1 mohm T8 S08FL Dual
2018-01-20
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材料成分声明NVMFD5C466NT1G
2018-01-21
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材料成分声明NVMFD5C466NT1G
2018-01-20
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NVMFD5C466N双N沟道功率MOSFET产品概述
8/16/2019
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NVMFD5C466NT1G材料成分声明
2019-08-16
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NVMFD5C466N：功率MOSFET 40V，46A，8.1MΩ，双N沟道，逻辑电平
1/18/2018
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NVMFD5C466N MOSFET–功率、双通道
Rev. 1
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NVMFD5C466NLT3G材料成分声明
2020-4-13
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NVMFD5C466NLT3G材料成分声明
2019-07-17
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NVMFD5C466NLT3G材料成分声明
2019-03-31
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产品概述NVMFD5C466N：功率MOSFET 40 V，46 A，8.1 mΩ，双N通道，逻辑电平
1/16/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFD5C466NLT3G
2018-01-15
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材料成分声明NVMFD5C466NLT3G
2018-01-14
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NVMFD5C466NL：双通道N沟道功率MOSFET 40V、52a、7.4MΩ产品概述
5/23/2021
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NVMFD5C466NL MOSFET–功率，双通道N沟道，40 V，7.4 mW，52 a
Rev. 4
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NVMFD5C466NLT1G材料成分声明
2020-4-13
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NVMFD5C466NLT1G材料成分声明
2019-07-17
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NVMFD5C466NLT1G材料成分声明
2019-03-31
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NVMFD5C466NL MOSFET-功率，双N沟道
Rev. 5
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NVMFD5C466NL MOSFET–功率，双N沟道
Rev. 4
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NVMFD5C466NL MOSFET–功率，双N沟道
Rev. 4
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NVMFD5C466NL MOSFET–功率，双N沟道
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NVMFD5C466NL MOSFET–功率，双N沟道
Rev. 4
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NVMFD5C466NL MOSFET–功率，双N沟道
Rev. 4
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NVMFD5C466NL MOSFET-电源，双N沟道40 V，7.4 mΩ，52 A
Rev. 4
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材料成分声明NVMFD5C466NLT1G
2018-01-15
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材料成分声明NVMFD5C466NLT1G
2018-01-14
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NVMFD5C466NL：双通道N沟道功率MOSFET 40V、52a、7.4MΩ
5/20/2021
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NVMFD5C466NL MOSFET–功率，双通道40 V，7.4 mW，52 a
Rev. 4
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NVMFD5C466NLWFT3G材料成分声明
2020-4-13
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NVMFD5C466NLWFT3G材料成分声明
2019-07-17
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NVMFD5C466NLWFT3G材料成分声明
2019-03-31
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材料成分声明NVMFD5C466NLWFT3G
2018-01-15
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材料成分声明NVMFD5C466NLWFT3G
2018-01-14
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NVMFD5C466NL：功率MOSFET 40V，52A，7.4mohm，双N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
12/19/2017
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NVMFD5C466NL：功率MOSFET 40V，52A，7.4mohm，双N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
12/15/2017
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NVMFD5C466NLWFT1G材料成分声明
2020-4-13
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NVMFD5C466NLWFT1G材料成分声明
2019-07-17
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NVMFD5C466NLWFT1G材料成分声明
2019-03-31
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NVMFD5C466NL双N沟道功率MOSFET 40V、52A、7.4mΩ产品概述
3/29/2019
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材料成分声明NVMFD5C466NLWFT1G
2018-01-15
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材料成分声明NVMFD5C466NLWFT1G
2018-01-14
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应用/方案
Xilinx Zynq®UltraScale+MPSoC汽车电源传输解决方案应用说明
本文档旨在提供针对Xilinx Zynq UltraScale+ MPSoC的汽车级电源解决方案。该文档详细介绍了Xilinx Automotive XA Zynq UltraScale+ MPSoC系列产品的特点，包括其AEC-Q100认证和ISO 26262 ASIL C级认证。文档提出了多种电源架构，以适应不同设计的需求，并平衡PCB面积、BOM成本、功率效率和可扩展性。此外，还讨论了功能安全考虑因素，包括电源域和时序，以及如何通过适当的监控和控制功能实现ASIL C和ASIL D级别的功能安全。文档还提供了两个应用示例，并详细说明了所需的电源轨和电流。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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