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Material Composition Declaration NCV59800BMWADJTBG
发布时间: 2018-07-31
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NCV59800BMWADJTBG
本资料为关于NCV59800BMWADJTBG型号的物质成分声明文件,详细阐述了该产品在RoHS指令下的限制物质含量情况。文件内容涵盖了产品中各类材料的详细成分与具体含量,并提供了制造地点、重量等关键制造信息。此外,该声明还包含了供应商对产品合规性的正式承诺及相关认证信息,旨在确保器件符合环保法规要求。针对文中所述器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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NCV59800 LDO稳压器-低噪声、RF 1 a数据手册
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NCV59800BMWADJTBG材料成分声明
2020-04-12
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NCV59800BMWADJTBG材料成分声明
2019-07-15
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NCV59800BMWADJTBG材料成分声明
2019-03-30
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产品概述NCV59800:CMOS线性稳压器,带使能,1A
12/29/2017
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材料成分声明1低噪声,RF LDO Vreg湿侧翼
2017-12-04
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NCV59800 LDO稳压器-低噪声,RF
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NCV59800 LDO稳压器-低噪声,RF 1 A
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NCV59800 LDO稳压器-低噪声,RF 1 a
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材料成分声明NCV59800BMNADJTBG
2018-01-17
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NCV59800:CMOS线性稳压器与使能,1A产品概述
3/28/2019
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NCV59800BMNADJTBG材料成分声明
2020-04-12
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NCV59800BMNADJTBG材料成分声明
2020-02-09
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NCV59800BMNADJTBG材料成分声明
2019-07-15
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NCV59800BMNADJTBG材料成分声明
2019-03-30
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NCV59800 1 A低噪声射频LDO调压器
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材料成分声明1低噪声,射频LDO Vreg非湿侧翼
2017-12-04
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NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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2019-08-10
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2019-08-10
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2019-08-10
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NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
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NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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8/10/2019
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BC857CW 45 V,100 mA,PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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FSBF10CH60BTL材料成分声明
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NSR0140P2T5H材料成分声明
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74LCXR2245MTC材料成分声明
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SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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DTA114EET1材料成分声明
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ESD7351XV2T1G材料成分声明
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SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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2019-08-10
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NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
产品概述NCV59800:CMOS线性稳压器,带使能,1A
NCV59800是一款1A低 dropout线性稳压器(LDO),具有高电源纹波抑制(PSRR)和超低输出噪声。该系列LDO采用先进的BiCMOS工艺,实现优异的电气性能,适用于电信设备中的噪声敏感模拟RF前端。特点包括:2.2V至5.5V的输入电压范围,低静态电流,非常低的 dropout和噪声,可调软启动,±2.5%的精度,热关断和电流限制保护,适用于电信基础设施、汽车信息娱乐系统、网络设备等。
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NCV890430MW33GEVB型
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