Material Composition Declaration NVMFS5C456NLAFT3G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C456NLAFT3G
本物质声明文件详细介绍了NVMFS5C456NLAFT3G器件的材料构成与技术特性。文件明确列出了产品内部所含的铜、硅、银、铅、锡等关键材料，并声明该产品完全符合欧盟RoHS指令的环保要求。此外，资料还提供了产品的核心规格参数，涵盖最高工作温度及回流焊循环次数等指标，为用户在选型与设计验证阶段提供了可靠的数据支持。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL：功率MOSFET 40V，87A，3.7 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/24/2018
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL：功率MOSFET 40V，87A，3.7 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/23/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6 40V N通道LL in u8FL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6 40V N通道LL in u8FL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLAFT3G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 3.7 mOhms LL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 3.7 mOhms LL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 3.7 mOhms LL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 3.7 mOhms LL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL功率MOSFET40 V，3.7 mW，87 A，单N-通道
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLT3G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFS5C456N：功率MOSFET 40V，78A，4.5 mOhm，单N沟道
1/16/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLT1G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456N：功率MOSFET 40V，78A，4.5mohm，单N沟道
1/18/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLT3G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456N MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456N MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、4.5 MΩ、80 a
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFT3G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456N产品预览功率MOSFET 40 V，4.5 mΩ，78 A，单N-沟道
Rev. P0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLAFT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFAFT3G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFAFT3G
2018-01-20
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| 数据手册 - 英文 |
汽车产品选型指南
Rev. 22
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLAFT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLWFAFT3G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLWFT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLWFT3G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFAFT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFAFT1G
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLWFAFT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NT1G材料成分声明
2019-09-06
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明40V 4.5 mohm T6 S08FL单
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明40V 4.5 mohm T6 S08FL单
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NWFT1G材料成分声明
2019-09-06
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NWFT1G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NTSV30H100ECT 30A，100V，极低正向电压沟槽式肖特基整流器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
KAE-08151 2856（H）x 2856（V）行间传输EMCCD图像传感器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCP4894音频功率放大器，1.8瓦，可选择关闭
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G126、MC74VHC1GT126同相三态缓冲器
Rev. 23
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| 包装规格/规范 - 英文 |
磁带和卷盘包装标准
Rev. 31
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| 数据手册 - 英文 |
APM16系列FAM65CR51XZ1、FAM65CR51XZ2升压转换器级，用于多相和半桥PFC
Rev. 2
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世强AI
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