Material Composition Declaration NVMFS5C456NLWFAFT1G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C456NLWFAFT1G
本资料为关于元器件物质声明的技术文件，详细阐述了制造商Onsemi提供的NVMFS5C456NLWFAFT1G器件的材料成分与环境合规性。文件核心内容在于明确列出了该元器件所包含的各种物质及其具体含量，并正式声明该产品符合欧盟RoHS指令的相关要求。此外，文档还涵盖了制造商联系方式、产品详细信息、材料成分声明以及环境合规性声明等关键数据，旨在为用户提供完整的产品物质透明度及合规性证明，满足电子行业对环保材料的严格要求。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFAFT1G
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLWFAFT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL：功率MOSFET 40V，87A，3.7 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/24/2018
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL：功率MOSFET 40V，87A，3.7 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/23/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 3.7 mOhms LL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 3.7 mOhms LL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 3.7 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 3.7 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明NVMFS5C456NLWFT3G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C456NL功率MOSFET40 V，3.7 mW，87 A，单N-通道
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLWFAFT3G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFAFT3G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLWFAFT3G
2018-01-20
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| 数据手册 - 英文 |
汽车产品选型指南
Rev. 22
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLWFT3G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLWFT1G材料成分声明
2019-08-13
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材料成分声明NVMFS5C456NLWFT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLT3G
2018-01-21
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NVMFS5C456NLT3G材料成分声明
2019-08-13
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材料成分声明T6 40V N通道LL in u8FL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6 40V N通道LL in u8FL
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C456NLAFT3G材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLAFT3G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C456NLAFT1G
2018-01-21
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NVMFS5C456NLAFT1G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
ATP304 MOSFET–功率，P沟道-60 V，6.5 mΩ，-100 A数据手册
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
BSS123 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管数据表
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
NCV51705单通道6 A高速、低端SiC MOSFET驱动器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
FSCQ0765RT/FSCQ0965RT/FSCQ1265RT/fscq1565RT绿色模式Fairchild电源开关（FPS）
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
FPF2595 IntelliMAX™28 V过压、过流保护负载开关，带可调限流控制数据表
Rev. 2
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NCP51563 5 kV-RMS、4.5 A/9 A隔离式双通道栅极驱动器数据手册
Rev. P2
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| 数据手册 - 英文 |
用于自由运行准谐振操作的NCP1338 PWM电流模式控制器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NCS7101，NCV7101 1.8伏轨对轨运算放大器
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
NCV5705B、NCD5705B高电流IGBT栅极驱动器
Rev. 3
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mbrm120lt1g，nrvbm120lt1g，mbrm120lt3g，nrvbm120lt3g 1.0 A，20 V表面贴装肖特基功率整流器
Rev. 7
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FDB035N10A MOSFET–N沟道，PowerTrench®
Rev. 3
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AFGY100T65SPD场截止沟槽式IGBT，带软快速恢复二极管，100 A，650 v
Rev. 0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
产品概述NIMD6001A：带诊断输出的双N沟道MOSFET驱动器
NIMD6001A是一款双通道MOSFET驱动器，具备诊断输出功能。该产品具有3A的低边开关，集成公共禁用输入和漏极诊断输出。禁用引脚低电平时，将覆盖任何施加的栅极电压并关闭两个FET开关。若漏源电压超过约50V，诊断/反馈引脚将输出逻辑1。内部隔离二极管允许多个设备的禁用和诊断/反馈引脚以有线或配置相互连接，无需额外组件。主要特点包括低RDSON、低开关损耗、雪崩能量规格、电感负载额定、栅极驱动禁用输入、控制灵活性、漏源电压诊断反馈输出、关断验证、电气隔离漏极、低串扰、内部电阻限制峰值瞬态栅极电流、较低的驱动电流以及AEC-Q101认证，适用于汽车应用。
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产品概述NUP2201：瞬态电压抑制器，低电容，用于高速数据线
NUP2201MR6T1是一款低电容瞬态电压抑制器，专为高速通信线路设计，用于保护设备免受ESD、EFT和雷击的影响。其主要特点包括低电容（I/O线间最大3pF）、符合人体模型3B级（超过8kV）和机器模型C级（超过400V）的ESD额定值，以及针对IEC标准的保护。该产品适用于高速通信线路保护、数字视频接口（DVI）、USB 1.1和2.0电源和数据线路保护以及显示器和平板显示器。
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产品概述CAT5171：数字电位器（POT），256抽头，I2C兼容
CAT5171是一款256位置的线性梯形数字电位器，适用于替代机械电位器和可变电阻。它通过I2C兼容的数字接口控制滑动端设置。该设备在电源开启时滑动端位于中点，可在电源稳定后重新定位。CAT5171可在2.7V至5.5V的电压下工作，功耗低于2µA，适用于电池供电的便携式应用。该产品具有256位置、端到端电阻为50kΩ或100kΩ、I2C兼容接口、低功耗、宽工作温度范围（-40°C至+85°C）等特点，适用于电位器替代、工业设备、传感器调整、射频放大器偏置、增益控制和偏移调整等应用。
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产品概述FAN4800AU：功率因数控制器（PFC）CCM+PWM控制器，线路下垂保护
FAN4800AU是一款集成的功率因数控制器（PFC）CCM+PWM控制器，专为包含升压PFC和PWM的电源设计。它具有多种保护功能和补偿能力，外部组件需求极少。该产品支持电流模式或电压模式PWM操作，适用于桌面电脑、LCD电视和显示器等应用。FAN4800AU与ML4800、FAN4800、CM6800和CM6800A兼容，具有低功耗、创新开关电荷倍增器、平均电流模式输入电流整形、PFC过压和欠压保护等特点。
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产品概述FSCQ1265RT:140瓦离线反激变换器650V集成电源开关
FSCQ1265RT是一款650V集成功率开关，适用于140Watt离线反激式转换器。该产品采用准谐振转换器（QRC）技术，相比传统硬开关转换器，具有更低的EMI和更高的功率转换效率，适用于对噪声敏感的应用，如彩色电视和音频设备。FSCQ系列产品集成了PWM控制器和SenseFET，专为低外部元件的准谐振离线开关模式电源设计。该PWM控制器具备固定频率振荡器、欠压锁定、前沿消隐、优化栅极驱动器、内部软启动、温度补偿精确电流源和自保护电路等功能。与分立MOSFET和PWM控制器解决方案相比，FSCQ系列可降低总成本、组件数量、尺寸和重量，同时提高效率、生产力和系统可靠性。该产品提供了一种经济高效的准谐振开关反激式转换器设计平台。主要特点包括优化准谐振转换器、低于1W待机功耗的先进脉冲模式操作、脉冲电流限制、过载保护、过压保护、异常过流保护和内部热关断等。
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具有电压和电流限制的离线临界传导开关电源应用笔记
本文介绍了ON Semiconductor的两种关键控制IC，MC33364和MC33341，用于设计高效、低EMI的离线开关电源和电池充电器。MC33364作为主控IC，支持宽输入电压范围，全栅极驱动，频率钳位和初级侧控制。MC33341作为次级控制器，提供精确的电压参考和电流限制。文章还讨论了传统阻塞振荡器和经典次级侧控制方法的局限性，并提供了设计实例和变压器设计指南。
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产品概述NCP1082：集成PoE PD和DC-DC转换器控制器，13 W，带辅助电源支持
NCP1082是一款集成的PoE-PD和DC-DC转换器控制器，支持13W功率输出，并具备辅助电源支持功能。该产品由ON Semiconductor推出，旨在满足对以太网应用的高要求。NCP1082集成了符合IEEE 802.3af规范的增强型PoE-PD接口和灵活可配置的DC-DC转换器控制器。它支持从非PoE到PoE网络的平滑过渡，同时还能从辅助电源（如AC适配器和电池）获取电力，无需第二个开关电源。NCP1082采用独特的制造工艺和设计改进，可提供高达13W的稳定功率，适用于VoIP电话、无线局域网接入点、安全摄像头、销售点终端、RFID读取器、工业以太网设备等多种产品。该控制器支持隔离和非隔离的flyback、forward和buck转换器拓扑，具备可编程开关频率、高达80%的占空比、斜率补偿和软启动等功能。
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