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Product Overview FJA4210: PNP Epitaxial Silicon Transistor
发布时间: 2018-07-31
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
FJA4210.FJA4210OTU
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产品概述FJA4210:PNP外延硅晶体管
12/26/2017
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材料成分声明FJA4210OTU
2018-01-22
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材料成分声明FJA4210OTU
2018-01-16
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BC860:PNP外延硅晶体管
2/1/2018
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BC856:PNP外延硅晶体管
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BC858:PNP外延硅晶体管
2/1/2018
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BC857:PNP外延硅晶体管
2/1/2018
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BC859:PNP外延硅晶体管
2/1/2018
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12/27/2017
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产品概述FJV992:PNP外延硅晶体管
1/19/2018
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FJX1182:PNP外延硅晶体管产品概述
8/11/2019
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KSA992 PNP外延硅晶体管
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MJE350 PNP外延硅晶体管
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KSA916 PNP外延硅晶体管
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KSA916 PNP外延硅晶体管
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KSB596 PNP外延硅晶体管
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KSB546 PNP外延硅晶体管
Rev.A
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产品概述KSA916:PNP外延硅晶体管
12/27/2017
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产品概述KSA916:PNP外延硅晶体管
1/19/2018
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BC857 PNP外延硅晶体管产品概述
8/10/2019
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2N6520 PNP外延硅晶体管
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BSR16 PNP外延硅晶体管
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产品概述KSA992:PNP外延硅晶体管
12/27/2017
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1/19/2018
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MJE170:PNP外延硅晶体管产品概述
8/11/2019
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BC859 PNP外延硅晶体管产品概述
8/10/2019
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8/16/2019
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KSB1151 PNP外延硅晶体管
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KSA928A PNP外延硅晶体管
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MJD32/MJD32C PNP外延硅晶体管
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应用/方案
FJN4305R:带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
FJN4305R是一款PNP型外延硅晶体管,内置偏置电阻。该产品具有100mA的输出电流能力,内置偏置电阻(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ),适用于多种通用应用。产品规格包括无铅、活性状态、PNP极性、-0.1A的连续电流、-50V的CEO最小击穿电压、30的最小hFE、4.7KΩ的R1和10KΩ的R2等。封装类型为TO-92-3 LF。
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fjv413r:带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
FJV4113R是一款PNP型外延硅晶体管,内置偏置电阻,适用于多种应用。该产品具有100mA的输出电流能力,内置偏置电阻(R1=2.2KΩ,R2=47KΩ)。产品符合无铅要求,采用SOT-23-3封装。
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FJN4309R:带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
FJN4309R是一款PNP型外延硅晶体管,内置偏置电阻,适用于多种应用。该产品具有100mA的输出电流能力,内置4.7KΩ的偏置电阻,可减少组件数量并简化电路设计。产品符合无铅标准,适用于TO-92-3 LF封装。
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FJN4301R:带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
FJN4301R是一款PNP型外延硅晶体管,内置偏置电阻,适用于多种应用。该产品具有100mA的输出电流能力,内置偏置电阻(R1=4.7K,R2=4.7K),适用于通用电路设计,可减少元件数量,降低成本。产品规格包括Pb-free、Polarity PNP、IC连续电流(A)-0.1、V(BR)CEO Min(V)-50、hFE Min 20等。封装类型为TO-92-3 LF。
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FJV4104R:带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
FJV4104R是一款PNP型外延硅晶体管,内置偏置电阻,适用于多种应用。该产品具有100mA的输出电流能力,内置的偏置电阻(R1=47KΩ,R2=47KΩ)可减少组件数量并简化电路设计。产品符合无铅和无卤素标准,适用于一般用途。
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BD234/236/238 PNP外延硅晶体管
本资料主要介绍了ON Semiconductor(安森美半导体)的产品信息,包括BD234/236/238系列中功率线性及开关晶体管的应用、绝对最大额定值、电气特性、典型特性、封装尺寸等。同时,资料还提到了产品状态定义、商标声明、免责声明、生命支持政策等内容。
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FJN4303R:带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
FJN4303R是一款PNP型外延硅晶体管,内置偏置电阻,适用于多种应用。该产品具有100mA的输出电流能力,内置的偏置电阻(R1=22KΩ,R2=22KΩ)可减少元件数量并简化电路设计。产品符合无铅标准,状态为活跃,封装类型为TO-92-3 LF。
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FJN4302R:带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
FJN4302R是一款PNP型外延硅晶体管,内置偏置电阻,适用于多种通用应用。该产品具有100mA的输出电流能力,内置的偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ)可减少组件数量并简化电路设计。产品符合无铅要求,封装类型为TO-92-3 LF。
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FJV4102R:带偏置电阻的PNP外延硅晶体管
FJV4102R是一款PNP型外延硅晶体管,内置偏置电阻,适用于多种应用。该产品具有100mA的输出电流能力,内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ)。产品符合无铅和无卤素标准,适用于一般用途,适用于多种不同的应用场景。
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2SA1962:PNP外延硅晶体管
2SA1962是一款PNP型外延硅晶体管,具有高电流能力、高功耗、高频率和高电压等特点。适用于通用电源放大器和高保真音频输出放大器。该产品具有宽安全工作区,良好的增益线性度,低总谐波失真,并可与2SC5242/FJA4313配合使用。提供热和电气Spice模型,适用于多种不同应用。
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