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Material Composition Declaration NVMFS5C460NLWFAFT3G
发布时间: 2018-07-31
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NVMFS5C460NLWFAFT3G
本资料为关于元器件的环保物质声明,详细列出了制造商针对特定型号元器件所含物质的信息。声明内容涵盖了RoHS指令下的限制物质含量数据,并明确阐述了制造商对产品符合性的保证。此外,该文件还包含了供应商的联系方式、详细的产品规格、材料成分构成及重量等关键数据,旨在为用户提供全面且准确的合规性参考。基于该资料所涉器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
NVMFS5C460NL MOSFET-功率,单N沟道\n
Rev. 7
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NVMFS5C460NL MOSFET-功率,单N沟道\n
Rev. 6
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测试报告 - 英文
材料成分声明NVMFS5C460NLWFAFT3G
2018-01-20
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NVMFS5C460NLWFAFT3G材料成分声明
2019-08-31
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率,单N沟道
Rev. 6
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率,单N沟道
Rev. 6
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率,单N沟道
Rev. 6
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NVMFS5C460NLWFT3G材料成分声明
2019-08-31
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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NVMFS5C460NL功率MOSFET 40 V,4.5 mW,78 A,单N-沟道
Rev. 5
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NVMFS5C460NLWFT1G材料成分声明
2019-08-31
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NVMFS5C460NL 40 V、4.5 mΩ、78 A MOSFET–功率、单通道N沟道\n
Rev. 6
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材料成分声明NVMFS5C460NLWFT3G
2018-01-21
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、4.5 MΩ、78 a
Rev. 6
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材料成分声明NVMFS5C460NLWFT1G
2018-01-21
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NVMFS5C460NL:单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
5/21/2021
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NVMFS5C460NL:单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
5/20/2021
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NVMFS5C460NL:单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
2/27/2020
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NVMFS5C460NLWFAFT1G材料成分声明
2019-08-31
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NVMFS5C460NL:功率MOSFET 40V,78A,4.5欧姆,单N沟道,SO8-FL,逻辑电平。
1/24/2018
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NVMFS5C460NL:功率MOSFET 40V,78A,4.5欧姆,单N沟道,SO8-FL,逻辑电平。
1/23/2018
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材料成分声明NVMFS5C460NLWFAFT1G
2018-01-21
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材料成分声明
2018-01-20
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数据手册 - 英文
NCV881930低静态电流410 kHz汽车同步降压控制器
Rev. 3
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NCV881930低静态电流410 kHz汽车同步降压控制器
Rev. 0
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NVMFS5C460NLT3G材料成分声明
2019-10-28
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NVMFS5C460NLT3G材料成分声明
2019-08-31
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NVMFS5C460NLT1G材料成分声明
2019-08-31
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汽车产品选型指南
Rev. 22
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材料成分声明NVMFS5C460NLT3G
2018-01-21
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NVMFS5C460NLAFT1G材料成分声明
2019-08-31
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材料成分声明NVMFS5C460NLAFT1G
2018-01-21
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材料成分声明NVMFS5C460NLT1G
2018-01-21
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NVMFS5C460NLAFT3G材料成分声明
2019-08-31
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材料成分声明NVMFS5C460NLAFT3G
2018-01-21
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SO8FL中T6 40V N通道LL的材料成分声明
2018-01-20
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SO8FL中T6 40V N通道LL的材料成分声明
2018-01-20
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数据手册 - 英文
NL37WZ17三同相施密特触发器缓冲器
Rev. 12
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KAI-11002 4008(高)x 2672(V)线间CCD图像传感器
Rev. 5
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应用/方案
NCV881930/NCV891930-混合电容技术滤波应用说明
本文介绍了混合技术陶瓷和铝聚合物(或固态铝电解质)电容器在输出滤波中的应用。针对高输出电流应用,文中提出了一种混合技术解决方案,以降低成本并减少PCB面积。文章详细讨论了NCV881930和NCV891930汽车同步降压控制器,并提供了推荐的电感值、电流检测电阻和输出滤波组件。此外,还提供了混合电容器技术的推荐值,并分析了不同电容器ESR值对输出电压瞬态响应的影响。
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NCV881930 100 W汽车预调节器,非隔离,同步降压,基于参考设计
本资料介绍了基于NCV881930同步降压控制器和NVMFS5C460NL 40V N通道MOSFET的100W非隔离式同步降压汽车预调节器。该参考设计适用于多种应用,突出了NCV881930控制器的功能,包括集成补偿、低静态电流、连续同步模式、宽输入范围、过流保护、外部同步、自适应非重叠驱动、集成频谱展宽和欠压锁定。设计为完整解决方案,并提供关键特性细节。
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100W汽车预调节器,非隔离,同步降压,基于NCV881930的参考设计
本资料介绍了基于NCV881930同步降压控制器和四通道NVMFS5C460NL 40V N沟道MOSFET的100W非隔离式同步降压汽车预调节器的设计。该设计适用于多种汽车应用,并突出了NCV881930控制器的功能,包括集成补偿、低静态电流、连续同步模式、宽输入范围、过流保护、外部同步、自适应非重叠驱动、集成频谱展宽和欠压锁定。设计为完整的解决方案,但同时也提供了访问NCV881930的关键功能。
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NCP电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案,涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定,提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。产品线包括AC-DC电源、DC-DC电源、功率因数校正器等,并提供参考设计和设计笔记,助力设计师快速提升系统效率。
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AN-4151 采用FSFR 系列飞兆电源开关(FPS™) 的半桥LLC 谐振变换器的设计
本文介绍了采用FSFR系列飞兆电源开关(FPS™)的半桥LLC谐振变换器的设计。文章首先阐述了谐振开关技术在降低开关损耗和噪声方面的优势,接着详细解释了LLC谐振转换器的工作原理、变压器与谐振网络的设计、元器件的选型,并给出了设计实例。文章还讨论了LLC谐振转换器的工作模式、可达最大增益、FSFR系列产品的特征以及设计步骤。
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产品概述CAT24C05:4-kb I2C串行EEPROM存储器
CAT24C05是一款4kb的I2C串行EEPROM存储器,内部组织为32页,每页16字节,总共512x8位。支持标准(100kHz)和快速(400kHz)I2C协议。数据写入时,通过提供起始地址,将1到16个连续字节加载到页写缓冲区,然后在一个内部写入周期内将所有数据写入非易失性存储器。数据读取时,提供起始地址,然后串行移出数据,同时自动增加内部地址计数。通过将WP引脚置高,可以禁止对内存上半部分的写操作。外部地址引脚使得在同一总线上可以寻址多达四个CAT24C05设备。特点包括支持标准和快速I2C协议、1.8V至5.5V供电电压范围、16字节页写缓冲区、内存上半部分的硬件写保护、I2C总线输入(SCL和SDA)上的施密特触发器和噪声抑制滤波器、低功耗CMOS技术、100万次编程/擦除周期、工业温度范围、100年数据保留。这些设备无铅、无卤素/无BFR,符合RoHS标准。适用于报警系统、音频播放器、汽车系统、电缆调制解调器、CDRW等应用。
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网络和电信解决方案电源管理,保护,定时和通信基础设施的控制解决方案,从半导体。
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产品概述AX8052F143:射频微控制器,超低功耗
AX8052F143是一款超低功耗的射频微控制器,适用于物联网的多种标准应用。该器件在868 MHz和1.2 kbps下的灵敏度达到-126 dBm,电流消耗仅为9.5 mA。其特点包括低相位噪声和高效率的16 dBm发射器,数据速率范围从0.1到125 kbps。频率范围27 MHz至1050 MHz,适用于自动抄表和安全等领域。AX8052F143微控制器核心执行8052指令集,系统时钟可编程,核心可提供20 MIPS的处理速度。该器件还具备双通道DMA引擎、AES加密引擎、通用定时器、SPI接口、ADC和比较器等外围设备。
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