Material Composition Declaration NVMFS5C468NLAFT1G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C468NLAFT1G
本资料详细介绍了NVMFS5C468NLAFT1G产品的物质成分声明，涵盖了材料成分、RoHS合规性声明及环境信息等关键内容。文中不仅详细列出了产品中各成分的具体名称、CAS号及含量数据，还明确声明该产品符合RoHS指令要求，为用户在环保合规及供应链管理方面提供了权威依据。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，确保原厂授权与正品保障。基于该资料，用户可通过平台获取专职FAE团队在选型、设计验证及调试方面的技术支持。此外，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468NL单N沟道功率MOSFET产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SO8F中T6 40V N通道LL的材料成分声明
2018-01-20
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NCV8x1930系列低静态电流汽车同步降压控制器评估板用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468NL：功率MOSFET 40V，37A，10.3mohm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/24/2018
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468NL：功率MOSFET 40V，37A，10.3mohm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/23/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLAFT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLT1G
2018-01-21
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| 电路原理图 - 英文 |
VCSEL驱动器NCL30105G1EVB原理图
Rev 01
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468NL MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLT3G材料成分声明
2018-01-20
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468NL功率MOSFET 40 V，10.3 mW，37 A，单N通道
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLT3G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T6-40V N 10.3 mOhms LL
2018-01-20
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N：单通道N沟道功率MOSFET 40V、35a、12MΩ
5/21/2021
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLT1G材料成分声明
2019-08-16
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N MOSFET–电源，单N沟道40 V，12 mΩ，35 A
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N MOSFET–电源，单N沟道40 V，12 mΩ，35 A
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLAFT3G
2018-01-21
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFS5C468N：功率MOSFET 40V，34A，12 mOhm，单N沟道
1/18/2018
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFS5C468N：功率MOSFET 40V，34A，12 mOhm，单N沟道
1/16/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLAFT3G T6 40V N通道LL in SO8FL材料成分声明
2019-08-11
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N MOSFET-功率，单N沟道
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
SO8FL中T6 40V N通道LL的材料成分声明
2018-01-20
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N MOSFET-功率、单通道N沟道40 V、12 MΩ、35 a
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFAFT3G材料成分声明
2019-08-11
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLWFT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLWFT1G
2018-01-20
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLWFT3G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLWFT3G
2018-01-20
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N产品预览功率MOSFET 40 V，12 mΩ，34 A，单N通道
Rev. P0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLWFAFT3G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLWFAFT3G
2018-01-20
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS5C468N功率、单通道N沟道MOSFET
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NCV891930低静态电流2 MHz汽车同步降压控制器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NCV891930低静态电流2 MHz汽车同步降压控制器
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLWFAFT1G
2018-01-21
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NLWFAFT1G
2018-01-20
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| 数据手册 - 英文 |
汽车产品选型指南
Rev. 22
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFAFT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS5C468NT1G
2018-01-21
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
NCV881930/NCV891930-混合电容技术滤波应用说明
本文介绍了混合技术陶瓷和铝聚合物（或固态铝电解质）电容器在输出滤波中的应用。针对高输出电流应用，文中提出了一种混合技术解决方案，以降低成本并减少PCB面积。文章详细讨论了NCV881930和NCV891930汽车同步降压控制器，并提供了推荐的电感值、电流检测电阻和输出滤波组件。此外，还提供了混合电容器技术的推荐值，并分析了不同电容器ESR值对输出电压瞬态响应的影响。
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Xilinx Zynq®UltraScale+MPSoC汽车电源传输解决方案应用说明
本文档旨在提供针对Xilinx Zynq UltraScale+ MPSoC的汽车级电源解决方案。该文档详细介绍了Xilinx Automotive XA Zynq UltraScale+ MPSoC系列产品的特点，包括其AEC-Q100认证和ISO 26262 ASIL C级认证。文档提出了多种电源架构，以适应不同设计的需求，并平衡PCB面积、BOM成本、功率效率和可扩展性。此外，还讨论了功能安全考虑因素，包括电源域和时序，以及如何通过适当的监控和控制功能实现ASIL C和ASIL D级别的功能安全。文档还提供了两个应用示例，并详细说明了所需的电源轨和电流。
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