How To Control and Reap the Benefits of HID Lamps
发布时间：
2018-07-31
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
IRS2573D; IRFP22N60K
该技术资料详细阐述了高亮度放电灯（HID）的工作原理、控制方法及电子镇流器的设计方案。文中重点解析了金属卤化物灯的内部构造与运行特性，涵盖了从启动、预热到稳定运行全过程中的电压、电流及功率变化规律。在电路设计方面，资料深入探讨了电子镇流器的关键架构，包括降压阶段、全桥输出阶段以及点火电路的具体实现，并说明了如何利用控制IC对灯的电流、电压和功率进行精确调控。此外，文章还分析了HID灯在户外照明等领域的应用优势，为相关照明系统的开发提供了理论依据与技术参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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至SUPER-27AA（SUPER-27AA）至SUPER-27AA（SUPER-27AA-274）
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至SUPER-27AA（SUPER-27AA）至SUPER-27AA（SUPER-27AA-274）
VER.37
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快速控制对于高强度
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双模降压和全桥IC控制放大器
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09/14/07
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在电机驱动和UPS系统的PWM逆变器中使用HEXFET III
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04/16/08
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红外MOSFET™ IRFP7718PbF HEFET®功率MOSFET
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October 30, 2012
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IRFP4127PbF HEXFET®功率MOSFET
March 09, 2015
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红外焦平面3006PBF
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08/18/10
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IRFP2907ZPbF HEXFET®功率MOSFET
02/10/11
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应用/方案
使用IRS2573D的用于70W灯的IRPLHID2A HID镇流器
本资料介绍了IRPLHID2A参考设计套件，用于70W HID灯的驱动。该设计包含EMI滤波器、低压电源、主动功率因数校正和IRS2573D HID灯镇流器控制电路。资料详细描述了电路原理、功能描述、故障条件、尺寸设计、PCB布局考虑因素和物料清单。IRS2573D是一款集成的HID控制IC，提供点火、预热、运行和故障操作模式的控制，并具备先进的保护功能。
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应用说明AN-1005功率MOSFET雪崩设计指南
本文详细介绍了IR HEXFET Power MOSFET的雪崩模式及其设计指南。文章首先定义了雪崩模式，并分析了其在工业应用中的发生情况，如反激转换器和汽车燃油喷射线圈。接着，文章讨论了雪崩失效模式、功率MOSFET器件物理特性以及坚固MOSFET的设计和评级。此外，文章还详细介绍了雪崩测试的细节，包括单脉冲未钳位电感开关和去耦VDD电压源测试电路。最后，文章对比了不同的雪崩评级方法，包括热极限方法、统计方法和无评级，并强调了理解不同供应商的雪崩评级条件的重要性。
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梅鲁斯™ D级音频解决方案更凉爽、更小、更轻的扩音器，适用于音质卓越的音频产品
Infineon的MERUS™系列D类音频解决方案提供高效、紧凑的音频放大器，适用于便携式、家用和专业音频设备。这些解决方案包括集成多级音频放大器IC、多芯片模块（MCM）和离散音频放大器驱动IC，旨在提高音频性能、降低功耗并简化设计。MERUS™产品利用专利架构、专有算法和先进制造技术，提供卓越的音频体验和可靠性。
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MOSFET失效模式在零电压开关全桥开关电源中的应用
本文探讨了在零电压切换（ZVS）全桥转换器应用中MOSFET的失效模式。文章分析了ZVS拓扑中MOSFET的失效原因，包括体二极管的反向恢复问题和高负载下的硬开关问题。针对这些问题，文章提出了新的MOSFET技术，具有快速反向恢复时间、低导通电阻和良好的dv/dt鲁棒性，适用于高频、高功率的ZVS应用。
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用模拟估算MOSFET结温在电路中的应用
本文探讨了使用仿真技术来估算电路应用中MOSFET结温的方法。内容涵盖了电热仿真的定义、仿真工具和方法，以及估算晶圆温度的方法。文章详细介绍了如何创建准动态MOSFET模型，并举例说明了在实际应用中如何使用该模型来预测结温。此外，还讨论了基于方程的热阻抗曲线和基于模拟器的MOSFET结温估算方法，以及使用仿真进行结温估算时的假设和局限性。
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基于SABER的汽车设备与系统组合仿真
本文探讨了在汽车应用中使用SABER模型对功率MOSFET进行仿真和优化的方法。研究验证了SABER模型在半桥电路中的准确性，并通过与实际测量结果对比，分析了开关损耗和热响应。此外，文章还探讨了杂散电感对开关特性的影响，并展示了三相逆变器系统中的仿真结果。研究结果表明，SABER模型能够有效预测功率MOSFET在不同汽车应用中的性能和热响应。
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