资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT80SM120J 1200V, 56A, 40mΩ
Rev.B
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT80SM120B 1200V，80A，40MΩ
Rev.B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC015SMA070B4碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC080SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET产品介绍
Revision ATI
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC035SMA070B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC015SMA070B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC035SMA070S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC040SMA120B碳化硅n沟道功率MOSFET
April 2019
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC080SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC080SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET
RevisionA
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC035SMA070B碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC035SMA170S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC035SMA070B4碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC040SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC035SMA170B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC750SMA170B碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC035SMA170B4碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC025SMA120J碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC080SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC025SMA120S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC750SMA170S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC025SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC040SMA120S碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC280SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET数据表
Revision ATI
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC360SMA120B碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC060SMA070S Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Revision ATI
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT70SM70B初级700V，58A，75MΩ
Rev.E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT40SM120B初级1200V，41A，80MΩ
Rev.C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT40SM120S
Rev A
|
下载 |
| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
Libero SoC V12.5 SP1编程和调试工具发行说明
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
振荡器，晶体控制，1型（晶体振荡器（XO）），1.0兆赫至60.0兆赫，密封，方波，TTL性能规范表
24 February 2005
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
Microsemi S600 SyncServer、S650 SyncServer原产地证书
20 March 2018
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
S80 SyncServer原产地证书
22 March 2018
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
18T-RTAX2000S-CQ352-DCWA41总电离剂量试验报告
rev 0
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
18T-RTAX2000S-CQ352-DAHWT1总电离剂量试验报告
February 8, 2018
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
阅读原文 >>
【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，连续漏极电流的最大额定值为5A
中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，采用TO-247-3封装，具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时，其漏源电压的最大额定值为1700V（VGS=0V，ID=100μA）。
阅读原文 >>
【产品】美浦森推出漏源电压达1200V的碳化硅功率MOSFET，具有N沟道增强模式
美浦森推出的碳化硅功率MOSFET，有MSH080120M1和MSK080120M1两个型号，具有N沟道增强模式，具有动态特性，包括输入电容、输出电容和反向传输电容。系统效率较高，易于并联且易于驱动，无卤素，符合RoHS。
阅读原文 >>
【产品】750V/105A N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4013DE，耗散功率为312W
SCT4013DE是ROHM近来新推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压750V，连续漏极电流105A，静态漏源导通电阻典型值低至13mΩ，耗散功率为312W。该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点。
阅读原文 >>
【产品】国产1700V、5A的N通道增强型碳化硅功率MOSFET CL1M01K170D
CL1M01K170D是长联推出的一款1700V/5A/1Ω N沟道增强型碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压和低导通电阻等特性，简化冷却要求和较高系统可靠性等优势，可以应用于开关模式电源中，是电子电气工程师在相关应用的不二选择。
阅读原文 >>
【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D
Wolfspeed的N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C3M0075120D，在整个工作温度范围内最低工作电压为1200V，具有低反向恢复电荷（Qrr）的快速本征二极管。
阅读原文 >>
【产品】漏源电压650V的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A020065K，导通电阻典型值20mΩ
中电国基南方推出WM2A020065K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流为92A，RDS(on)的典型值为20mΩ。用于电动汽车充电，服务器电源，太阳能光伏逆变器，UPS等领域。
阅读原文 >>
【产品】开关速度快的车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DW7HR，符合RoHS标准
SCT4026DW7HR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为91A。
阅读原文 >>
RT PolarFire®FPGA编程用户指南
本资料详细介绍了RT PolarFire® FPGA的编程方法和流程。资料涵盖了编程接口、编程模式、位流生成、系统控制器挂起模式、编程时间、编程模式（JTAG、SPI从、SPI主）以及飞行中重编程等内容。资料还提供了编程文件大小、错误代码、修订历史等信息，旨在帮助用户了解和掌握RT PolarFire® FPGA的编程技术。
阅读原文 >>
用于安全关键应用的PolarFire FPGA应用笔记
本资料介绍了Microsemi公司PolarFire FPGA在安全关键应用中的特性。内容包括：FPGA配置单元的可靠性、单事件效应免疫性、配置单元的“即时启动”和“单芯片”特性、嵌入式块RAM的错误检测和纠正能力、内置自检机制、未使用硬IP块的钝化和监控等。此外，还涉及DO-254和IEC 61508标准的相关内容。
阅读原文 >>
SmartFusion2 SoC和iGLOO2 FPGA系统控制器用户指南
本资料为Microsemi公司关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA系统控制器的用户指南。内容涵盖系统控制器功能描述、子系统与接口介绍、系统服务功能及使用方法等。资料详细阐述了系统控制器的架构、工作原理以及如何利用系统服务进行设备编程和系统服务请求处理。
阅读原文 >>
PolarFire FPGA板设计用户指南
本资料为Microsemi公司发布的PolarFire FPGA板级设计用户指南，旨在为熟悉PolarFire设备、具备数字板级设计经验和了解系统电气特性的读者提供指导。指南涵盖了电源、高速接口、控制接口以及PolarFire FPGA的关联外围组件。内容涉及电源供应、去耦电容、用户I/O、时钟、复位、设备编程、收发器、AC和DC耦合、掉电检测等方面，并提供了设计检查表和布局设计实践指南。
阅读原文 >>
【产品】650V N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M030065D，具有高阻断电压，低导通电阻特性
长联（CLTC）推出采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET CL1M030065D，漏源电压VDS为650V，TC=25℃ 时，漏极连续电流ID为70A。
阅读原文 >>
【产品】1200V N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C2M0040120D，采用了C2MTM MOSFET技术
Wolfspeed的第二代N沟道增强型碳化硅功率MOSFET C2M0040120D采用了C2MTM MOSFET技术。阻断电压为1200V，RDS（on）（25℃时）为40mΩ，采用TO-247-3封装。
阅读原文 >>
