APT43GA90BD30 APT43GA90SD30
发布时间:
2018-07-31
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT43GA90BD30; APT43GA90SD30; APT43GA90BD_SD30
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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| 数据手册 - 英文 |
APT43GA90B APT43GA90S
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT41M80B2 APT41M80L 800V、43A、0.21Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT43F60B2 APT43F60L 600V,45A,0.15Ω(最大值),trr≤270ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT48M80B2 APT48M80L 800V、49A、0.19Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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APT44F80B2 N沟道FREDFET
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
APT45GR65BSCD10 APT45GR65SSCD10 650V,45A,VCE(开)=1.9V典型超快NPT-IGBT®
Rev B
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APT44F80B2 APT44F80L 800V,47A,0.21Ω最大trr≤370ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT47N65BC3 APT47N65SC3 650V 47A 0.070Ω超结MOSFET
Rev C
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APT40GR120B2DU30 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-带超软恢复二极管的IGBT®
Rev A
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APT45GR65B APT45GR65S 650V,45A,VCE(on)=1.9V(典型值)超快速NPT-IGBT®
Rev B
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APT40GR120B2SCD10 1200V,40A,VCE(开)=2.5V典型超快NPT-IGBT®
Rev A
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APT44GA60B APT44GA60S
Rev D
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aptb981高频、甚高频低成本高压射频功率mosfet的性能
2017/11/15
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| 数据手册 - 英文 |
APT43M60B2 APT43M60L 600V、45A、0.15Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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APT40GP60B2DQ2 APT40GP60B2DQ2G*600V
Rev A
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT47N60BC3(G)APT47N60SC3(G)600V 47A 0.070Ω
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05,17
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| 数据手册 - 英文 |
400V 23A 0.20Ω APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. POWER MOS V®
Rev A
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MEA执行器电源系统
2017/11/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT4016BVFR APT4016SVFR APT40 16BVFRG*APT40 16SVFRG*400V 27A 0.16Ω
Rev A
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功率MOS 7®IGBT APT40GP60B APT40GP60S 600V
Rev.D
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APT44GA60BD30C APT44GA60SD30C
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT42F50B APT42F50S 500V,42A,0.13Ω(最大值),trr,≤260ns n沟道FREDFET
Rev F
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APT44GA60BD30 APT44GA60SD30
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOS 7®IGBT 900V APT40GP90B2DQ2 APT40GP90B2DQ2G*
Rev.A
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功率MOS V®APT4014BVFR APT4014SVFR 400V 28A 0.140Ω
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G表示符合RoHS规范,端子表面无铅。功率MOS 7®IGBT
Rev A
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APT47F60J 600V,49A,0.09Ω(最大值),trr≤310ns n沟道FREDFET
Rev C
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APT47GA60JD40
Rev C
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APT47M60J 600V、49A、0.09Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev E
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APT40GT60BR 600V,80A,VCE(ON)=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev D
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APT46GA90JD40
Rev D
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APT45M100J 1000V、45A、0.18Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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APT40N60JCU2 ISOTOP®升压斩波器超结MOSFET功率模块
Rev 2
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APT40N60JCU3 ISOTOP®降压斩波器超结MOSFET电源模块
Rev 2
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超快NPT-IGBT®,带超软恢复二极管aPT45GR65B2DU30 650v,45a,vCE(on)=1.9v(典型值)
Rev.A
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功率MOS 7®IGBT APT40GP90J 900V
Rev.A
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计,旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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【产品】集电极标称电流高达75A的沟槽弱穿通型IGBT的MG6308WZ,集电极-发射极电压为650V
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH、PFC等应用领域,设计厂商可以选择Rohm公司旗下的MG6308WZ,作为一款沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管IGBT,其集电极-发射极电压为650V,集电极电流达75A(标称),具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关切换等优势。在每一片晶圆上,最多可加工512 pcs芯片。
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【产品】集电极-发射电压650V、集电极电流标称值20A的沟槽弱穿通型IGBT MG6306WZ
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC等应用领域,设计厂商可以选择使用Rohm公司旗下的绝缘栅双极型晶体管IGBT MG6306WZ,该IGBT是一款沟槽弱穿通型(LPT)器件,具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关性能等优势。在一片晶圆上,最多可以加工1546 pcs器件。
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