APT30SCD120B APT30SCD120S
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT30SCD120B; APT30SCD120S
加工定制
可定制2512KL、2512KT、2512KB、2512KH、2482L系列；粘度：3000~20万；硬度：30~40A；表干时间：5~15min；固化速度：2.4mm/24H；粘接强度：1.2~1.7Mpa；
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可定制导热胶的导热系数1~6W、粘度范围3000~250000cps、固化方式可加热、仅室温、可UV；施胶方式：点胶机、手工、喷胶、转印；支持颜色、硬度、固化时间等参数的个性化定制。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT34F60B APT34F60S 600V，36A，0.19Ω最大trr≤250ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品，工艺变更通知编号：PPS105130C32
Rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
MEA执行器电源系统
2017/11/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT37F50B APT37F50S 500V，37A，0.15Ω（最大值），trr，≤250ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev F
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev H
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev A
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT30GN60B APT30GN60S APT30 GN60B（G）APT30 GN60S（G）600V
Rev B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT30GN60BDQ2APT30GN60SDQ2APT30 GN60BDQ2（G）APT30 GN60SDQ2（G）600V
Rev B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT38F80B2 APT38F80L 800V，41A，0.24Ω（最大值），trr≤300ns n沟道FREDFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT36GA60B APT36GA60S
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT35GN120B APT35GN120S APT35 GN120BG APT35 GN120SG 1200V
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT38N60BC6 APT38N60SC6
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT30N60BC6 APT30N60SC6
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT36GA60BD15 APT36GA60SD15
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT34M60B APT34M60S 600V、36A、0.19Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT37M100B2 APT37M100L 1000V、37A、0.33Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
快速IGBT和FRED 1200V APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2 APT33 GF120B2RDQ2G*APT33 GF120LRDQ2G*
Rev.A
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APT35GA90B APT35GA90S
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT31M100B2 APT31M100L 1000V、32A、0.38Ω（最大值）N沟道MOSFET
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOS 7®IGBT 600V APT30GP60BDQ1 APT30GP60BDQ1G*
Rev.A
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600V APT30GT60BR APT30GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev E
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】650V/16A碳化硅肖特基二极管KS16065-A2，具有工作频率高、零反向恢复电流等特性
森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS16065-A2，VRRM为650V，IF（TC=158℃）为16A，QC为36nC。该产品的工作频率高，零反向恢复电流，零正向恢复电压，具有不受温度影响的开关特性。产品采用TO-220-2L封装。
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