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APT102GA60B2 APT102GA60L
发布时间: 2018-07-31
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT102GA60B2; APT102GA60L; APT102GA60B2_L
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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数据手册 - 英文
APT18F60B APT18F60S 600V, 19A, 0.37Ω Max, trr≤200ns N-Channel FREDFET
Rev D
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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封装信息/封装结构图 - 英文
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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封装信息/封装结构图 - 英文
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管
Rev A
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
Rev J
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
Rev G
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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数据手册 - 英文
APT12M80B APT12M80S 800V, 13A, 0.80Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi Corporation产品停产通知(PDN)编号:PPS1109070825
rev 3
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APT15GP60B APT15GP60S 600V POWER MOS 7® IGBT
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品,工艺变更通知编号:PPS105130C32
Rev 3
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APT11F80B APT11F80S 600V,12A,0.9Ω最大trr≤210ns n沟道FREDFET
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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1200V APT13GP120B APT13GP120S APT13GP120BG*APT13GP120SG*功率MOS 7®IGBT
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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数据手册 - 英文
APT18M80B APT18M80S 800V, 19A, 0.53Ω Max N-Channel MOSFET
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数据手册 - 英文
APT17F80B APT17F80S 800V, 18A, 0.58Ω Max, trr≤250ns N-Channel FREDFET
Rev C
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APT15GN120BDQ1 APT15GN120SDQ1 APT15GN120BDQ1(G)APT15 GN120SDQ1(G)1200V
Rev C
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APT14M120B APT14M120S 1200V, 14A, 1.10Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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APT13F120B APT13F120S 1200V, 14A, 1.2Ω Max trr, ≤250ns N-Channel FREDFET
Rev D
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APT1204R7BFLL APT1204R7SFLL 1200V 3.5A 4.700Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev B
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APT14M100B APT14M100S 1000V, 14A, 0.88Ω Max N-Channel MOSFET
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APT106N60B2_LC6 600V 106A 0.035Ω超结MOSFET
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600V APT15GT60BR APT15GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev D
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600V APT15GT60BRDQ1 APT15GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
Rev B
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APT15GT120BR APT15GT120SR APT15GT120BR(G) APT15GT120SR(G) 1200V Thunderbolt IGBT®
Rev E
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数据手册 - 英文
APT17F100B APT17F100S 1000V, 17A, 0.78Ω Max, trr≤245ns N-Channel FREDFET
Rev D
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超软恢复整流二极管
Rev B
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技术文档 - 英文
超软恢复整流二极管
Rev C
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数据手册 - 英文
APT10090BFLL APT10090SFLL 1000V 12A 0.950Ω功率MOS 7 FREDFET
Rev D
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APT10090BLL APT10090SLL 1000V 12A 0.950Ω功率MOS 7 MOSFET
Rev D
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APT14F100B APT14F100S 1000V, 14A, 0.98Ω Max, trr≤240ns N-Channel FREDFET
Rev D
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APT12057B2LL(G) APT12057LLL(G) 1200V 22A 0.570Ω POWER MOS 7 R MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】集电极标称电流高达75A的沟槽弱穿通型IGBT的MG6308WZ,集电极-发射极电压为650V
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH、PFC等应用领域,设计厂商可以选择Rohm公司旗下的MG6308WZ,作为一款沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管IGBT,其集电极-发射极电压为650V,集电极电流达75A(标称),具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关切换等优势。在每一片晶圆上,最多可加工512 pcs芯片。
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APT0301定义二极管数据表参数
本文详细介绍了Advanced Power Technology(APT)在其二极管数据表中使用的参数。文章首先解释了数据表中的命名约定,包括瞬时值和极限值、平均值和直流值的表示方法。接着,文章深入探讨了最大额定值、静态电气特性、热和机械特性等关键参数,如最大反向电压、正向电流、反向恢复时间、热阻、封装重量和扭矩等。此外,文章还讨论了动态参数,如正向恢复电压、反向恢复电荷、正向恢复时间和反向恢复电流,以及它们如何随结温变化。最后,文章提供了数据表中的图表和波形图,以帮助读者更好地理解这些参数。
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