1N6632US THRU 1N6637_代理商_研发采购服务

1N6632US THRU 1N6637US AND 1N5968US AND 1N5969US

发布时间： 2018-07-31

类型：技术文档，技术说明、产品技术资料

品牌：

MICROSEMI（美高森美）

型号：

1N6632US; 1N6637US; 1N5968US; 1N5969US; 1N6633US; 1N6634US; 1N6635US; 1N6636US

本数据手册详细介绍了型号为1N6632US至1N6637US以及1N5968US和1N5969US的5瓦齐纳二极管。这些器件采用非空腔结构，并利用冶金结合技术制造，以确保产品的可靠性与稳定性。资料内容涵盖了二极管的最高额定值，具体包括工作温度范围、存储温度条件、功耗限制及正向电压等关键参数。同时，手册还深入阐述了电气特性，详细列出了齐纳阻抗、电压调节性能以及反向漏电流电压等指标。此外，文档提供了关于器件尺寸、热阻、热阻抗、极性标识及安装表面选择的详细信息，为工程师的设计选型提供了全面的技术参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持，涵盖选型指导、设计验证及调试服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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资料平台

数据手册 - 英文	1N6632至1N6637以及1N5968和1N5969 2017/12/04	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	各种非密封齐纳二极管的淘汰产品停产通知 Rev 5	下载
技术文档 - 英文	1N6626US至1N6631US表面安装1N6626至1N6631轴向引线 2018/01/01	下载
数据手册 - 英文	1N4954US到1N4996US，1N5968US到1N5969US，以及1N6632US到1 N6637US REV E	下载
技术文档 - 英文	符合ML-PRF-19500578的无空隙密封开关二极管 Rev.1	下载
数据手册 - 英文	1N4954至1N4996、1N5968至1N5969和1N6632至1N6637 REV G	下载
技术文档 - 英文	轴向引线1.5瓦玻璃齐纳二极管 Rev.1	下载
数据手册 - 英文	1N643、1N662、1N663 Rev. 1	下载
技术文档 - 英文	符合MIL-PRF-19500578的无空隙密封开关二极管 Rev. 2	下载
数据手册 - 英文	功率齐纳5瓦，军用1N4954-1N4996 1N5968-1N5969 JAN，JANTX&JANTXV 2017/11/29	下载
技术文档 - 英文	下一代电力离散化 2017/11/15	下载
数据手册 - 英文	1N6626至1N6631无空隙密封超快恢复玻璃整流器 REV F	下载
数据手册 - 英文	1N6638，1N6642，1N6643计算机开关二极管 2017/12/24	下载
数据手册 - 英文	1N6638US、1N6642US、1N6643US 2017/11/17	下载
数据手册 - 英文	计算机二极管开关系列1N6638，JTX，JTXV 1N6638U，JTX，JTXV 1N6642，JTX，JTXV1N6642U，JTX.JTXV1N6643U，JTX，JTXv 2017/11/29	下载
数据手册 - 英文	轴向引线1.5瓦塑料齐纳二极管1n5913BPe3-1n5956BPe3（塑料） Rev.A	下载
技术文档 - 英文	RTCA、DO-160瞬态电压抑制器零件号的总体选择 Rev E	下载
数据手册 - 英文	1号6639 1号6640 1号6641 2017/11/17	下载
数据手册 - 英文	表面贴装超快恢复玻璃整流器1N6626US至1N6631US Rev.G	下载
数据手册 - 英文	冶金结合玻璃表面贴装1.5瓦齐纳二极管1n5913BUR-1–1n5956BUR-1（又名CDLL5913–CDLL5956） Rev.1	下载
数据手册 - 英文	1N6639美国1N6640美国1N6641美国 2017/11/17	下载
数据手册 - 英文	1N5985至1N6031-1，e3 DO-35 REV B	下载
数据手册 - 英文	1N5907和1N5908 1500瓦低压瞬态电压抑制器 REV A	下载
数据手册 - 英文	Axial-Leaded 500 mW Zener Diodes 1N5985B-1 thru 1N6031B-1 Rev.1	下载
数据手册 - 英文	表面贴装500 mW齐纳二极管1n5985BUR-1至1n6031BUR-1 Rev.1	下载
数据手册 - 英文	1500瓦低压瞬态电压抑制器1N5907技术数据表 Rev. 2	下载
数据手册 - 英文	1N5767（5082-3080）系列 2006-01-17	下载
数据手册 - 英文	PIN二极管1N5767（5082-3080）系列1N5957系列 2017/11/29	下载
数据手册 - 英文	硅2.0瓦齐纳二极管 Rev. 1	下载
数据手册 - 英文	MSMCG5.0A-MXLSMCG170CAe3，MSMCJ5.0-MXLSMCJ170CAe3表面贴装1500瓦瞬态电压抑制器 Rev. B	下载
开发环境(软件/固件) - 英文	CoreQSGMII Revision 1.0	下载
测试报告 - 英文	电离总剂量试验报告：无22T-RT4G150-CQ352-K7HWA Rev. 0	下载
测试报告 - 英文	电离总剂量试验报告：无21T-RT4G150-LG1657-K7KAS Rev. 0	下载
测试报告 - 英文	电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ57T1 Rev. 0	下载
测试报告 - 英文	电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ26Y1 Rev. 0	下载
测试报告 - 英文	电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DHK3S1 Rev. 0	下载
测试报告 - 英文	20T-RTAX2000S-CQ352-DH7FH1电离总剂量测试报告 Rev. 0	下载

世强AI

世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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应用/方案

商用航空解决方案

Microsemi公司提供一系列高可靠性产品，包括集成电路、功率模块、开关器件、FPGA和SoC等，为商业航空领域提供全面的解决方案。产品应用于飞行控制、动力系统、机舱管理系统、通信雷达、电力系统等关键领域，旨在提高飞机性能、可靠性和安全性。

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M1AFS\ U嵌入式\ U套件的Microsemi电源管理解决方案

本文档介绍了Microsemi公司针对M1AFS嵌入式套件中使用的竞争对手的功率管理IC的替代方案。通过比较列表，详细说明了针对现有套件的升级改造的功率管理IC的需求。文档中提供了测试数据和图像，以展示Microsemi解决方案与竞争对手解决方案的性能对比。此外，还包括了推荐的替换IC的原理图和PCB布局。

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MicroNote 132飞机防雷应用说明

本文档为Microsemi公司发布的关于飞机雷击保护的Application Note，旨在为航空电子设计工程师提供选择瞬态电压抑制器（TVS）的指导。内容涵盖了RTCA/DO-160标准中定义的雷击威胁，包括波形3、4和5A，以及相应的威胁等级。文章详细介绍了如何使用Microsemi的DIRECTselect方法来快速选择合适的TVS产品，并提供了多个实际应用案例，包括不同电压等级和电流等级的TVS选择。此外，文章还讨论了异常电压特性、钳位电压的重要性以及如何选择适合波形5A的雷击保护方案。

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密克罗内特™ 132飞机防雷RTCA选择瞬态电压抑制器的捷径，DO-160采用Microsemi的新技术

本文介绍了飞机防雷保护，重点介绍了如何使用Microsemi的DIRECTselect™方法选择瞬态电压抑制器（TVS）以应对RTCA/DO-160威胁。文章详细解释了如何根据DO-160F标准中的波形和威胁级别定义瞬态电压抑制器的需求，并提供了选择TVS的实例和图表。此外，文章还讨论了异常电压特性、保护跨电源分配线、多次浪涌事件以及总结和结论等内容。

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LXE1722HV AUDIOMAX评估工具包用户指南

LX1722HV Evaluation Board是一款基于Microsemi LX1722立体声控制器的评估板，用于评估高功率音频放大器。该板通过将单声道信号输入到左右通道，并使用BTL配置实现高功率输出。它支持高达200W的连续输出功率，具有20Hz-20kHz的音频带宽和小于±1dB的频率响应。此外，该板还具备过流关闭和开路保护功能，并采用三电平调制方案以消除LC滤波器和“噼啪”噪音。

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飞机防雷应用说明

本文介绍了如何使用Microsemi的*DIRECTselect™*方法快速选择适用于RTCA/DO-160雷击威胁的瞬态电压抑制器（TVS）。文章详细阐述了如何根据DO-160G标准中的雷击威胁波形和等级，通过计算和图表选择合适的TVS产品。文章还讨论了异常电压特性、TVS选择图、不同波形和等级的TVS产品以及如何通过堆叠和并联TVS来提高保护能力。

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RT PolarFire®FPGA DDR3本机接口

本应用笔记介绍了如何使用RT PolarFire FPGA的Native Interface模式配置DDR3控制器，以实现向DDR3内存执行写和读突发操作。通过选择拨动开关的ON/OFF状态，可以设置不同的操作模式（如递增模式、走位1模式、走位0模式和递减模式）。此外，还介绍了如何使用SmartDebug工具验证写和读数据。笔记中详细描述了硬件和软件要求、设计实现步骤，以及如何通过Libero SoC和SmartDebug工具运行和验证设计。

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SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的电路板和布局设计指南

本资料为Microsemi公司发布的关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的板级和布局设计指南。内容涵盖设计考虑因素、电源设计、I/O瞬态、时钟设计、复位电路、设备编程、SerDes设计、LPDDR、DDR2和DDR3设计、用户I/O和时钟引脚配置、双电源设计、brownout检测、同时切换噪声、电源布局、SerDes布局、PLL布局、I/O电源布局、编程电源布局、高速串行链路布局、仿真考虑、DDR3布局指南、创建原理图符号等。

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SPI-DirectC V2021.2用户指南

本指南介绍了SPI-DirectC软件，用于支持Microchip微处理器的嵌入式在系统编程（ISP）。指南详细说明了如何使用SPI-DirectC在支持的Microchip设备上启用基于微处理器的嵌入式ISP，包括系统概述、数据文件生成、SPI-DirectC代码集成、必要的源代码修改、数据文件格式、源文件描述、数据文件位方向以及示例项目。指南涵盖了SPI-DirectC的安装、配置和使用，旨在帮助用户进行有效的ISP操作。

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SPI-DirectC V2021.1用户指南

SPI-DirectC v2021.1用户指南主要介绍了如何使用SPI-DirectC进行嵌入式In-System Programming（ISP）以支持Microchip的IGLOO2、SmartFusion2、PolarFire和PolarFire SoC设备。指南详细说明了系统概述、数据文件格式、源代码修改、编译器开关、硬件接口组件、数据文件位方向以及示例项目等内容，旨在帮助用户生成数据文件、集成SPI-DirectC代码并实现设备编程。

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SmartFusion®2和Igloo®2高速串行接口配置用户指南

本指南介绍了如何配置SmartFusion2和IGLOO2系列中的高速串行接口，包括协议配置、PCIe配置、通道配置、信号完整性选项、发送去加重、接收CTL均衡、电源管理设置、高速串行接口控制寄存器配置、固件和仿真级别。指南详细说明了配置步骤和参数设置，适用于Libero SoC SERDES_IF核心。

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CoreAxi4DMA控制器

本手册详细介绍了Microsemi公司提供的CoreAXI4DMAController v2.1版本，这是一个AXI4 DMA控制器，用于在AXI系统中执行内存到内存风格的DMA传输。该核心提供内置的流控制技术，以确保AXI接口的带宽得到最佳利用。此外，该核心还提供AXI4内存映射从属设备的桥接，以支持AXI4-Stream主设备。手册涵盖了核心的架构、功能描述、接口描述、寄存器映射和描述、工具流程等内容，并提供了性能和利用率数据。

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Libero®SoC V12.1及更高版本SmartTime静态时序分析仪用户指南

本资料为Microchip Technology Inc.提供的Libero® SoC v12.1及以后版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。指南详细介绍了SmartTime的功能和操作方法，包括设计流程、设置配置、时序分析、生成时序报告等。SmartTime工具用于可视化设计中的时序问题，评估时序要求，创建自定义时序集，设置时序异常，以及定义与其他工具的交叉探针路径。指南涵盖了时序分析的基本概念、高级时序分析、时序报告生成等方面，旨在帮助用户有效地进行时序分析和设计验证。

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