APT68GA60B APT68GA60S
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT68GA60B; APT68GA60S; APT68GA60B_S
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT68GA60LD40 APT68GA60B2D40
Rev F
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev A
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev F
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev K
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| 数据手册 - 英文 |
POWER MOS V® APT6045BVR APT6045SVR APT6045BVRG APT6045SVRG
Rev A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
POWER MOS V® FREDFET APT6045BVFR APT6045SVFR APT6045BVFRG APT6045SVFRG
Rev A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品，工艺变更通知编号：PPS105130C32
Rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT60N60BCSG Super Junction MOSFET
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
N-Channel FREDFET APT66F60B2 APT66F60L 600V, 70A, 0.09Ω Max, trr ≤ 310ns
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
N-Channel MOSFET APT66M60B2 APT66M60L 600V, 70A, 0.09Ω Max
Rev E
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APT64GA90LD30 APT64GA90B2D30
Rev E
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APT64GA90B APT64GA90S
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT60D60BG Ultrafast Soft Recovery Rectifier Diode
Revision L
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| 数据手册 - 英文 |
POWER MOS 7® MOSFET APT6013B2LL APT6013LLL 600V 43A 0.130Ω
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT60GT60BRG APT60GT60SRG
Rev F
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| 数据手册 - 英文 |
600V APT65GP60L2DQ2 APT65GP60L2DQ2G*
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
POWER MOS 7® FREDFET 600V 54A 0.100Ω APT6010B2LL APT6010LLL APT6010B2LL* APT6010LLLG*
Rev F
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| 数据手册 - 英文 |
POWER MOS 7® FREDFET 600V 54A 0.100Ω APT6010B2FLL APT6010LFLL APT6010B2FLL* APT6010LFLLG*
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT60GA60JD60
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT60M60JFLL 600V 70A 0.060Ω功率MOS 7®
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT60M60JLL 800V 70A 0.060Ω功率MOS 7®MOSFET
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT60DQ60BG数据表超快速软恢复整流二极管
Revision C
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| 数据手册 - 英文 |
APT60DQ60SG数据表超快速软恢复整流二极管
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
Thunderbolt IGBT™ APT60GT60JR 600V 93A
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT60D120SG数据表超快软恢复整流二极管
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
霹雳IGBT®600V APT60GT60JRDQ3
Rev A
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ISOTOP®快速二极管全桥功率模块APT60DF20HJ
Rev 1
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| 数据手册 - 英文 |
快速IGBT和FRED 1200V APT60GF120JRDQ3
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT60DQ120BG数据表超快软恢复整流二极管
Revision C
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| 数据手册 - 英文 |
APT6017WVR功率MOS V®N沟道MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
ISOTOP®快速二极管全桥功率模块APT60DF60HJ
Rev 2
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| 数据手册 - 英文 |
POWER MOS 7® FREDFET APT6010JFLL 600V 47A 0.100Ω
Rev E
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APT60GF120JRD 1200V快速IGBT和FRED
Rev B
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MPPT控制器，是否有替代美高森美的APT60S20BG的快恢二极管？200V 75A 封装TO-247
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应用/方案
【产品】集电极标称电流高达75A的沟槽弱穿通型IGBT的MG6308WZ，集电极-发射极电压为650V
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH、PFC等应用领域，设计厂商可以选择Rohm公司旗下的MG6308WZ，作为一款沟槽弱穿通型绝缘栅双极型晶体管IGBT，其集电极-发射极电压为650V，集电极电流达75A(标称)，具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关切换等优势。在每一片晶圆上，最多可加工512 pcs芯片。
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【产品】集电极-发射电压650V、集电极电流标称值20A的沟槽弱穿通型IGBT MG6306WZ
在太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC等应用领域，设计厂商可以选择使用Rohm公司旗下的绝缘栅双极型晶体管IGBT MG6306WZ，该IGBT是一款沟槽弱穿通型（LPT）器件，具有低集电极-发射极饱和电压、高速开关性能、低开关损耗和软开关性能等优势。在一片晶圆上，最多可以加工1546 pcs器件。
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