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APT10035B2LL（G）APT10035LLL（G）
Rev C
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APT1001RBVFR APT1001RSVFR 1000V 11A 1.00Ω
Rev.C
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APT10078BLL APT10078SLL 1000V 14A 0.780Ω
Rev.C
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600V APT100GN60LDQ4 APT100GN60LDQ4G*
Rev.A
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APT10050B2VFR APT10050LVFR 1000V 21A 0.500Ω
REV.C
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APT1003RBFLL APT1003RSFLL 1000V 4A 3.00Ω
REV.A
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APT10078BFLL APT10078SFLL 1000V 14A 0.780Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev D
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APT10045B2LL（G）APT10045LLL（G）
Rev C
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600V APT100GN60B2 APT100GN60B2G*
REV.A
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APT1003RBLL APT1003RSLL 1000V 4A 3.00Ω
Rev.A
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APT1001RSVR 1000V 11A 1.000Ω
REV.B
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APT1001RBVR 1000V 11A 1.000Ω
REV C
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APT10021JFLL 1000V 37A 0.210Ω
Rev.C
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APT10021JLL 1000V 37A 0.210Ω
REV.4
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1200V APT100GN120J
REV.A
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APT10086BVFR 1000V 13A 0.860Ω功率MOS V®
Rev B
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APT10086BVR 1000V 13A 0.860Ω
2017/11/29
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APT10050LVR 1000V 21A 0.500Ω
Rev.B
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APT10025JVR 1000V 34A 0.250Ω
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APT10050JVFR 1000V 19A 0.500Ω
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APT10026JLL 1000V 30A 0.260Ω
REV.A
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APT10026L2LL 1000V 38A 0.260Ω
REV.B
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APT10045JLL
Rev D
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APT30M36B2LL APT30M36LLL 300V 84A 0.036Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev B
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APT30M17JLL 300V 135A 0.017Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev A
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APT30M30JLL 300V 88A 0.030Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev B
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APT30M61BLL APT30M61SLL 300V 54A 0.061Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev A
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APT30M17JFLL 300V 135A 0.017Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev A
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APT30M36JLL 300V 76A 0.036Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev B
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APT30M75BLL APT30M75SLL 300V 44A 0.075Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev A
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APT30M30JFLL 300V 88A 0.030Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev B
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APT50M75B2LL（G）APT50M75LLL（G）500V57A0.075Ω
Rev D
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APT6013JLL 600V 39A 0.130Ω
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APT30M75BFLL APT30M75SFLL 300V 44A 0.075Ω功率MOS 7 R FREDFET
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APT8043BLL APT8043SLL 800V 20A 0.430Ω
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APT30M36B2FLL APT30M36LFLL 300V 84A 0.036Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev B
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APT60M75JFLL 600V 58A 0.075Ω
Rev B
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APT6017B2LL APT6017LLL 600V 35A0.170Ω
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APT50M75JFLL 500V 51A 0.075Ω
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APT50M75B2FLL APT50M75LFLL 500V 57A 0.075Ω
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APT32F1021B 数据手册
V1.2
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技术论坛
地平线X3 Module开发板接入遥控手柄无法使用，没有生成/dev/input/js0设备节点, 请问是什么原因？
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看见平台有一份苏州国芯科技有限公司的关于DDR3的介绍，这是国产的DDR3芯片吗，是否有相关型号及数据手册提供。
手册网址：https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=1570222
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项目：电力智能控制模块
需求：需要工业级MicroSD卡，确保-40~85℃正常工作，数据不丢失。4GB或8GB。请帮忙推荐货期、质量都比较好的型号。
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3000/1的互感器，有什么推荐的型号和品牌吗？之前接触过APT的
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地平线X3M开发板使用NTFS文件系统挂载后，如何支持读写模式？
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P86F6SN，采用绝缘封装，使用10V栅极驱动，具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ，可满足大功率驱动应用需求。
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【产品】高di/dt耐久性的600V/7A功率 MOSFET
新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P7FH60HP2，采用表面贴装（SMD），具有高电压、低电容、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。单脉冲雪崩能量为40mJ，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs，可满足一般功率驱动应用需求。
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APT32F103x 系列 103x 系列通用型 32 位 RISCV 微处理控制器使用手册
本手册针对APT32F103x系列32位RISC-V微处理器，提供了详细的内核、存储和外设信息。内容包括系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断和异常处理机制、DMA控制器功能描述及寄存器说明等。手册旨在帮助开发者全面理解和使用该系列芯片。
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APT32F102xB 系列 102xB 系列通用型 32 位微处理控制器使用手册
本手册为APT32F102xB系列32位微处理控制器提供了全面的技术信息，包括系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断向量控制器等。内容包括：
- 系统存储空间的详细划分和地址分配。
- 特殊功能寄存器的分类和功能描述。
- 中断向量控制器的特性、工作原理和配置方法。
- 中断优先级设置、抢占机制和响应时间的分析。
资料涵盖了APT32F102xB系列的核心技术细节，适用于应用开发人员参考和使用。
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