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APT100GT120JR
发布时间: 2018-07-31
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT100GT120JR
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数据手册 - 英文
APT100GT120JRDL
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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封装信息/封装结构图 - 英文
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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封装信息/封装结构图 - 英文
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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技术文档 - 英文
超软恢复整流二极管
Rev B
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超软恢复整流二极管
Rev C
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数据手册 - 英文
APT100GT120JRDQ4
Rev D
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品,工艺变更通知编号:PPS105130C32
Rev 3
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超快软恢复整流二极管
Rev A
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev M
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev G
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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数据手册 - 英文
APT10090BFLL APT10090SFLL 1000V 12A 0.950Ω功率MOS 7 FREDFET
Rev D
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi Corporation产品停产通知(PDN)编号:PPS1109070825
rev 3
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APT10035B2FLL(G) APT10035LFLL(G) 1000V 28A 0.37 Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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数据手册 - 英文
APT10090BLL APT10090SLL 1000V 12A 0.950Ω功率MOS 7 MOSFET
Rev D
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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APT100GT60B2R(G)APT100GT60LR(G)600V,100A,VCE(ON)=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev C
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数据手册 - 英文
APT1004RKNG 1000V 3.6A 4.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev D
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APT1004RBN 1000V 4.4A 4.00ΩAPT1004R2BN 1000V 4.0A 4.20ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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数据手册 - 英文
APT1001RBNR 1000V 11.0A 1.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
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APT10045B2FLL(G) APT10045LFLL(G) 1000V 23A 0.46Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev D
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数据手册 - 英文
APT1001R1BNG 1000V 10.5A 1.10N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev D
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数据手册 - 英文
1200V APT100GN120B2 APT100GN120B2G*
Rev A
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APT100D60BG 600V 100A超快软恢复整流二极管
Rev A
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APT1001RBN 1000V 11.0A 1.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
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数据手册 - 英文
APT100D60B2 600V 100A超快软恢复整流二极管
Rev A
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APT15D120BG数据表超快软恢复整流二极管
Revision C
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APT100GLQ65JU3
Rev 0
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APT100GLQ65JU2
Rev 0
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技术文档 - 英文
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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APT10026JFLL 1000V 30A0.28 Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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麦思浦 IGBT 模块:高功率应用的理想之选
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AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113,工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器,具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出(低至3V逻辑)兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配,以简化高频应用中的应用。
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