加工定制
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT34F60B APT34F60S 600V,36A,0.19Ω最大trr≤250ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品,工艺变更通知编号:PPS105130C32
Rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev H
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev F
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev E
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev A
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT37F50B APT37F50S 500V,37A,0.15Ω(最大值),trr,≤250ns n沟道FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT30GN60B APT30GN60S APT30 GN60B(G)APT30 GN60S(G)600V
Rev B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT30GN60BDQ2APT30GN60SDQ2APT30 GN60BDQ2(G)APT30 GN60SDQ2(G)600V
Rev B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT38F80B2 APT38F80L 800V,41A,0.24Ω(最大值),trr≤300ns n沟道FREDFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT36GA60B APT36GA60S
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT35GN120B APT35GN120S APT35 GN120BG APT35 GN120SG 1200V
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT38N60BC6 APT38N60SC6
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT30N60BC6 APT30N60SC6
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT36GA60BD15 APT36GA60SD15
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT34M60B APT34M60S 600V、36A、0.19Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT37M100B2 APT37M100L 1000V、37A、0.33Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
快速IGBT和FRED 1200V APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2 APT33 GF120B2RDQ2G*APT33 GF120LRDQ2G*
Rev.A
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| 数据手册 - 英文 |
APT35GA90B APT35GA90S
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT31M100B2 APT31M100L 1000V、32A、0.38Ω(最大值)N沟道MOSFET
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
功率MOS 7®IGBT 600V APT30GP60BDQ1 APT30GP60BDQ1G*
Rev.A
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev B
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世强AI
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应用/方案
军品级N沟道增强型SiC MOSFET,采用C2M MOSFET技术
Wolfspeed(原CREE)推出的CPM2-1200-0040B系列碳化硅MOSFET,N通道增强模式,采用C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术,具有高阻断电压、低导通电阻、低电容的特点,易于并联或单驱动,具有较高的系统效率和功率密度,较低的冷却需求,支持高速转换,非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压直流/直流转换器、马达驱动器、脉冲电源等应用领域。
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