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APT10SCE170B
发布时间: 2018-07-31
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
MICROSEMI(美高森美)
型号:
APT10SCE170B
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加工定制
可定制2512KL、2512KT、2512KB、2512KH、2482L系列;粘度:3000~20万;硬度:30~40A;表干时间:5~15min;固化速度:2.4mm/24H;粘接强度:1.2~1.7Mpa;
立即提交 单组份/双组份硅胶定制 >>
可定制导热胶的导热系数1~6W、粘度范围3000~250000cps、固化方式可加热、仅室温、可UV;施胶方式:点胶机、手工、喷胶、转印;支持颜色、硬度、固化时间等参数的个性化定制。
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资料平台
数据手册 - 英文
APT11F80B APT11F80S 600V,12A,0.9Ω最大trr≤210ns n沟道FREDFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi Corporation产品停产通知(PDN)编号:PPS1109070825
rev 3
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封装信息/封装结构图 - 英文
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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封装信息/封装结构图 - 英文
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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技术文档 - 英文
超快软恢复整流二极管
Rev A
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
Rev J
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev M
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev G
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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数据手册 - 英文
APT12M80B APT12M80S 800V, 13A, 0.80Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1230
rev 3
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APT15GP60B APT15GP60S 600V POWER MOS 7® IGBT
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品,工艺变更通知编号:PPS105130C32
Rev 3
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APT18F60B APT18F60S 600V, 19A, 0.37Ω Max, trr≤200ns N-Channel FREDFET
Rev D
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:PPS1109060D12
rev 3
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数据手册 - 英文
APT17F80B APT17F80S 800V, 18A, 0.58Ω Max, trr≤250ns N-Channel FREDFET
Rev C
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Microsemi公司产品停产通知(PDN)编号:DPT0F081A1113
rev 3
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数据手册 - 英文
APT18M80B APT18M80S 800V, 19A, 0.53Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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1200V APT13GP120B APT13GP120S APT13GP120BG*APT13GP120SG*功率MOS 7®IGBT
Rev E
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APT15GN120BDQ1 APT15GN120SDQ1 APT15GN120BDQ1(G)APT15 GN120SDQ1(G)1200V
Rev C
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数据手册 - 英文
APT14M100B APT14M100S 1000V, 14A, 0.88Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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APT14M120B APT14M120S 1200V, 14A, 1.10Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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APT13F120B APT13F120S 1200V, 14A, 1.2Ω Max trr, ≤250ns N-Channel FREDFET
Rev D
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数据手册 - 英文
APT106N60B2_LC6 600V 106A 0.035Ω超结MOSFET
Rev B
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600V APT15GT60BRDQ1 APT15GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
Rev B
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数据手册 - 英文
APT1204R7BFLL APT1204R7SFLL 1200V 3.5A 4.700Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev B
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数据手册 - 英文
APT17F100B APT17F100S 1000V, 17A, 0.78Ω Max, trr≤245ns N-Channel FREDFET
Rev D
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数据手册 - 英文
600V APT15GT60BR APT15GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev D
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数据手册 - 英文
APT102GA60B2 APT102GA60L
Rev C
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技术文档 - 英文
超软恢复整流二极管
Rev B
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技术文档 - 英文
超软恢复整流二极管
Rev C
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数据手册 - 英文
APT15GT120BR APT15GT120SR APT15GT120BR(G) APT15GT120SR(G) 1200V Thunderbolt IGBT®
Rev E
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世强AI
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应用/方案
【产品】650V/16A碳化硅肖特基二极管KS16065-A2,具有工作频率高、零反向恢复电流等特性
森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS16065-A2,VRRM为650V,IF(TC=158℃)为16A,QC为36nC。该产品的工作频率高,零反向恢复电流,零正向恢复电压,具有不受温度影响的开关特性。产品采用TO-220-2L封装。
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【产品】最高结温为175℃的绝缘栅双极晶体管AKBK2A075YHH,采用反并联二极管,TO247Plus封装
瑶芯微是一家致力于功率器件和智能传感器的设计、研发和销售的企业,其推出的第二代绝缘栅双极晶体管(IGBT)AKBK2A075YHH,带有软、快速恢复全电流额定反并联发射极控制二极管,具有超低的传导损耗和高短路耐受强度等特点,适用于UPS、逆变器等应用。
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【产品】具有零正向恢复电压的碳化硅肖特基二极管AS3D004065F,Tc≤25℃时,正向电流11A
安邦推出的碳化硅肖特基二极管AS3D004065F,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压。25℃时,其反向重复峰值电压高达650V,正向电流11A(TC小等于25℃),可应用在开关电源,功率因数校正等方面。
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【产品】具有零正向恢复电压的650V碳化硅肖特基二极管零反向恢复电流,基本无开关损耗
长联推出的碳化硅肖特基二极管CL0D08065A,具有零反向恢复电流、零正向恢复电压、极快的开关速度等特点,反向重复峰值电压为650V,连续正向电流在Tc=150℃时为9A,基本无开关损耗,且效率更高,同时降低了对散热器的需求.
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【产品】国产碳化硅肖特基二极管P3D06006F2,具有高频工作和零反向恢复电流特性
P3D06006F2是派恩杰推出的一款650V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD),具有高频工作、零反向恢复电流、高浪涌电流等特性。该器件的反向重复峰值电压为650V(Tc=25℃),结至管壳的热阻为2.9℃/W。
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