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APT32F171 数据手册
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APT32F102 开发板使用手册
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APT32F1732 数据手册
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APT32F1023 数据手册
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APT32F1021 数据手册
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APT32F1103 数据手册
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APT32F1731 数据手册
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APT30M61BLL APT30M61SLL 300V 54A 0.061Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev A
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APT32F1021B 数据手册
V1.2
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APT30M36B2LL APT30M36LLL 300V 84A 0.036Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev B
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APT30GP60B APT30GP60S 600V功率MOS 7®IGBT
Rev E
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APT32F1031 数据手册
V1.2
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APT30M61BFLL APT30M61SFLL 300V 54A 0.061Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev A
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APT30M75BLL APT30M75SLL 300V 44A 0.075Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev A
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APT30M30B2FLL APT30M30LFLL 300V 100A 0.030Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev B
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APT30M36B2FLL APT30M36LFLL 300V 84A 0.036Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev B
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APT30M75BFLL APT30M75SFLL 300V 44A 0.075Ω功率MOS 7 R FREDFET
REV A
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APT32S003F8PT 数据手册
V1.8
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APT32S003F7P6 数据手册
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APT30M36JLL 300V 76A 0.036Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev B
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APT30M30JLL 300V 88A 0.030Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev B
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APT30M30JFLL 300V 88A 0.030Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev B
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APT30M36JFLL 300V 76A 0.036Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev B
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APT30M17JFLL 300V 135A 0.017Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev A
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APT30M17JLL 300V 135A 0.017Ω功率MOS 7 R MOSFET
Rev A
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APT30M70BVFR(G)300V 48A 0.070Ω功率MOS V®
Rev A
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APT80GP60B2 600V功率MOS 7®IGBT
Rev B
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900V APT15GP90BDQ1 APT15GP90BDQ1G*
REV A
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1200V APT13GP120BDQ1 APT13GP120BDQ1G*
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600V APT12GT60BR APT12GT60BRG*
REV E
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APT75GP120J 1200V
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600V APT65GP60JDQ2
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APT65GP60B2 600V
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APT65GP60J 600V
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APT75GP120B2 1200V
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APT50GP60J 1200V
Rev A
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技术论坛
地平线X3 Module开发板接入遥控手柄无法使用,没有生成/dev/input/js0设备节点, 请问是什么原因?
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看见平台有一份苏州国芯科技有限公司的关于DDR3的介绍,这是国产的DDR3芯片吗,是否有相关型号及数据手册提供。
手册网址:https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=1570222
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
APT32F110x 系列 110x 系列通用型 32 位微处理控制器使用手册
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APT32F102xB 系列 102xB 系列通用型 32 位微处理控制器使用手册
本手册为APT32F102xB系列32位微处理控制器提供了全面的技术信息,包括系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断向量控制器等。内容包括:
- 系统存储空间的详细划分和地址分配。
- 特殊功能寄存器的分类和功能描述。
- 中断向量控制器的特性、工作原理和配置方法。
- 中断优先级设置、抢占机制和响应时间的分析。
资料涵盖了APT32F102xB系列的核心技术细节,适用于应用开发人员参考和使用。
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APT32S003 S003 通用型 32 位微处理控制器使用手册
本手册针对APT32S003系列32位微处理器,提供了详细的内核、存储和外设信息。内容包括产品分类定义、历史版本说明、系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断向量控制器(INTC)的特性和工作原理、中断优先级和抢占机制、中断响应时间和嵌套条件、中断唤醒机制以及中断操作步骤等。此外,还包含了相关寄存器的详细描述和配置方法。
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APT32F103x 系列 103x 系列通用型 32 位 RISCV 微处理控制器使用手册
本手册针对APT32F103x系列32位RISC-V微处理器,提供了详细的内核、存储和外设信息。内容包括系统存储空间布局、特殊功能寄存器表、中断和异常处理机制、DMA控制器功能描述及寄存器说明等。手册旨在帮助开发者全面理解和使用该系列芯片。
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APT32F171 使用手册
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数明半导体 SiLM208x 系列 200V高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片:三相电机驱动的理想之选!
数明半导体推出SiLM208x系列200V高压高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片,专为三相电机驱动设计。该系列芯片支持最高200V母线电压,具备高耐压、高速度及完善的安全防护机制,提供多种封装选择,广泛应用于工业电力电子及新能源领域。
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麦思浦 IGBT 模块:高功率应用的理想之选
麦思浦技术创新实力强劲,在超高压 MOSFET 领域成绩斐然,推出多款国内首款超高压产品,并应用于 IGBT 模块,提升产品竞争力。其严格把控质量,建立完善管控体系,产品通过多项国际认证。而且,麦思浦为客户提供从产品选型到应用调试的一站式整体解决方案,降低客户研发成本与风险 。
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AiT SEMi推出整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器AG2113,工作电压高达600V
AG2113是一款整合控制单元MOSFET和IGBT的高压、高速功率驱动器,具有基于特殊制程的独立高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出(低至3V逻辑)兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,专为最小化驱动器交叉传导而设计。具有传播延迟相匹配,以简化高频应用中的应用。
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上海贝岭基于1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F的800V车载PTC加热器驱动解决方案
针对高压PTC应用,上海贝岭推出1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F。采用第二代微沟槽多层场截止技术,优化了导通压降和开关损耗,实现了更好的输出特性。BLG40T120FDL5合封全电流FRD,减少了电路设计时的元器件数量,提高了整体可靠性。
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华润微BT30T60AKFK等IGBT用于逆变焊机,能大幅提升焊机开关频率,减小焊机尺寸
CRMICRO综合考虑高频焊机的发展趋势,在上一代技术的基础上,优化了应用于焊机领域的IGBT产品,大幅降低了IGBT器件的开关损耗,提升了器件开关速度,客户使用华润微电子的IGBT,在输出同等功率条件下,能大幅提升焊机开关频率,减小焊机尺寸,降低生产成本,提升焊机整体的性价比。
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igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高电流功率半导体器件,常被用于大功率应用中,如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前,本文中芯长征科技先来介绍一下IGBT的基本工作原理和应用特点。
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APT8102X 电容式触摸传感器使用手册
APT8102X是一款多通道电容式触摸传感器,支持17路采集通道,适用于多种触摸按键控制。它具有I2C通信接口,可配置灵敏度、工作模式等参数。手册详细介绍了寄存器配置、应用电路设计、通讯协议以及不同封装类型的尺寸信息。此外,还提供了改版历史记录。
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