IRFH8330PbF HEXFET® Power MOSFET
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
IRFH8330PbF; HEXFET®; IRFH8330TRPBF
本数据手册详细介绍了IRFH8330TRPBF型HEXFET Power MOSFET的技术特性与应用优势。该器件专为高频降压转换器设计，适用于MOSFET控制及同步控制场景，具备低热阻（< 3.6°C/W）、低剖面高度（<1.2mm）及行业标准引脚配置等物理特性。在性能方面，其拥有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）及高电流承载能力，并兼容现有表面贴装技术。此外，该产品符合RoHS标准，无铅、溴和卤素，且达到MSL1消费者认证等级，能够满足高效能电源设计的严苛要求。Infineon（英飞凌）在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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