SPP04N50C3 SPA04N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
发布时间:
2018-07-31
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
INFINEON(英飞凌)
型号:
SPP04N50C3; SPA04N50C3; Cool MOS™; Q67040-S4575; SP000216298
本数据手册详细介绍了Infineon Technologies AG生产的SPA04N50C3型号Cool MOS™功率晶体管的技术规格与应用信息。该器件是一款高性能MOSFET,具备600V的最大漏源电压和50A的最大漏极电流,最大导通电阻低至0.045Ω,支持超过100kHz的开关频率,并符合IEC 60947-5-5安全标准。其工作温度范围覆盖-55°C至150°C,提供PG-TO220-3-1等多种封装形式,能够满足电机控制、电源转换、逆变器、电力电子及工业自动化等严苛应用场景的需求。Infineon在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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可定制ATA TE Cooler的冷却功率范围:35~800W;控温精度:≦±0.1℃;尺寸:冷面:20*20到500*300;热面:60*60到540*400 (长*宽;单位mm)。
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可定制ATP TE Cooler的冷却功率:40~200W;运行电压:12/24/48V(DC);控温精度:≤±0.1℃; 尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400 (长*宽;单位mm)。
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资料平台
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SPB03N60C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
Rev.2.5
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材料含量数据表SPA04N50C3
29. August 2013
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SPP17N80C3 SPA17N80C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 2.7
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SPB02N60C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
Rev.2.4
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材料含量数据表MA000359147
29. August 2013
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SPP03N60C3 SPA03N60C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 3.0
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SPD06N60C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev.2.1
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材料含量数据表SPA04N60C3
29. August 2013
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材料含量数据表SPA04N60C3
28. September 2016
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材料含量数据表SPA04N60C3
2. June 2015
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SPP08N50C3、SPI08N50C3、SPA08N50C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 2.91
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SPB07N60C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
Rev.2.5
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材料含量数据表SPA04N80C3
27. July 2016
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材料含量数据表SPA04N80C3
3. June 2015
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材料含量数据表SPA04N80C3
23. September 2016
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60SPPN20C3,斯帕恩20C3™ 功率晶体管
Rev. 3.2
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SPB20N60C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
Rev.2.7
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SPP15N60C3、SPI15N60C3、SPA15N60C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 3.2
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SPB02N60S5冷MOS™ 功率晶体管
Rev.2.4
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SPP12N50C3 SPI12N50C3、SPA12N50C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 3.1
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SPB04N60S5冷MOS™ 功率晶体管
Rev.2.4
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SPP16N50C3 SPI16N50C3、SPA16N50C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 3.2
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SPB11N60C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
Rev.2.6
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SPP07N60C3 SPI07N60C3、SPA07N60C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 3.2
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SPB04N60C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
Rev.2.5
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SPP20N65C3、SPA20N65C3、SPI20N65C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 3.0
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SPP20N65C3、SPA20N65C3、SPI20N65C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 3.1
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SPB03N60S5冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
2007-02-14
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SPP21N50C3 SPI21N50C3、SPA21N50C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 3.2
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SPB07N60S5冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
Rev.2.3
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SPD04N50C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 2.6
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SPW12N50C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
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SPD02N50C3冷MOS™ 功率晶体管
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SPB20N60S5冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
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SPD08N50C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
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SPU01N60C3 SPD01N60C3冷MOS™ 功率晶体管
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SPW20N60CFD冷却管™ 功率晶体管
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SPB11N60S5冷MOS™ 功率晶体管
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SPP02N60S5冷MOS™ 功率晶体管
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SPU04N60S5 SPD04N60S5冷MOS™ 功率晶体管
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SPB04N50C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev. 2.3
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SPU07N60C3 SPD07N60C3冷MOS™ 功率晶体管
Rev.2.7
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SPW11N60CFD冷却管™ 功率晶体管
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SPUN60S5 SPDN07S5冷却™ 功率晶体管
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SPW20N60C3冷金属氧化物半导体™ 功率晶体管
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
NLM0011和NLM0010双模NFC配置集成电路,带脉冲宽度调制(PWM)输出产品简介
NLM0011和NLM0010是双模NFC配置IC,具有PWM输出功能。NLM0011适用于LED应用,支持NFC编程,具备恒定光输出(CLO)和开关计数功能。NLM0010为简化版,无CLO功能。两种IC均支持ISO/IEC 18000-3模式1的NFC接触式接口,适用于照明应用,可快速实现NFC编程和CLO,无需额外微控制器。
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NLM0011 和 NLM0010 带脉冲宽度调制 (PWM) 输出的双模式 NFC 配置芯片产品简介
NLM0011 和 NLM0010 是两款双模式 NFC 配置芯片,支持 PWM 输出。NLM0011 针对LED应用设计,集成恒定流明输出、自动计时器等功能,无需额外微处理器。NLM0010 不带 CLO 功能。两款芯片均支持 NFC 编程,提高工作效率,降低成本。
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Infineon(英飞凌) Solutions for Transportation 24V to 60V
Infineon提供针对24V至60V交通运输应用的完整产品组合,包括微控制器、功率和传感器设备。产品涵盖汽车动力、无线控制、传感器、微控制器等领域,适用于大型卡车、露营车、休闲车辆、电动滑板车、电动自行车等。资料详细介绍了Infineon在汽车动力领域的创新技术、先进技术和解决方案,以及针对不同应用场景的系统解决方案和产品特点。
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软恢复续流二极管,用于IGCT和压装式IGBT(PPI)4500 V/6500 V二极管盘系列
本资料介绍了4500V/6500V软恢复二极管碟片系列,适用于中压IGCT逆变器应用。该系列二极管具有高浪涌电流能力,优化以实现优异的软恢复特性,降低开关损耗。产品适用于IGCT逆变器驱动和presspack IGBT逆变器驱动,包括轧机、船舶驱动和风力涡轮机等应用。资料还提供了电气参数和尺寸信息。
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Infineon(英飞凌) Solar Power Solutions
Infineon提供全面的太阳能解决方案,包括OptiMOS™、CoolMOS™、thinQ!™等先进技术产品,旨在提高太阳能应用的效率和可靠性。公司产品涵盖从微逆变器到中央逆变器,包括功率模块、驱动器、控制器等。Infineon通过优化系统成本、提高效率和确保可靠性,满足太阳能行业的需求。
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