LE24CBK23MC: Two Wire Serial Interface Dual port EEPROM (2K+2K EEPROM)
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
LE24CBK23MC; LE24CBK23MC-AH
本数据手册详细介绍了LE24CBK23MC双端口EEPROM的技术规格与特性。该器件是一款具有两个独立存储区的非易失性存储器，总存储容量为4K位，采用2-Bank（2k位+2k位）配置，适用于小规模参数存储。其支持2.5V至5.5V宽范围单电源电压，并采用符合VESA DDC2 TM标准的2线串行接口（I2C总线），最大工作时钟频率达400kHz。该产品具备低功耗特性，待机电流仅5µA，并支持自动页面写入模式（16字节）及顺序与随机读取模式。此外，LE24CBK23MC拥有高可靠性，擦除/写入周期可达10^6次，数据保持时间长达20年。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
LE24CBK23MC双端口EEPROM两线串行接口（2K+2K EEPROM）
July, 2013
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材料成分声明LE24CBK23MC-AH
2018-01-29
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产品概述LE2464DXA:64 kb I2C CMOS EEPROM内存
1/19/2018
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产品概述LE2464DXA:64 kb I2C CMOS EEPROM内存
12/26/2017
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LE24CBK23MC-AH材料成分声明
2019-10-29
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LE24CBK23MC-AH材料成分声明
2019-09-02
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LE2416DXA:16kbi2CMOSeeprom存储器
12/10/2017
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LE2464DXA 64 kB I²C CMOS串行EEPROM
Rev. 1
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LE24162LBXA-SH材料成分声明
2019-08-12
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LE24162LBXA-SH材料成分声明
2019-05-17
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LE2416RDXA:16kbi2CMOSeeprom存储器
12/10/2017
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LE2416DXA 16 kb I²C CMOS串行EEPROM
Rev. 1
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材料成分声明LE24162LBXA-SH
2018-02-01
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材料成分声明LE24162LBXA-SH
2018-01-07
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产品概述LE2432DXA:32 kb I2C CMOS EEPROM内存
1/19/2018
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产品概述LE2432DXA:32 kb I2C CMOS EEPROM内存
12/26/2017
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产品概述LE2464RDXA:64 kb I2C CMOS EEPROM内存
1/19/2018
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产品概述LE2464RDXA:64 kb I2C CMOS EEPROM内存
12/26/2017
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LE24512AQF-AH材料成分声明
2019-09-04
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产品概述LE2432RDXA:32 kb I2C CMOS EEPROM内存
1/19/2018
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产品概述LE2432RDXA:32 kb I2C CMOS EEPROM内存
12/26/2017
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材料成分声明LE2464CXATBG
2018-01-22
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材料成分声明LE2464CXATBG
2018-01-16
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LE2464RDXa 64 kB I²C CMOS串行EEPROM
Rev. 1
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LE24163LBXA-SH材料成分声明
2019-09-11
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LE24163LBXA-SH材料成分声明
2019-08-31
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LE24163LBXA-SH材料成分声明
2019-05-17
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LE2432DXA 32 kB L²C CMOS串行EEPROM
Rev. 1
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材料成分声明LE2416RLBXA-SH
2018-09-27
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材料成分声明LE2416RLBXA-SH
2018-01-07
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LE24163LBXA CMOS L SI 16 kb I²C CMOS串行EEPROM
Rev1.10
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LE2432RDXA 32 kB L2C CMOS串行EEPROM
Rev. 1
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LE2416RDXATCG材料成分声明
2019-08-11
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LE2416RLBXA EEPROM存储器，2线，串行接口，16 kbits（2k x 8位）产品概述
8/11/2019
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材料成分声明LE24512AQF-AH
2018-03-31
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LE2464C 64 kB I²C CMOS串行EEPROM
Rev. 3
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LE2464CXATBG材料成分声明
2019-08-13
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LE24512AQF: Two Wire Serial Interface EEPROM (512K)
2/1/2018
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LE2416RLBXA:EEPROM存储器，2线，串行接口，16 kbits（2k x 8位）
3/31/2018
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LE2416RLBXA:EEPROM存储器，2线，串行接口，16 kbits（2k x 8位）
12/10/2017
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材料成分声明LE2416RDXATCG
2018-01-16
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材料成分声明LE2416RDXATCG
2018-01-07
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产品概述LE2464C:64 kb I2COS串行EEPROM
1/19/2018
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LE2464C:64 kb I2C CMOS串行EEPROM
12/26/2017
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世强AI
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应用/方案
LE24162LBXA：两线串行接口EEPROM 16 kbits（2k X 8位）
LE24162LBXA是一款2线串行接口EEPROM，采用高性能CMOS EEPROM技术，实现高速和高可靠性。兼容I2C内存协议，适用于需要小规模可重写非易失性参数存储的应用。特点包括单电源电压1.7V至3.6V、10^5次擦除/写入周期、-40至+85°C工作温度、低功耗、自动页面写入模式、高可靠性、20年数据保持等。
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LE24162LBXA：两线串行接口EEPROM 16 kbits（2k X 8位）
LE24162LBXA是一款2线串行接口EEPROM，采用高性能CMOS EEPROM技术，实现高速和高可靠性。兼容I2C内存协议，适用于需要小规模可重写非易失性参数存储的应用。特点包括单电源电压1.7V至3.6V、10^5次擦除/写入周期、-40至+85°C工作温度、400kHz操作时钟频率、低功耗、自动页面写入模式、高可靠性、20年数据保持等。
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LE2416DXA:16kbi2CMOSeeprom存储器
LE2416DXA是一款16 kb I2C CMOS EEPROM存储器，具备高速和高可靠性。它兼容I2C内存协议，适用于需要可重写非易失性参数内存的应用。主要特点包括：16k位容量，单电源电压1.7至3.6V，操作温度-40至+85°C，两线串行接口（I2C总线），低功耗，高数据传输速率，高可靠性。适用于手机摄像头模块和手机等终端产品。
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LE24163LBXA：两线串行接口EEPROM 16 kbits（2k X 8位）
LE24163LBXA是一款16k位（2k x 8位）的双线串行接口EEPROM，采用高性能CMOS EEPROM技术，支持I2C内存协议。该器件具有低功耗、单电源电压（1.7V至3.6V）、高可靠性等特点，适用于需要可重写非易失性参数存储的应用。主要特性包括：16k位容量、低功耗、自动页面写入模式、多种读模式、高可靠性、-40°C至+85°C的运行温度范围。
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LE2416RDXA:16kbi2CMOSeeprom存储器
LE2416RDXA是一款16kb I2C CMOS EEPROM存储器，具有高速和高可靠性。它兼容I2C内存协议，适用于需要可重写非易失性参数内存的应用。主要特点包括16k比特容量、单电源电压1.7至3.6V、操作温度-40至+85°C、两线串行接口（I2C总线）。该产品具有低功耗、高数据传输率和高可靠性等优势，适用于手机摄像头模块和移动电话等终端产品。
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便携式和可穿戴解决方案的扩展产品组合
该资料详细介绍了ON Semiconductor在便携式和可穿戴解决方案方面的产品组合，涵盖了电池保护、电源管理、摄像头模块、音频处理、无线连接和射频天线调谐等多个领域。资料中展示了多种产品，包括电池保护器、DC-DC转换器、摄像头模块、音频放大器、低功耗比较器和音频插孔检测解决方案等。此外，还介绍了ON Semiconductor的CMOS成像传感器、光学图像稳定驱动器、闭环自动对焦驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块PMIC、BelaSigna音频处理器、便携式声音解决方案和蓝牙低能耗技术无线电SoC等产品。
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