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Material Composition Declaration SBAS40-04LT1G
发布时间: 2018-07-31
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
SBAS40-04LT1G
本资料是一份关于产品物质成分的声明文件,详细阐述了元器件制造商在RoHS指令框架下对产品中限制物质含量的合规性说明。文件内容涵盖了产品各成分的具体名称、CAS号及含量百分比等关键数据,并提供了供应商的权威认证与声明,旨在确保产品符合环保法规要求,满足电子行业对有害物质管控的严格标准。针对此类合规元器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,平台严格保障产品来源可靠。相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台配备专职FAE团队提供选型、设计验证及调试等技术支持,有助于用户缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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材料成分声明SBAS40LT1G
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2018-01-13
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2/20/2020
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BAS40-06LT1G,SBAS40-06LT1G共阳极肖特基势垒二极管
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BAS40-06LT1G,SBAS40-06LT1G共阳极肖特基势垒二极管
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10/29/2017
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5/18/2021
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BAS40-06L:40v双共阳极肖特基二极管
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产品概述BAS40-06L:40V双共阳极肖特基二极管
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CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
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2019-08-10
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NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
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NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
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MBR0530T1G材料成分声明
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SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
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8/10/2019
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BC857CW 45 V,100 mA,PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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应用/方案
BAS40L:40v肖特基二极管
BAS40L是一款40V肖特基二极管,适用于高速开关应用、电路保护和电压钳位。其具有极低的正向电压,降低导通损耗。该二极管采用微型表面贴装封装,非常适合手持和便携式应用。产品特点包括极快的开关速度、低正向电压(0.50伏特,典型值)以及适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。该产品符合AEC标准,并具备PPAP能力。
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NCV890430MW33GEVB型
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