Material Composition Declaration FDMS86252L
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FDMS86252L
本资料详细介绍了FDMS862522L产品的物质声明内容，重点阐述了产品名称、型号规格、详细材料成分及其含量，并明确声明该产品符合RoHS指令的环保合规性要求。资料中还包含了供应商的联系方式及相关认证信息，旨在为用户提供完整的产品合规性依据与供应链追溯支持。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS86252L：150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET
1/25/2018
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS86252L：150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET
1/20/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FDMS86252L
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS86252L N沟道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET 150 V、12 a、56 MΩ
Rev.C2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FDMS86252
2018-01-23
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材料成分声明FDMS86252
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述FDMS86252:150V N沟道PowerTrench®MOSFET
1/19/2018
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述FDMS86252:150V N沟道PowerTrench®MOSFET
12/27/2017
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| 测试报告 - 英文 |
FDMS6673BZ材料成分声明
2019-08-15
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| 测试报告 - 英文 |
FDMS6681Z材料成分声明
2019-08-16
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS9411-F085 N通道PowerTrench®MOSFET40V，30A，7.8MΩ
Rev.2
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| 测试报告 - 英文 |
FDMS2D5N08C材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述FDMS9411\U F085:40V，30A，6.3 mΩ，N通道PowerTrench®
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FDMS86200
2018-01-23
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FDMS86200
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS86181 MOSFET-功率，单通道，屏蔽栅极，PowerTrench®
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
FDMS2D4N03S材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS4D5N08LC MOSFET，N沟道屏蔽栅极，PowerTrench®
Rev. 0
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FDMS9409L-F085 40 V、65 A、2.8 mΩN沟道逻辑电平PowerTrench®MOSFET
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FDMS9411-F085
2018-01-17
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FDMS9408-F085 N沟道PowerTrench®MOSFET 40 V，80 A，1.8 mΩ
Rev. 2
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材料成分声明FDMS86150
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FDMS86150
2017-12-04
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产品概述FDMS9408\U F085:40 V N沟道PowerTrench®MOSFET
11/19/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FDMS86163P
2018-01-17
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材料成分声明FDMS86163P
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS9408\U F085:40 V N沟道PowerTrench®MOSFET
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FDMS86181
2018-01-17
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材料成分声明FDMS86181
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS86350 MOSFET-N沟道，PowerTrench®
Rev. 3
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FDMS86350 MOSFET–N沟道，PowerTrench
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
FDMS86181材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
FDMS86181材料成分声明
2019-07-15
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FDMS86181材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
FDMS9408L-F085 N沟道逻辑电平PowerTrench®MOSFET 40 V，80 A，1.7 mΩ
Rev. 2
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FDMS86150材料成分声明
2020-4-12
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世强AI
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应用/方案
绿桥用户指南™ 以太网30 W有源箝位正向DC-DC电源评估套件
本资料为Fairchild Semiconductor Corporation提供的GreenBridge™ Evaluation Kit用户指南，旨在介绍用于以太网供电（PoE）的30W Active Clamp Forward DC-DC MLP 4.5x5转换器。指南详细介绍了评估板的特性、规格、电路图、物料清单、电气特性以及设置和测试程序。评估板采用FDMQ8203四通道MOSFET、FDMS86252单通道MOSFET等元器件，支持IEEE802.3at标准，输出电压为12V，最大输出电流为2.5A。
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双电源56包装的装配指南
本文主要介绍了Fairchild® Dual Power56封装的组装指南，包括其基于MLP技术的特点、焊点和焊盘设计、PCB设计考虑因素、焊膏使用、回流曲线、空洞问题、返工处理以及板级可靠性等方面。文章详细阐述了如何确保该封装在组装过程中的可靠性，并提供了相关的技术建议和最佳实践。
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45 W 24 V以太网供电反激式转换器
本资料介绍了一种基于ON Semiconductor NCP12700 PWM控制器和NCP4306同步整流控制器等元件的45W以太网供电（PoE）飞回转换器设计。该设计适用于智能建筑等PoE应用，具有37V至57V的输入电压范围，高效率和低纹波噪声等特点。资料详细提供了电路图、PCB布局、BOM清单以及性能参数等信息。
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产品概述FDMS86550:60V N沟道PowerTrench®MOSFET
FDMS86550是一款60V N-Channel PowerTrench® MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺制造，旨在降低导通电阻并保持优异的开关性能。其主要特点包括：最大导通电阻rDS(on)为1.65mΩ（VGS=10V，ID=32A）和2.2mΩ（VGS=8V，ID=27A），采用低rDS(on)和高效率的先进封装和硅组合，MSL1坚固的封装设计，100% UIL测试，符合RoHS标准。
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产品概述FDMS86150:100V N沟道PowerTrench®MOSFET
FDMS86150是一款100V N-Channel PowerTrench® MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺制造，旨在降低导通电阻并保持优异的开关性能。该器件具有屏蔽栅MOSFET技术，最大导通电阻rDS(on)在10V栅极电压和16A电流下为4.85mΩ，在6V栅极电压和13A电流下为7.8mΩ。此外，它采用先进的封装和硅组合，以实现低rDS(on)和高效率。该产品适用于DC-DC商用电能供应，并符合RoHS标准。
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产品概述FDMS86163P:-100 P沟道PowerTrench®MOSFET
FDMS86163P是一款采用Fairchild Semiconductor先进Power Trench®工艺生产的P-Channel MOSFET。该产品具有低导通电阻和高开关性能，适用于快速切换和负载切换应用。主要特性包括：最大导通电阻22mΩ（VGS=-10V，ID=-7.9A），非常低的RDS-on中电压P通道硅技术，优化低Qg，100%UIL测试，符合RoHS标准。适用于移动通信基础设施等应用。
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45 W USB-PD以太网供电反激式转换器
本文档介绍了ON Semiconductor公司的一款45W以太网供电（PoE）至USB-PD兼容的电源模块。该模块采用固定频率反激拓扑，使用NCP12700 PWM控制器、NCP4306同步整流控制器、FDMS86255主侧MOSFET、FDMS86202同步MOSFET和FUSB3307 USB-PD控制器。该设计支持37V至57V的以太网供电输入范围，具有高效率和低纹波噪声等特点，适用于智能建筑和物联网应用。文档还提供了电路图、PCB布局、BOM清单以及详细的规格参数和性能图表。
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45 W USB-PD以太网供电反激式转换器
本资料介绍了一种基于ON Semiconductor NCP12700 PWM控制器、NCP4306同步整流控制器等元件的45W以太网供电USB-PD飞回转换器设计。该设计支持37V至57V的以太网供电输入范围，具有高效率、低纹波和噪声、平滑启动等特点，适用于智能建筑和物联网应用。资料中包含了电路图、PCB布局、BOM清单以及详细的规格参数。
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NCP1568D PoE InputUSB-PD评估板用户手册
本资料为ON Semiconductor公司提供的NCP1568D PoE Input USB-PD评估板用户手册。手册详细介绍了该评估板的电路设计，包括45W通用输入电压（5V、9V、15V和20V输出）的PoE到USB-PD应用电源设计。该电源采用ON Semiconductor的NCP1568D PWM控制器、NCP51530 HB驱动器、NCP4308 SR控制器和FUSB3307 USB-PD控制器。手册提供了完整的电路图、PCB、BOM和变压器信息，并包含了效率、瞬态响应、输出纹波和热数据。该设计采用NCP1568和NCP51530实现主动钳位反激拓扑，具有高效能和低漏损的特点。
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产品概述FDMC86570L:60V N沟道屏蔽栅PowerTrench®MOSFET
FDMC86570L是一款60V N-Channel MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的PowerTrench®工艺和屏蔽栅技术。该产品具有极低的导通电阻，适用于DC-DC转换器等电源应用。主要特性包括：低导通电阻（最大4.3 mΩ），高开关性能，无铅封装，符合RoHS标准。
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产品概述FDMC86520DC:N沟道双CoolTM 33 PowerTrench®MOSFET
FDMC86520DC是一款采用Fairchild Semiconductor先进PowerTrench®工艺生产的N-Channel MOSFET。该器件结合了硅和Dual Cool™封装技术的进步，实现了极低的rDS(on)值，同时保持优异的开关性能。主要特点包括Dual Cool™顶侧冷却PQFN封装，最大rDS(on)值为6.3 mΩ（VGS=10V，ID=17A），适用于能源生成与分配等应用。
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产品概述FDMS9411\U F085:40V，30A，6.3 mΩ，N通道PowerTrench®
FDMS9411_F085是一款40V、30A、6.3 mΩ的N-Channel PowerTrench®功率MOSFET。其典型RDS(on)为6.3 mΩ，Qg(tot)为14.7 nC。具备UIS能力，符合RoHS标准，并符合AEC Q101电气规范。采用PQF N-8封装。
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