NGTD8R65F2: Rectifier 650V 30A FS2 bare die
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NGTD8R65F2; NGTD8R65F2SWK; NGTD8R65F2WP
本数据手册详细介绍了NGTD8R65F2型650V 30A反向二极管裸片，该器件专为作为IGBT反向二极管使用而设计。资料重点阐述了其核心技术特性，包括采用极其高效的深沟槽场止技术，以实现优化的高速切换性能，并确保高效率运行。该产品支持最高结温TJmax达到175°C，且符合无铅和卤素环保设计标准。基于这些优异特性，NGTD8R65F2被广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及焊接设备等对功率转换效率要求严苛的领域。针对文中所述器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，确保原厂正品保障。用户可通过平台获取专职FAE团队在选型、设计验证及调试环节的专业支持，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。这一全生命周期的采购与服务体系，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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NGTD8R65F2快速开关整流器芯片
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NGTD8R65F2快速开关整流器芯片
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材料成分声明NGTD8R65F2WP
2018-02-01
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NGTD8R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD13T65F2 IGBT芯片数据表
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NGTD13T65F2SWK材料成分声明
2019-08-31
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NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
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NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
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材料成分声明NGTD5R65F2WP
2018-02-01
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NGTD21T65F2：IGBT 650V 45A FS2裸片
1/27/2018
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2019-08-18
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NGTD13T65F2：IGBT 650V 30A FS2裸片
1/26/2018
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材料成分声明NGTD15R65F2WP
2018-02-01
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NGTD17T65F2 IGBT芯片
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NGTD17T65F2 IGBT芯片
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NGTD15R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD17T65F2：IGBT 600V 40A FS2裸片
1/27/2018
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2018-01-27
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NGTD30T120F2WP材料成分声明
2020-4-12
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NGTD30T120F2WP材料成分声明
2019-07-15
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2019-03-30
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NGTD28T65F2 IGBT芯片
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1/26/2018
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2019-08-18
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2019-08-18
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NGTD21T65F2 IGBT芯片
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2018-01-27
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NGTD5R65F2：整流器650V 20A FS2裸片
1/29/2018
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2019-08-31
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材料成分声明NGTD20T120F2WP
2018-01-27
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
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材料成分声明NGTD9R120F2WP
2018-02-01
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材料成分声明NGTD30T120F2WP
2018-01-17
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材料成分声明NGTD30T120F2WP
2018-01-16
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NGTD14T65F2 IGBT芯片
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NGTD15R65F2快速开关整流芯片
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NGTD15R65F2快速开关整流芯片
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NGTD17R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD28T65F2：IGBT 650V 75A FS2裸片
1/27/2018
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材料成分声明NGTD13R120F2WP
2018-02-01
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NGTD15R65F2：整流器650V 75A FS2裸模
1/29/2018
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材料成分声明NGTD17R120F2WP
2018-09-28
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NGTD13R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD28T65F2 IGBT芯片数据表
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NGTD30T120F2 IGBT芯片
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