NGTD15R65F2 Fast Switching Rectifier Die
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NGTD15R65F2; NGTD15R65F2WP; NGTD15R65F2SWK
本数据手册详细介绍了NGTD15R65F2快速开关整流器芯片，该器件专为免维护应用设计，具备快速开关和低正向电压降的显著特性。这些技术优势使其在工业电机控制和太阳能光伏逆变器等高效率要求场景中表现优异，能够有效提升系统性能与稳定性。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存以覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持，涵盖选型指导、设计验证及调试服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD15R65F2：整流器650V 75A FS2裸模
1/29/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD15R65F2WP
2018-02-01
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD15R65F2快速开关整流芯片
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD15R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD8R65F2：整流器650V 30A FS2裸模
1/29/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD8R65F2WP
2018-02-01
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD13T65F2 IGBT芯片数据表
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD5R65F2WP
2018-02-01
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NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
Rev. 2
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NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
Rev. 1
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NGTD13T65F2SWK材料成分声明
2019-08-31
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NGTD21T65F2：IGBT 650V 45A FS2裸片
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD5R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD13T65F2：IGBT 650V 30A FS2裸片
1/26/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD8R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD17T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD17T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD23T120F2WP
2018-01-27
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NGTD17T65F2：IGBT 600V 40A FS2裸片
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD30T120F2WP材料成分声明
2020-4-12
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NGTD30T120F2WP材料成分声明
2019-07-15
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NGTD30T120F2WP材料成分声明
2019-03-30
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NGTD28T65F2 IGBT芯片
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD28T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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NGTD20T120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD14T65F2：IGBT 650V 35A FS2裸片
1/26/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD9R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD8R65F2快速开关整流器芯片
Rev. 0
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NGTD8R65F2快速开关整流器芯片
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD13T120F2WP
2018-01-27
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NGTD13T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD13T120F2WP材料成分声明
2019-08-31
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材料成分声明NGTD9R120F2WP
2018-02-01
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NGTD21T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD20T120F2WP
2018-01-27
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD5R65F2：整流器650V 20A FS2裸片
1/29/2018
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材料成分声明NGTD30T120F2WP
2018-01-17
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材料成分声明NGTD30T120F2WP
2018-01-16
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片
Rev. 0
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
Rev. 1
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD17R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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材料成分声明NGTD13R120F2WP
2018-02-01
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD14T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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NGTD14T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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世强AI
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应用/方案
同步整流降压DC-DC转换器芯片ME3110，输入耐压18V，可带载2A，具有较低的导通内阻
MicrOne ME3110是一款输入耐压18V、可带载2A的同步整流降压（Step-Down）DC-DC转换器芯片。内置NMOSFET的功率开关，具有较低的导通内阻，确保较高的效率和带载能力。采用自适应恒定关断时间的控制方式，相较于传统电流模、电压模等方式具有更快速的动态响应。
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【应用】基于PWM控制芯片和同步整流芯片设计的18W-PD快速充电器应用方案，输出最大纹波120mV
RM6715S是一种采用新一代快充PWM控制技术（自供电双绕组）的离线式开关电源管理芯片，内置高压MOSFET及电流模式PWM+PFM控制器，满足六级能效标准。本文介绍了基于RM6715S的18W-PD快速充电器应用方案，并进行了相关测试分析。
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Bourns新增整流器芯片二极管产品新产品发布
Bourns公司推出六款新型低剖面整流芯片二极管产品，适用于便携式电子设备、通信、计算和视频设备等领域。这些产品包括CD214A-S1x、CD214A-RS1x、CD214A-FS1x、CD214A-R12000R、CD214B-S2x和CD214B-S3x系列，具有紧凑的尺寸和低剖面表面贴装封装，适用于直接安装在FR4印刷电路板上。产品符合RoHS和卤素免费标准，适用于开关电源、便携式设备电池、高频整流、DC/DC转换器和电信等领域。
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【产品】36V/3.1A的同步整流降压型高效率开关变换器PL8322，效率高达95%
宝砾微电子的PL8322是一款内部集成了上、下MOS管的同步整流降压型高效率开关变换器，上、下管的规格分别为36V 耐压/76 mΩ内阻，36V耐压/52mΩ内阻。该变换器可以在6.5V~30V的宽输入电压范围内输出3.1A连续电流。内部采用了逐周期的峰值电流控制模式，使得芯片能够实现快速动态响应的要求。
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【应用】亚成微27W QC3.0快速充电器采用PWM控制芯片RM6710S，集成高压启动电阻，内设抖频模式降低EMI干扰
RM6710S是一种采用新一代快充PWM控制技术（自供电双绕组）的离线式开关电源管理芯片，内置电流模式PWM+PFM控制器，满足六级能效标准。亚成微基于PWM控制芯片RM6710S和高性能同步整流芯片RM3403SH，推出了27W QC3.0快速充电器应用。
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