NGTD15R65F2: Rectifier 650V 75A FS2 bare die
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NGTD15R65F2; NGTD15R65F2SWK; NGTD15R65F2WP
本数据手册详细介绍了NGTD15R65F2这款650V 75A整流裸片的技术规格与应用特性。该器件专为作为IGBT反向二极管设计，核心采用极高效的沟槽场止技术，并针对高速开关进行了深度优化，能够满足高功率密度系统的性能需求。在关键参数方面，产品支持最高结温TJmax达到175°C，确保了在严苛工况下的热稳定性与可靠性；同时，器件制造工艺符合无铅和卤素环保标准。凭借其优异的电气特性，该整流裸片被广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及焊接设备等工业领域。基于该产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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NGTD15R65F2快速开关整流芯片
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NGTD15R65F2快速开关整流芯片
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材料成分声明NGTD15R65F2WP
2018-02-01
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NGTD15R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD8R65F2：整流器650V 30A FS2裸模
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材料成分声明NGTD8R65F2WP
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NGTD13T65F2 IGBT芯片数据表
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材料成分声明NGTD5R65F2WP
2018-02-01
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NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
Rev. 2
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NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
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NGTD13T65F2SWK材料成分声明
2019-08-31
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NGTD21T65F2：IGBT 650V 45A FS2裸片
1/27/2018
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1/26/2018
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2019-08-18
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材料成分声明NGTD23T120F2WP
2018-01-27
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NGTD17T65F2：IGBT 600V 40A FS2裸片
1/27/2018
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2020-4-12
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2019-07-15
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2019-03-30
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NGTD28T65F2 IGBT芯片
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2019-08-18
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NGTD14T65F2：IGBT 650V 35A FS2裸片
1/26/2018
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2018-01-27
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2019-08-31
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2018-02-01
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2018-01-27
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NGTD5R65F2：整流器650V 20A FS2裸片
1/29/2018
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2018-01-17
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2018-01-16
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
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NGTD17R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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材料成分声明NGTD13R120F2WP
2018-02-01
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NGTD14T65F2 IGBT芯片
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材料成分声明NGTD17R120F2WP
2018-09-28
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NGTD28T65F2：IGBT 650V 75A FS2裸片
1/27/2018
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NGTD13R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD28T65F2 IGBT芯片数据表
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NGTD30T120F2 IGBT芯片
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