NGTD9R120F2 Fast Switching Rectifier Die
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NGTD9R120F2; NGTD9R120F2WP; NGTD9R120F2SWK
本数据手册详细介绍了NGTD9R120F2快速开关整流器芯片，这是一款专为自由轮应用设计的高性能半导体器件。该芯片具备快速开关和低正向电压降的显著特性，能够有效提升系统效率。在关键参数方面，其最大反向电压达到1200V，最大结温可承受175°C，最大正向导通电流则受限于最大结温，确保了器件在严苛条件下的可靠性。凭借这些技术优势，该芯片被广泛应用于工业电机控制和太阳能光伏逆变器等领域，能够满足现代电力电子设备对高效能和高稳定性的需求。针对文中所述器件，品牌方在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD9R120F2：整流器1200V 15A FS2裸模
1/29/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD9R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD13T65F2 IGBT芯片数据表
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD9R120F2WP
2018-02-01
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD8R65F2：整流器650V 30A FS2裸模
1/29/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD8R65F2WP
2018-02-01
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD13T65F2SWK材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD13T65F2：IGBT 650V 30A FS2裸片
1/26/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD5R65F2WP
2018-02-01
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD21T65F2：IGBT 650V 45A FS2裸片
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD5R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD8R65F2快速开关整流器芯片
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD8R65F2快速开关整流器芯片
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD8R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD13T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD15R65F2WP
2018-02-01
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NGTD15R65F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD17T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD17T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD23T120F2WP
2018-01-27
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD14T65F2：IGBT 650V 35A FS2裸片
1/26/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD30T120F2WP材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD30T120F2WP材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD30T120F2WP材料成分声明
2019-03-30
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NGTD17T65F2：IGBT 600V 40A FS2裸片
1/27/2018
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD20T120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD28T65F2 IGBT芯片
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD28T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD13T120F2WP
2018-01-27
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD21T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD13T120F2WP材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD5R65F2：整流器650V 20A FS2裸片
1/29/2018
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD20T120F2WP
2018-01-27
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD5R65F2快速开关整流器芯片
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD30T120F2WP
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NGTD30T120F2WP
2018-01-16
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
Rev. 1
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
NGTD17R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
NGTD14T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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NGTD14T65F2 IGBT芯片
Rev. 1
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材料成分声明NGTD13R120F2WP
2018-02-01
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NGTD15R65F2快速开关整流芯片
Rev. 0
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NGTD15R65F2快速开关整流芯片
Rev. 0
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应用/方案
同步整流降压DC-DC转换器芯片ME3110，输入耐压18V，可带载2A，具有较低的导通内阻
MicrOne ME3110是一款输入耐压18V、可带载2A的同步整流降压（Step-Down）DC-DC转换器芯片。内置NMOSFET的功率开关，具有较低的导通内阻，确保较高的效率和带载能力。采用自适应恒定关断时间的控制方式，相较于传统电流模、电压模等方式具有更快速的动态响应。
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【应用】基于PWM控制芯片和同步整流芯片设计的18W-PD快速充电器应用方案，输出最大纹波120mV
RM6715S是一种采用新一代快充PWM控制技术（自供电双绕组）的离线式开关电源管理芯片，内置高压MOSFET及电流模式PWM+PFM控制器，满足六级能效标准。本文介绍了基于RM6715S的18W-PD快速充电器应用方案，并进行了相关测试分析。
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Bourns新增整流器芯片二极管产品新产品发布
Bourns公司推出六款新型低剖面整流芯片二极管产品，适用于便携式电子设备、通信、计算和视频设备等领域。这些产品包括CD214A-S1x、CD214A-RS1x、CD214A-FS1x、CD214A-R12000R、CD214B-S2x和CD214B-S3x系列，具有紧凑的尺寸和低剖面表面贴装封装，适用于直接安装在FR4印刷电路板上。产品符合RoHS和卤素免费标准，适用于开关电源、便携式设备电池、高频整流、DC/DC转换器和电信等领域。
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【产品】36V/3.1A的同步整流降压型高效率开关变换器PL8322，效率高达95%
宝砾微电子的PL8322是一款内部集成了上、下MOS管的同步整流降压型高效率开关变换器，上、下管的规格分别为36V 耐压/76 mΩ内阻，36V耐压/52mΩ内阻。该变换器可以在6.5V~30V的宽输入电压范围内输出3.1A连续电流。内部采用了逐周期的峰值电流控制模式，使得芯片能够实现快速动态响应的要求。
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