Material Composition Declaration HGT1S20N60C3S9A
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
HGT1S20N60C3S9A
本资料为一份关于HGT1S20N60C3S9A产品的材料成分声明，详细阐述了该器件的物质构成、各材料成分含量及其对欧盟RoHS指令的合规性情况。文件不仅涵盖了产品的制造信息与材料合规性声明，还包含了供应商的认证信息，旨在为用户提供完整的环境合规性依据，确保产品符合相关环保法规要求。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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HGT1S20N60C3S UFS系列N通道IGBT产品概述
8/10/2019
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HGT1S20N60C3S9A PTPIGBT TO263 45A 600V材料成分声明
2019-08-11
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HGT1S20N60C3S:45A、600V、UFS系列N通道IGBT产品概述
5/15/2019
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HGT1S20N60C3S：45A、600V、UFS系列N沟道IGBT
1/26/2018
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HGTG20N60C3TP20N60C3，H，HGGT1S20N60C3S 45A，600V，UFS系列N沟道IGBT
Rev.B
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NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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S2D材料成分声明
2019-08-10
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NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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FPAM50LH60G材料成分声明
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NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
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SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
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BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
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SBC857BLT1材料成分声明
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BC857BLT3G材料成分声明
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FSBF10CH60BTL材料成分声明
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NSR0140P2T5H材料成分声明
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74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
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2019-08-10
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NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
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MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
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MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
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FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
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MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
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DTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
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EFC3C001NUZ用于1-2芯锂离子电池保护的双N沟道功率MOSFET产品概述
8/10/2019
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GBPC1208W材料成分声明
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CAT25320LI-G材料成分声明
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SNZD5V6:5.6V，200mw 0201齐纳二极管产品概述
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WDFN6包装尺寸
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2019-09-01
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MMSZ4698E:225 W额定能量低电流齐纳11 V SOD-123产品概述
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NTSJ3080CTG：肖特基整流器，低正向电压，双，30a，80v产品概述
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