NGTD9R120F2: Rectifier 1200V 15A FS2 bare die
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NGTD9R120F2; NGTD9R120F2SWK; NGTD9R120F2WP
本数据手册详细介绍了NGTD9R120F2型1200V 15A裸片式整流器，该器件专为作为IGBT反向二极管使用而设计。资料重点阐述了其核心技术优势，即采用极高效的沟槽场止技术，不仅实现了高效率，还具备优异的高速切换性能。在关键参数方面，该整流器的最高结温TJmax可达175°C，能够适应严苛的工作环境。此外，产品符合环保要求，采用无铅及氯化物无设计。基于上述特性，NGTD9R120F2被广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及焊接设备等领域。针对该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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NGTD9R120F2快速开关整流芯片
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NGTD9R120F2WP材料成分声明
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材料成分声明NGTD9R120F2WP
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NGTD8R65F2：整流器650V 30A FS2裸模
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材料成分声明NGTD8R65F2WP
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NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
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NGTD21T65F2 IGBT芯片数据表
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材料成分声明NGTD5R65F2WP
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1/27/2018
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2019-08-18
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2019-08-18
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2018-01-27
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1/26/2018
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2019-08-31
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1/29/2018
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2018-01-27
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2018-01-17
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2018-01-16
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
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NGTD5R65F2快速开关整流器芯片数据手册
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NGTD17R120F2WP材料成分声明
2019-08-18
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NGTD15R65F2快速开关整流芯片
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NGTD15R65F2快速开关整流芯片
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材料成分声明NGTD13R120F2WP
2018-02-01
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NGTD14T65F2 IGBT芯片
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材料成分声明NGTD17R120F2WP
2018-09-28
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NGTD28T65F2：IGBT 650V 75A FS2裸片
1/27/2018
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