Material Composition Declaration NLAS3899BMNTXG
发布时间:
2018-07-31
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NLAS3899BMNTXG
本资料详细介绍了NLAS3899BMNTXG产品的物质成分声明,涵盖了产品名称、型号、有效日期、制造地点及重量等基本信息。声明重点阐述了产品中可能含有的铅、汞、镉等有害物质情况,并提供了相应的RoHS合规性声明,以确保产品符合环保标准。此外,资料还详细列出了产品各成分的化学物质名称、CAS编号及具体含量,为用户评估产品的环保性与安全性提供了详实的数据支持。基于该产品,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NLAS3899:模拟开关,双DPDT,低RON,低电容
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产品概述NLAS3899:模拟开关,双DPDT,低RON,低电容
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材料成分声明NLAS3899BMNTXG
2018-01-16
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NLAS3899BMNTXG材料成分声明
2019-08-14
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NLAS3799B/D双通道DPDT低导通电阻、低电容开关数据表
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材料成分声明NLAS3899BMNTBG
2018-01-23
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材料成分声明NLAS3899BMNTBG
2018-01-16
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NLAS3899B双DPDT低RON,低电容开关
Rev. 1
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材料成分声明NLAS3899BMUR2G
2018-01-23
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材料成分声明NLAS3899BMUR2G
2018-01-16
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NLAS3899B双通道DPDT低阻态、低电容开关数据表
Rev. 1
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NLAS3899BMNTBG材料成分声明
2019-08-14
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NLAS3899B双通道DPDT低导通电阻、低电容开关
Rev. 1
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材料成分声明NLAS3899BMNTWG
2018-01-23
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材料成分声明NLAS3899BMNTWG
2018-01-16
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NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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材料成分声明NLAS3899BMNR2G
2018-01-23
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材料成分声明NLAS3899BMNR2G
2018-01-16
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NLAS3899BMUR2G材料成分声明
2019-08-11
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2019-08-13
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2019-08-10
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2019-08-10
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CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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S2D材料成分声明
2019-08-10
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NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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2019-08-10
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2019-08-10
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2019-08-10
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2019-08-10
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NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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BC857CW 45 V,100 mA,PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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2019-08-10
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NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
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2019-08-10
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技术论坛
替代ONSEMI的开关IC ,NLAS3899BMNTXG ,2路 ,1.6~4.3V, 30ns ,双刀双掷 ,-40~85℃, 3ohm, QFN-16 ,请问有合适的型号推荐吗?
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请问有安森美NLAS3899BMNTXG的国产替代吗?不要求PTP。
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