Material Composition Declaration MMBD353LT3
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MMBD353LT3
本资料为一份关于元器件物质声明的技术文件，详细介绍了Onsemi品牌旗下MMBD353LT3产品的材料构成及合规性信息。文件明确列出了该器件所使用的各类材料成分，涵盖硅、银、镍、铁、铜等关键物质，并提供了具体的材料重量与单位数据。此外，资料重点声明了该产品完全符合欧盟RoHS指令的环保要求，同时附带了制造商的联系方式及相关认证信息，为用户进行产品合规性审查与物料管理提供了权威依据。针对文中所述器件，Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD352LT1G，MMBD353LT1G，nsvmbd353LT1G，MMBD354LT1G，nsvmbd354LT1G，MMBD 355LT1G双通道热载波混频二极管
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD352LT1G，MMBD353LT1G，nsvmbd353LT1G，MMBD354LT1G，nsvmbd354LT1G，MMBD 355LT1G双通道热载波混频二极管
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD352LT1G，MMBD353LT1G，nsvmbd353LT1G，MMBD354LT1G，nsvmbd354LT1G，MMBD 355LT1G双通道热载波混频二极管
Rev. 9
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD353LT3材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD352LT1G、MMBD353LT1G、NSVMMBD353LT1G，MMBD35 4LT1 G，NSVMMBD35 4LT1 G，MMBD 355LT1G型双通道热载波混频二极管
Rev. 9
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBD353LT3G
2018-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD353LT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NSVMMBD353LT3
2018-01-26
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| 技术文档 - 英文 |
嵌入式开关电源印制电路板设计中的若干问题
April 30, 1999
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD353L:7.0 V肖特基二极管，双，反向系列产品概述
5/15/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVMMBD353LT3材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD1201-MMBD1205小信号二极管
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBD353LT1G
2018-01-26
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD4148/MMBD4148SE/MMBD4148CC/MMB D4148CA小信号二极管
Rev.1.1.0
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD353LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD330T1G、SMMBD330T1G、MMBD770T1G和SMMBD770T1G肖特基势垒二极管
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBD353LT1
2018-01-26
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| 数据手册 - 英文 |
小信号二极管MMBD4148SE、MMBD4148CC、MMBD 4148CA
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
小信号二极管MMBD4148SE、MMBD4148CC、MMBD 4148CA
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
NSVMMBD353LT1材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD2837LT1G、MMBD2838LT1G、SMMBD2837LT1G单片双开关二极管
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NSVMMBD353LT1G
2018-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NSVMMBD353LT1
2018-01-26
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD2835LT1G、MMBD2836LT1G、SMMBD2835LT1G单片双开关二极管
Rev. 7
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| 测试报告 - 英文 |
类型MMBD353LT1材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD1401A / MMBD1403A / MMBD1404A / MMBD1405A High-Voltage General-Purpose Diode
Rev. 1.1.0
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| 测试报告 - 英文 |
NSVMMBD353LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
MBD701、MMBD701L、SMMBD701L硅热载流子二极管
Rev. 7
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD1404材料成分声明
2019-08-31
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| 数据手册 - 英文 |
MBD701，MMBD701L，SMMBD701L硅热载流子二极管肖特基势垒二极管
Rev. 7
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| 数据手册 - 英文 |
MBD701、MMBD701L、SMMBD701L硅热载流子二极管：肖特基势垒二极管
Rev. 7
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD1403材料成分声明
2019-08-18
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD1405材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
二极管-小信号MMBD1501A、MMBD1503A、MMBD 1504A、MMBD 1505A
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
二极管-小信号MMBD1501A、MMBD1503A、MMBD 1504A、MMBD 1505A
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
二极管-小信号MMBD1501A、MMBD1503A、MMBD 1504A、MMBD 1505A
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD1401材料成分声明
2019-08-18
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD352LT3材料成分声明
2019-09-04
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD352LT1 SS SOT23 SHKY DIO 7V TR材料成分声明
2019-08-11
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| 数据手册 - 英文 |
MBD701硅热载流子二极管
Rev. 7
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MMBD452LT1
2018-01-26
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD352W：7.0 V肖特基二极管，双通道，串联，UHF
1/26/2018
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD352WT1 SS SC70 SHKY DIO 7V TR材料成分声明
2019-08-11
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD301L：200 mA、30 V、肖特基二极管UHF
5/18/2021
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| 测试报告 - 英文 |
MMBD452LT1材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD914L开关二极管，高速，100 V
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
MMBD914L开关二极管，高速，100 V
Rev. 10
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世强AI
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