Material Composition Declaration NCP11367DYDBR2G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NCP11367DYDBR2G
本资料为关于NCP11367DYDBR2G的材料成分声明，详细阐述了该器件的物质构成及合规性信息。声明内容涵盖了项目名称、有效日期、制造地点及重量等基础参数，并重点披露了RoHS指令下的限制物质含量，具体包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴联苯醚等关键指标。此外，该文件还提供了各物质的具体含量数值、CAS号以及相应的RoHS豁免情况，为用户进行产品合规性审查及环保评估提供了详实的数据支持。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足的库存以满足不同阶段的采购需求。同时，平台配备专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NCP11367:PWM开关，高压，低功率离线开关电源的一次侧
1/25/2018
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367DYDBR2G
2018-01-26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
产品概述NCP11367:PWM开关，高压，低功率离线开关电源的一次侧
1/19/2018
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367BYDBR2G
2018-01-26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367BYDBR2G
2018-01-23
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCP11367产品预览低功率离线开关电源高压一次侧PWM开关
Rev. P1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367EYDBR2G
2018-01-26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367EYDBR2G
2018-01-23
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367AYDBR2G
2018-01-26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367AYDBR2G
2018-01-23
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367CYDBR2G
2018-01-26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP11367CYDBR2G
2018-01-23
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
ESD7351XV2T1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SDTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060AFEL材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NLVHC4060ADTR2G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ANG材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MC74HC4060ADTR2材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
FCMT360N65S3材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MMQA5V6T1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
DTA144EET1G材料成分声明
2019-08-10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
EFC3C001NUZ用于1-2芯锂离子电池保护的双N沟道功率MOSFET产品概述
8/10/2019
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
通用交流输入，5伏输出，20瓦电源
本资料介绍了一种20瓦通用交流输入、5伏输出电源的设计，适用于需要与交流电网隔离的AC适配器、工业设备或家电。该电源采用CCM反激拓扑，使用ON Semiconductor的NCP1136单片开关控制器，并集成了4欧姆垂直通道MOSFET。资料提供了完整的电路图和物料清单，并详细说明了电路设计、性能特点、效率、输出纹波和内部MOSFET漏极开关特性。此外，还提供了不同输出电压的实现方法、变压器设计、效率与输出负载曲线以及详细的物料清单。
阅读原文 >>
NCP1136 NCP431通用交流输入，5伏输出，20瓦电源
本资料介绍了ON Semiconductor公司的一款通用AC输入、5伏输出、20瓦功率供应器设计。该设计采用CCM Flyback拓扑结构，使用NCP1136单片开关器和NCP431可编程齐纳二极管，提供高效率、低待机功耗和良好的输入/输出隔离。资料详细描述了电路原理图、BOM清单、性能特性和变压器设计。
阅读原文 >>
NCV890430MW33GEVB型
阅读原文 >>
NCV890430MW25GEVB型
阅读原文 >>
